Cтраница 4
В случае адсорбции на поверхности адсорбентов и катализаторов, обладающих акцепторными центрами ( окись алюминия, алюмосиликагели, декатионированные цеолиты и цеолиты с многозарядными катионами), молекул с низким потенциалом ионизации ( многоядерные углеводороды, ароматические амины и др.) возможна передача молекулой этому электроноакцепторному центру поверхности одного электрона. [46]
До-норные молекулы, как уже отмечалось, вытесняют радикал I с акцепторных центров; в спектре ЭПР сразу после напуска небольших порций паров донорных веществ появляется вклад триплета, соответствующего адсорбированным, но не связанным в комплекс с ионами А13 молекулами I. Мигрируя по поверхности, молекулы I снова связываются в комплекс с имеющимися свободными акцепторными центрами, мультиплетный спектр постепенно восстанавливается. Распределение молекул I по поверхности становится в результате более равномерным, доказательством чего служит улучшение разрешенное СТС мультиплетного спектра и увеличение СВЧ-насыщения образца. После закрепления молекул I на акцепторных центрах относительно быстрые изменения в системе заканчиваются. [47]
Кроме того, экспериментальные данные Дюстерхефта [29] указывают на уменьшение концентрации акцепторных центров при отжиге до 350, чего и следовало ожидать, исходя из представлений о замороженных вакансиях теллура как об акцепторных центрах. Поэтому, видимо, модель Фрицше правильна. [48]
![]() |
Вероятные положения электронных энергетических уровней в AgBr ( или AgCl, легированном серой. [49] |
Рассмотрим вещества с относительно глубокими до-норными и акцепторными уровнями, в которых донор-ные и акцепторные центры ионизированы не полностью. Так обстоит дело, например, в галогенидах серебра и щелочных металлов, где / Cs ( или К. Вероятные положения энергетических уровней показаны на рис. XVI. [50]
В таком подходе трудно сопоставить потенциальную спосс5ность к взаимодействию различных донорных или акцепторных центров между собой. По крайней мере на первом этапе разрг5отки количественного подхода оценки и предсказания взаимодействия сложных биологически активных молекул с рецепторами необходимо более простое соотношение. В качестве такого можно рассматривать уравнение Иогансена, согласно которому энтальпия комплексообразования пропорциональна про-изведяию только двух безразмерных величин: фактора г-кислоты ( акцептора Pt) и фактора / - основания ( донора Е): АН - lffnP ( Ej, где АНп - коэффициент, определяемый по ка-кому-иябо стандартному комплексу. [51]
Максимум активности А1203 - П вероятно, можно связать с увеличением концентрации донорных и акцепторных центров. [52]
По их оценке изменение эн - альпии при перемещении радикала с ОН-группы на акцепторный центр составляет - 20 кДж / моль. [53]
За меру концентрации акцепторных центров принимается поверхностная концентрация пиридина, при которой завершается заполнение акцепторных центров. Этим методом была определена акцепторная способность у - АЬОз, активированного в широком интервале температур. [54]
Возможность управления параметрами голографической записи в легированных электрооптических кристаллах обусловливает необходимость детального исследования природы донорных и акцепторных центров, возникающих при вводе примесей. [55]
Первые эксперименты такого типа были выполнены Генри и др. [4.30] в кристаллах Gap, содержащих акцепторные центры Zn и Mg. Они наблюдали пять линий или полос: Л, А В, С и D, четыре из которых схематически представлены на фиг. [56]
Оксид меди ( I) является обычно дырочным полупроводником из-за примеси атомов кислорода, создающего акцепторные центры в нем. С увеличением парциального давления кислорода над полуоксидом меди увеличивается его проводимость, что типично для оксидов с дырочной проводимостью. Оксид меди ( I) в обычных условиях находится в термодинамически неравновесном состоянии ( закаленное состояние) с некоторым избытком кислорода сверх стехиометрического. В равновесном же состоянии сверхстехиометрическое со - держание кислорода в нем меньше и проводимость тоже меньше. [57]