Центр - свечение
Cтраница 4
Это свидетельствует о том, что дырки, освобождаемые с центров свечения, захватываются ионами Fe2 с соответствующим изменением их зарядового состояния. Рекомбинация электрона с захваченной дыркой, идущая через возбужденные состояния, является преимущественно безызлучательной ( см. гл. [46]
 |
Зонная схема для люминофоров полупроводникового типа. [47] |
Для характеристических люминофоров, когда электронные переходы совершаются внутри самого центра свечения, энергетическое состояние центра и его свойства могут быть описаны двухмерной энергетической моделью. В этом случае невозбужденное состояние центра описывается потенциальной кривой аг ( рис. IV.3), показывающей зависимость его энергии от конфигурационного параметра, который в случае двухатомной молекулы есть расстояние между двумя ядрами. Кривая а2 характеризует возбужденное состояние. [48]
Пусть N означает концентрацию центров захвата, an - концентрацию ионизованных центров свечения или, что все равно, концентрацию электронов на уровнях захвата, если при этом пренебречь концентрацией электронов в зоне проводимости. [49]
Первый из указанных процессов происходит при поглощении энергии возбуждения непосредственно центром свечения. [50]
 |
Спектральные характеристики двухслойного экрана. [51] |
Длительное время свечения при возбуждении светом объясняется тем, что - центры свечения кристаллов люминофора, способные длительно пребывать в возбужденном состоянии, более вероятно возбуждаются не электронными ударами, а электромагнитным излучением с длиной волны, соответствующей коротковолновому краю видимого спектра и ближнему ультрафиолету. [52]
Одним из основных моментов изложенного выше механизма возбуждения радикалолюминесценции является наличие центров свечения которым передается энергия рекомбинации радикалов в молекулу. Природа центров свечения и их положение в кристаллической решетке основы фосфора определяют расположение полос в спектре люминесценции. При этом изменение энергетического состояния центра свечения в результате внешних воздействий может привести к смещению полос люминесценции. Распределение энергии в спектре люминесценции зависит от условий, в которых находятся центры свечения, и условий возбуждения. [53]
 |
Модель ассоциативного дефекта, ответственного за голубую люминесценцию ZnS-Cl - фос-фора.| Модель ЕисаОр. [54] |
Это явление, открытое П. П. Феофиловым [30, 83], используется для изучения структуры ассоциативных центров свечения. [55]
Для выяснения механизма передачи энергии рекомбинации свободных радикалов на поверхности кристаллофосфоров центрам свечения рассмотрим прежде всего процессы, приводящие к испусканию кванта люминесценции. [56]
Часть электронов, попавших в зону проводимости, непосредственно рекомбшшрует с ионизационными центрами свечения ( свободные уровни, см. рис. 193), в результате чего выделяется квант энергии, дающий кратковременное свечение. Другая часть электронов, поступающих в зону проводимости, застревает на уровнях в местах нарушений кристаллической решетки, на уровнях прилипания. Если уровни прилипания лежат достаточно глубоко под дном зоны приводимости, то прямая рекомбинация с ионизированными центрами свечения практически полностью исключена. Вероятность такого перехода обратно пропорциональна энергетическому расстоянию между дном зоны проводимости и положением уровня прилипания и Прямо пропорциональна температуре решетки. [57]
Страницы: 1 2 3 4