Примесный центр

Cтраница 1

Примесные центры, способные захватывать подвижные носители заряда и способствовать таким образом их рекомбинации, называют рекомбинационными ловушками. [1]

Выпрямление на полупроводниковом. [2]

Примесные центры вблизи поверхности, которые ранее были захвачены электронами из заполненной зоны, теперь создают область отрицательного заряда, который на поверхности металла наводит положительный заряд. [3]

Примесные центры являются ловушками для электронов и дырок, что способствует образованию зародышей скрытого изображения, а также уменьшает вероятность рекомбинации. [4]

Примесные центры, которые при возбуждении могут захватить электрон из валентной зоны, создавая в ней положительно заряженные дырки, называются акцепторами. [5]

Примесные центры могут быть многозарядными. Переходы электронов из основного состояния примеси в возбужденное приводят к появлению в спектре примесного поглощения нескольких полос. [6]

Примесные центры, способные захватывать подвижные носители заряда и способствовать таким образом их рекомбинации, называют рекомбинационными ловушками. [7]

Обычно простые примесные центры могут находиться в решетке полупроводника в двух состояниях: нейтральном и однократно заряженном. В зависимости от возможного знака заряда однократно заряженного центра различают доноры - центры, которые могут быть однократно положительно заряжены, и акцепторы - центры, которые могут быть однократно отрицательно заряжены. [8]

Ионизация примесных центров под действием квантов света, или фотоионизация, проявляется в спектрах поглощения. Для мелких водородоподобных примесных центров значение энергии ионизации Е дается формулой (2.52) при значении квантового числа и1 и имеет порядок 0 01 эв. [9]

Внесение примесных центров вызывает в полупроводниках стабильные изменения проводимости заранее предусматриваемого характера. [10]

Формирование примесных центров в процессе второго созревания состоит. [11]

Влияние на изменение S в начале первого созревания. [12]

Формирование примесных центров начинается с возникновения простейших частиц серебра ( первичных молекулярно-коллоидных центров), которые укрупняются и при дальнейшем росте переходят в кристаллические зародыши с металлической связью. [13]

Возникновение примесных центров в стадии первого созревания происходит, очевидно, в разные моменты кристаллизационного процесса, следовательно, по мере их образования они будут зарастать галогенидом серебра. [14]

Для многовалентных примесных центров, которые при последовательной ионизации отдают или принимают электроны в каждом зарядовом состоянии, дающем свой уровень в запрещенной зоне, имеются свои значения факторов вырождения. [15]

Страницы: 1 2 3 4