Рекомбинационный центр
Cтраница 2
Во всех процессах рекомбинации с участием рекомбинационных центров ( см. переходы 2, 2а, 3, 4 на рис. 49) в качестве конкурирующего с рекомбинацией процесса выступают процессы обратного теплового выброса связанных на локальных центрах носителей обратно в соответствующую разрешенную зону. Так, электрон, захваченный на уровень Et в переходе 2 или на уровень Etl в переходе 3, может быть тепловым движением снова освобожден и переброшен обратно в зону проводимости. Аналогично дырка, захваченная на уровень Et в переходе 2а или на уровень Etl в переходе 3, может быть освобождена тепловым движением и переброшена в валентную зону. [16]
Данная работа и посвящена изучению эффекта нейтрализации поверхностных рекомбинационных центров на германии. [17]
 |
Теоретическая кривая зависимости поверхностной проводимости полупроводника n - типа от изгиба зон. [18] |
Рассмотрим полупроводник, в запрещенной зоне которого имеются поверхностные рекомбинационные центры. Пусть в этом полупроводнике генерируются неравновесные носители заряда. Aps, где / n / P - электронная и дырочная составляющие тока, текущего к поверхности. [19]
Поверхностные состояния способствуют накоплению заряда и играют роль рекомбинационных центров; кроме того, при их участии происходит туннелирование носителей. Вследствие этого эффекта значительно усиливается электрон-электронное рассеяние. [20]
 |
Зависимость избыточной концентрации электронов от времени. [21] |
Предположим, что рекомбинация идет через один тип рекомбинационных центров и уровень инжекции невысокий. [22]
 |
Схема электронных переходов для различных механизмов рекомбинации. [23] |
Локальные центры, участвующие в рекомбинации, называются рекомбинационными центрами. Схемы переходов 2 и 2а описывают рекомбинацию электронно-дырочной пары, когда один из носителей заряда в этой паре свободен, а другой связан на локальном ре-комбинационном центре. Может быть реализована ситуация, когда в рекомбинирующей паре электрон-дырка оба носителя связаны с различными рекомбинационными центрами. [24]
 |
Схема электронных переходов для различных механизмов рекомбинации. [25] |
Локальные центры, участвующие в рекомбинации, называются рекомбинационными центрами или ловушками рекомбинации. [26]
 |
Схема электронных переходов для различных механизмов рекомбинации. [27] |
Локальные центры, участвующие в рекомбинации, называются рекомбинационными центрами. Схемы переходов 2 и 2а описывают рекомбинацию электронно-дырочной пары, когда один из носителей заряда в этой паре свободен, а другой связан на локальном ре-комбинационном центре. Может быть реализована ситуация, когда в рекомбинирующей паре электрон-дырка оба носителя связаны с различными рекомбинационными центрами. [28]
 |
Влияние никеля на время жизни носителей заряда в германии для различных значений удельного сопротивления. [29] |
Некоторые примеси даже в концентрации 10 % являются эффективными рекомбинационными центрами. [30]
Страницы: 1 2 3 4