Акцепторный центр

Cтраница 2

Следовательно, радикал избирательно адсорбируется на акцепторных центрах. [16]

В неполярной параэлектрической фазе заряды на донорных и акцепторных центрах компенсируют друг друга и макроскопически, и локально. Возникновение в сегнетофазе модулированного распределения спонтанной поляризации и соответствующих связанных зарядов на поверхности сегнетоэлектрика приводит к перераспределению зарядов по поверхностным состояниям, так что в местах с положительным потенциалом оказывается больше отрицательно заряженных акцепторных центров, и наоборот: в местах с отрицательным потенциалом больше положительно заряженных донорных центров, потерявших электроны. [17]

Следовательно, появляется возможность сравнить эффективность заполнения акцепторных центров - уАЬОз различными донорными молекулами ( основаниями), применяя радикал I как индикатор на свободные акцепторные центры. [18]

Зависимость кон. [19]

При дальнейшем увеличении температуры вакуумной активации концентрация акцепторных центров возрастает еще больше. Для определения больших концентраций приходится вводить большое количество радикала. При этом возникает осложнение, заложенное в самом методе ЭПР: диполь-дипольное взаимодействие близкорасположенных радикалов уширяет компоненты их н: ю-а тг спектра, и он превращается в широкую бесструктурную линию. [20]

На этот же график нанесены значения концентраций акцепторных центров - АЬОз, активированного при низких температурах. Как видно из рис. 4, данные, полученные тремя независимыми методами, находятся в хорошем согласии. [21]

Вакансии в германии и кремнии играют роль акцепторных центров. Если концентрация легирующей примеси N в кристалле намного меньше концентрации собственных носителей nl в интервале температур пластической деформации материала, то концентрация вакансий в слитке при прочих равных условиях определяется тепловыми условиями выращивания. Когда величины N и n - L становятся сравнимыми, должно проявляться влияние легирующей примеси - наличие доноров будет приводить к увеличению концентрации вакансий в кристалле, а акцепторов - к ее уменьшению. [22]

Цинк, медь и платина [2] также образуют акцепторные центры в германии с энергиями ионизации около 0 04 эв. Соответствующая схема уровней вместе с энергиями обычных примесей представлена на фиг. Величина энергии ионизации примесей типа цинка не получила достаточного объяснения, хотя гелиевая модель отчасти отражает свойства этих примесей. По этой модели благодаря различию валентностей примеси и германия на две единицы носители тока предполагаются движущимися в поле двойного заряда; поэтому они должны быть более тесно связаны. [23]

Высокая чувствительность метода ЭПР позволяет определять малые концентрации акцепторных центров, например, на у - АЬОз, активированном при низких температурах. [24]

Оказалось, что в результате реакции дегидратации часть акцепторных центров освобождается: молекулы I, присутствующие на поверхности, связываются с ними в комплекс. Все акцепторные центры оказываются занятыми только тогда, огда количество предварительно адсорбированного спирта, as следовательно, и количество выделившейся воды составляет 15 2 - 1013 мол. Это значение практически совпадает с концентрацией моле - 3 кул воды, необходимой для заполнения всех акцепторных центров. [25]

Энергия возбуждения примесей в германии и кремнии. [26]

Иногда при условии активации практически всех донорных или акцепторных центров, когда собственная проводимость еще почти не имеет значения, а кривой а f ( T) может появиться область понижения проводимости за счет преобладающего влияния падающей подвижности носителей заряда. При дальнейшем повышении Т и усилении генерации подвижных носителей заряда собственно полупроводника опять повышается проводимость. [27]

Особенно важен частный случай, когда в качестве акцепторного центра выступает атом водорода, что приводит к образованию так называемых водородных связей. Акцепторные свойства атома водорода проявляются при условии, что удерживающая его ковалентная связь достаточно полярна, причем водород является положительным концом соответствующего диполя. Это реализуется в случаях, когда водород ковалентно связан с более электроотрицательным, чем углерод, элементом: азотом, кислородом или галогенами. [28]

Концентрация дефектов в образце CdTe 2 - Ю17 In / см3 с учетом ассо. [29]

Поскольку YCJ и ( IncdVcd) X являются акцепторными центрами и имеют разные энергии ионизации, то следует ожидать, что начиная с точки, где р - [ Vcd ], концентрация дырок скачкообразно увеличится. [30]

Страницы: 1 2 3 4