Акцепторный центр
Cтраница 3
В случае пористых стекол ( см. раздел 3.2) акцепторные центры образуют координационно ненасыщенные атомы бора. Выщелачивание натрий-боросиликатных стекол удаляет поверхностные атомы бора, однако дальнейшая обработка при высоких температурах вызывает миграцию атомов бора из объема пористого стекла на поверхность. В результате адсорбционные свойства таких пористых стекол определяются как силоксановыми и силанольными группами, так и ненасыщенными атомами бора и гидроксильными группами, связанными с атомами бора. [31]
АЬОз требуются различные поверхностные концентрации оснований - Хотя заполнение акцепторных центров завершается при малых степенях заполнения поверхности ( 6 - 25 % монослоя), эффективность заполнения зависит от размеров донорных молекул. [32]
 |
Зонная модель полупроводника п-типа.| Схема введения оксида лития в оксид цинка. [33] |
Сдвиг уровня Ферми возможен вследствие изменения концентрации донорных или соответственно акцепторных центров, в простейшем случае путем введения ионов противоположного знака. Другие нарушения решетки тоже могут приводить к появлению уровней энергии внутри запрещенной зоны. [34]
Райт и Мурадян [4.28] исследовали рассеяние света, обусловленное акцепторным центром бора в Si. Эта линия деполяризована, как и линия оптического фонона. [35]
 |
Спектры поглощения нафталина ( а и нафтиламина ( б, адсорбированных на окиси алюминия и алюмосиликатных пористых кристаллах. [36] |
Поверхностные соединения являются продуктами взаимодействия молекул ароматических углеводородов с акцепторными центрами поверхности адсорбентов. [37]
Совершенно очевидно, что если в материал не удается ввести акцепторные центры, а донорные центры легко образуются, то материал будет д-типа. Возможен также случай, когда материал содержит акцепторные центры, но их энергия ионизации столь велика, что акцепторные свойства не проявляются. [38]
При хемосорбции реагентов и продуктов реакции на поверхности катализатора возникают донорные и акцепторные центры, вследствие чего изменяется количество свободных электронов и дырок в поверхностном слое. [39]
То же самое происходит и в том случае, когда акцепторные центры полупроводника р-типа связываются с электронодонорным ад-сорбатом. В результате под действием объемного заряда устанавливается предел адсорбции. [40]
Пикратные соединения ( с углеводородами) получаются в результате взаимодействия акцепторных центров одной или нескольких нитрогрупп с одним или несколькими донорными центрами. [41]
Примеси, дефекты решетки, выступающие в роли донорных или акцепторных центров, находящиеся как в объеме кристаллов, так и на их поверхности, приводят к образованию локализованных энергетических состояний, расположенных в запрещенной зоне. Способы построения волновых функций основного состояния донорных центров рассмотрены в обстоятельном обзоре [1148] и цитируемых в нем работах. [42]
 |
Значения параметров s и т в формулах - для концентраций дефектов в примесном нестехиометрическом соединении МХГ б. [43] |
Решения этой группы предполагают, что основная часть до-норных или акцепторных центров находится в нейтральной форме и только незначительная их доля ионизована. [44]
Страницы: 1 2 3 4