Центр - окраска
Cтраница 1
Центры окраски ( F и Vt) образуются также в результате электролиза щелочно-галоидных кристаллов при температурах ниже точки плавления; F - и 1 / гцентры можно по отдельности создать, нагревая кристаллы в присутствии соответствующих количеств паров щелочных металлов или галогенов. [1]
Центры окраски различаются по длине волны собственного поглощения и положению их собственного уровня в запрещенной зоне: электронные центры дают уровни выше середины запрещенной зоны, дырочные центры - ниже середины запрещенной зоны. [2]
Центры окраски в простых бинарных стеклах со временем исчезают и уничтожаются легким нагреванием и действием ультрафиолетового излучения. На рис. 6 - 14 показаны примеры такого обесцвечивания. Стекло, подвергавшееся облучению, при ( нагревании излучает свет. [3]
Центры окраски обнаружены также во флуорите, кварце и др. кристаллах и минералах. Отлично центров окраски от окраски, вызываемой примесными ( актнваторными) центрами, заключается в том, что первые могут быть созданы с помощью облучения и уничтожены или видоизменены нагреванием и воздействием света соответствующих длин волн, а вторые в большинстве случаев устойчивы к этим воздействиям. В ряде веществ центры окраски могут быть центрами люминесценции. [4]
Центры окраски в кристаллах возникают не только при нарушении стехиометрии катионов и анионов, но и на другой основе. Так, центры окраски могут возникнуть в результате облучения кристалла рентгеновскими лучами или ускоренными ядерными частицами. Если в кристалл вводится один из компонентов сверх стехиометрического состава, то он окрашивается равномерно. В противоположность этому при рентгеновском облучении кристаллы не окрашиваются по всему объему, а только с поверхности на большую или меньшую глубину. Это зависит от того, что рентгеновское излучение поглощается главным образом поверхностными и околоповерхностными слоями кристалла. При облучении кристаллов - лучами большой энергии поглощение идет на большую глубину и окрашивается весь кристалл. [5]
Сдвоенный центр окраски, связанный с вакантным бромным узлом. [6]
Центрами окраски называются комплексы точечных дефектов, обладающие собственной частотой поглощения света и соответственно изменяющие окраску кристалла. [7]
Все эти центры окраски интенсивно изучались в щелочно-галоидных кристаллах. Аналогичные центры наблюдаются и в других типах кристаллических решеток и непрерывно открываются новые. [8]
Энергия образования центра окраски оценивается по положению и интенсивности полосы поглощения. Если полоса поглощения попадает в область видимого света, меняется видимая окраска кристалла. Так, в результате нагревания щелочногалоидного кристалла в парах щелочного металла заметно меняется его окраска: например, бесцветные кристаллы NaCl, KC1 в парах Na приобретают ярко-синюю окраску. Появляющиеся спектральные полосы поглощения характерны для кристалла и не зависят от того, какой щелочной металл использован для испарения. Этим подтверждается предположение, что центр окраски создается при взаимодействии собственного точечного дефекта кристалла с электроном или дыркой, поставляемыми из щелочных паров. [9]
Простейший из центров окраски, F - центр ( рис. 255), состоит из анионной вакансии, которая, действуя как эффективный положительный заряд, удерживает при себе свободный электрон, поставляемый, например, избыточным атомом щелочного металла в результате его ионизации или же введенным в решетку примесным атомом. [10]
Спектр поглощения центров окраски в солях типа NaCl состоит из серий линий, уширенных колебаниями решетки, соответствующих переходам на различные уровни возбуждения. Максимальный коэффициент поглощения наблюдается при переходе на первый возбужденный уровень. Для 1МН4С1 этому переходу соответствует квант света с длиной волны Ямакс 380 ммк. [11]
 |
Спектр поглощения ( сплошная линия и излучения ( штрих кристаллов КВг - РЬа Отдельные максимумы в спект.| Деформационное расщепление одной из линий спектра люминесценции. [12] |
Полосы люминесценции центров окраски обладают большим стоксовым сдвигом. [13]
Лазеры на центрах окраски имеют следующие параметры. Получена непрерывная генерация мощностью 1 Вт при дифференциальном КПД до 7 % Для РА - центров и до 60 % Для - центров окраски. То, что дифференциальные КПД этих двух типов лазеров различаются почти на порядок, нуждается в пояснении. [14]
Кроме того, центры окраски можно разделить на электрически нейтральные и заряженные по отношению к кристаллической решетке. К нейтральным центрам относятся F -, FA - и М - центры, а к заряженным - F - и а-центры. Заряженные центры обычно могут в кристалле существовать только попарно, взаимно компенсируя при этом свой электрический заряд. К таким парам, например, относятся F - и сс-центры. [15]
Страницы: 1 2 3 4