Cтраница 3
Представления о связи между центрами окраски в ионных кристаллах и нарушением порядка в них, обусловленным тепловым движением, впервые развитые Я. И. Френкелем в 1934 г., оказались чрезвычайно плодотворными. На них по существу основаны современные модели электронных ( дырочных) центров окраски и механизмы их преобразований. [31]
ЦЕНТРЫ ( Farbzentren) - центры окраски в кристаллах, представляющие собой дефекты кристал-лич. [32]
Заметим в заключение, что центры окраски могут возникать в кристаллах при каких угодно низких температурах при наличии в них посторонних примесей. Такого рода примеси играют весьма существенную роль и для электронной проводимости кристалла в тех случаях, когда атомы примеси легко ионизируются, отдавая кристаллу свои наружные электроны, которые становятся, таким образом, свободными, или же обладают значительным сродством к электронам, отнимая их у окружающих атомов основного вещества и создавая тем самым подвижные электронные дырки в последнем. [33]
Коэн [1329, 1330], изучая анизотропию центров окраски в а-кварце, показал, что центры окраски обусловлены ионами А13, замещающими Si4, поскольку центры окраски ориентированы строго по осям кристалла кварца. [34]
Радиационным отжигом авторы называют разрушение центров окраски при облучении; частичное разрушение, являющееся функцией облучения, может носить самый различный характер у центров различной структуры и природы. [35]
Снижение давления не препятствует формированию аметистовых центров окраски, однако ромбоэдрические кристаллы в подобных условиях интенсивно растрескиваются из-за недостаточно эффективного предварительного гидротермального протравливания затравочных пластин н сохранения дефектного, аморфизиро-ванного слоя кварца. При прочих равных условиях использование затравок, параллельных г-грани, обеспечивает возможность массового производства однородных кристаллов аметиста с промыш-ленно приемлемыми скоростями и необходимой интенсивностью и чистотой фиолетовой окраски. При этом следует создавать в гидротермальном растворе избыток трехвалентных ионов железа и снижать содержание примесных ионов алюминия, с которыми, как уже отмечалось, связаны дырочные центры дымчатой окраски. В облученном кристалле спектры поглощения от обоих типов центров накладываются один на другой, что, естественно, ухудшает чистоту аметистовой окраски. Поскольку коэффициент захвата структурной примеси алюминия находится в прямой зависимости от температуры выращивания, в то время как коэффициент поглощения примеси железа в исследованном температурном интервале существенно не зависит от температуры, предпринимались попытки получения аметистов без дымчатого оттенка окраски за счет температуры синтеза. [36]
В синтетическом кварце наблюдаются два типа центров окраски, различающихся строением и способом их образования. К первому типу относятся центры окраски, связанные с точечными дефектами и проявляемые в кристалле под воздействием ионизирующего облучения. Этот тип окраски характерен также для природного кварца. Ко второму типу относятся центры, связанные с примесями ионов-хромофоров, преимущественно железа и кобальта. [37]
Можно ожидать, что вероятность отжига центров окраски в исследуемой части спектра ( например, в видимой) при введении добавки не изменяется. Это возможно, например, при следующем механизме образования центров окраски в стекле с введенной добавкой. [38]
Возникновение картин декорирования, отражающих существование центров окраски, приводит к выводу о том, что активные центры являются не только специфическими точками роста, но одновременно ответственны за многие физические и физико-химические процессы, в данном случае за окраску и люминесценцию. [39]
В синтетическом кварце наблюдаются два типа центров окраски, различающихся строением и способом их образования. К первому типу относятся центры окраски, связанные с точечными дефектами и проявляемые в кристалле под воздействием ионизирующего облучения. Этот тип окраски характерен также для природного кварца. Ко второму типу относятся центры, связанные с примесями ионов-хромофоров, преимущественно железа и кобальта. [40]
Далее показано, что относительная концентрация центров окраски различной стабильности сильно зависит от температуры кристалла, при которой производится облучение рентгеновыми лучами. В таблице 10 в колонках а приведены значения оптической плотности D ( F) в максимуме F-полосы для 4 кристаллов, рентгенизо-ванных при температурах - J85, - 75 и 25 С. В колонках в приведены значения D ( F), измеренные как в колонках а при - 185 С для тех же кристаллов после их выдержки при комнатной температуре в течение одного часа. Из таблицы видно, что чем ниже температура, при которой производится рентгенизация, тем менее стабильны образующиеся центры окраски. [41]
Атомы серебра или их агрегаты являются центрами окраски. [42]
В этом эксперименте использовался лазер на центрах окраски, работающий в режиме синхронизации мод ( длительность импульсов TFWHM - 7 пс); длина волны генерации 1 55 мкм, что находится в области минимальных потерь световода. [44]