Примесный центр

Cтраница 3

Уровни энергии экситона.| Примесное поглощение алюминия в решетке кремния ( Na - концентрация примеси. [31]

Кроме основных состояний примесные центры могут иметь и энергетические уровни возбуждения. [32]

Около 300 К примесные центры почти полностью ионизированы, и концентрация носителей тока постоянна. [33]

Предполагалось, что примесные центры образуются под действием восстановительной функции желатины. [34]

Эффективность рекомбинации через примесный центр в первую очередь определяется вероятностью захвата электрона или дырки этим центром. Однако эта вероятность еще не определяет однозначно вероятности рекомбинации. Действительно, захваченный центром электрон ( дырка) имеет две возможности: либо рекомбинировать со свободной дыркой ( электроном), либо быть выброшенным тепловым движением из центра обратно в зону ( последний процесс не рассматривался нами в гл. [35]

Переход электрона на глубокий примесный центр и с этого центра в валентную зону также может сопровождаться излучением кванта соответствующей энергии. Однако вероятность таких излучательных переходов в Ge и Si тоже невелика. [36]

Благодаря противоположному заряду примесных центров в этом случае ( как и в других) наблюдается значительное увеличе-лие растворимости примесей при их совместном присутствии. [37]

Что касается роли примесных центров в эмульсионных микрокристаллах при образовании скрытого изображения, то в настоящее время имеются основания считать справедливыми все три точки зрения - Шеппарда, Тоя и Хикмана. [38]

Локальный характер расположения примесных центров заставил предполагать, что они создаются преимущественно в местах собственных дефектов микрокристаллов [29], обладающих повышенной реакционной способностью. Впоследствии это положение было доказано в работе [30] в отношении вуалеобразования. Кроме того, из работы [31] следует, что простейшие ( начальные) центры могут возникать в стадии физического созревания. [39]

Условия для существования примесных центров могут быть созданы различными способами, ( а) Замещение атома основной решетки на элемент с нормально большей валентностью вызывает появление избыточного положительного заряда и связанного с ним электрона. Наиболее ярким примером примесей этого типа являются примеси в германии и кремнии. В ряду углерод, кремний и германий образуются ковалентные структуры с алмазной решеткой. Тепловое воздействие посредством фононного механизма может вызывать появление собственной проводимости в этих веществах. Однако если элемент с валентностью, которая нормально больше четырех, замещает атом в такой решетке, то плотность его электронного облака будет стремиться принять тетрагональное распределение, характерное для алмазной решетки. Чтобы была достигнута такая форма распределения электронного облака, элемент образует частично ионные связи, причем получается однократно заряженный ион совместно с квазисвободным электроном, расположенным около атома примеси. Энергия связи этого электрона меньше энергии связи в вакууме в К. Следовательно, такие дефекты в основном ионизированы. Это характерно для полупроводников я-типа. Замещение атома в решетке полуметалла на элемент с валентностью, нормально более низкой, производит эффект, обратный только что рассмотренному. Для того чтобы распределение электронного облака было близким к тетрагональному, элемент должен приобрести добавочный электрон, который он получает из кристаллической решетки вблизи от своего местоположения. В результате образуется положительная дырка, локализованная около атома примеси. Как и ранее, энергия связи положительных дырок станет меньше в / С раз и, следовательно, дырки будут в основном ионизированы. Это типично для примесных дырочных полупроводников, ( в) Вакансии в решетке и атомы или ионы в междуузлиях. Так как дефекты решетки подробно рассматриваются в другой главе этой книги ( гл. [40]

Для объяснения функций примесных центров при образовании скрытого изображения необходимо учитывать следующее обстоятельство. Хотя спектр поглощения центров распространяется на всю видимую область, однако влияние первичных ( простейших) центров на спектральную светочувствительность сосредоточено в пределах полосы собственного поглощения галогенида серебра. [41]

При неполной ионизации примесных центров Хд зависит от темп-ры. Исследования % s позволяют судить о механизме внедрения примесных атомов в кристаллич. [42]

Передача энергии возбуждения примесным центрам, которые затем люминесцируют или переходят в основное состояние безызлучательно вследствие взаимодействия возбужденного электрона с колебаниями решетки. [43]

Горячая люминесценция испускается примесным центром в кристаллах и в ходе его релаксации с верхних колебательных уровней на нижние. [44]

Распределение потенциала при. [45]

Страницы: 1 2 3 4