Рекомбинационный центр

Cтраница 3

В образцах Ge с различными п и р0 имеются простые рекомбинационные центры с Nt 2 1013 см - При 300 К в монополярном n - Ge время жизни т - т4 8 икс, при ро Рог Ю15 см-3 время жизни т - та 26 икс, а максимальное т было т тмако - 91 мко. [31]

Были сделаны попытки построить такую теорию в предположении водородоподобной модели рекомбинационного центра. [32]

Это обусловливается тем, что с ростом концентрации избыточных носителей заряда рекомбинационные центры насыщаются, время жизни носителей и, следовательно, коэффициент передачи тока через базу транзистора возрастает. [33]

Схема прямой рекомбинации носителей заряда ( а и рекомбинации через акцепторный ( б и донорный ( в уровни.. [34]

Эффективность рекомбинации через ловушку определяется не только вероятностью захвата носителя заряда рекомбинационным центром, но и вероятностью обратных тепловых перебросов в энергетические зоны. [35]

Следует заметить, что приведенный выше расчет основан на предположении, что рекомбинационным центрам соответствует только одно значение энергии. В настоящее время из-за встретившихся трудностей случай многих рекомбинационных центров с различными энергиями еще не полностью изучен. [36]

Таким образом, уровни дефектов, связанные с титаном и ванадием, - наиболее эффективные рекомбинационные центры в кремнии. [37]

Зависимость f ( b от нормированного напряжения смещения qVKkT [ Choo, 1968 ]. теории Чу и СНШ обеспечивают приблизительно одинаковые результаты для р - п-перехода, представленного кривой 1.| Асимметричный гомогенный переход с неоднородным распределением рекомбинациониых центров, в данном случае связанных с состояниями на границе раздела. [38]

До сих пор мы рассматривали приборы с р - - переходом, в которых рекомбинационные центры, образующие единственный - энергетический уровень, были распределены равномерно по всему объему. Взаимное расположение уровней EFn, EFp, ET и EI определяется скоростью рекомбинации U ( x) носителей заряда и, следовательно, значением общего тока, протекающего через р-и-переход. [39]

Изменение заряда, захва - [ IMAGE ] Изменение скорости поверхно. [40]

В наших опытах отличием действия паров эфира от других испытывавшихся жидкостей является неполная нейтрализация рекомбинационных центров, введенных прогревом в вакууме при температуре 500 К. Этот результат уже нельзя объяснить незавершенностью процесса адсорбции, так как упругость паров эфира очень велика ( см. таблицу), а последние измерения сделаны через четверо суток после запуска на образец паров эфира. Кроме того, экспериментальные точки хорошо ложатся на прямую smax - а4 - вг /, с тем, однако, отличием от случая нитробензола, что эта прямая не проходит через начало координат, а пересекает ось ординат в точке smax 400 см / сек. [41]

Метод емкостной спектроскопии глубоких уровней позволяет определять энергетические характеристики, концентрацию и сечение захвата рекомбинационных центров, связанных с глубокими уровнями в запрещенной зоне полупроводников [25-32], а также идентифицировать ловушки для неосновных и основных носителей заряда. Кроме того, с помощью этого метода можно обнаружить центры как излучательной, так и безызлу-чательной рекомбинации, заключенные в широком интервале энергий внутри запрещенной зоны. Кроме того, метод дает возможность определения пространственного распределения примесей, образующих глубокие уровни. Наконец, в отличие от того, что реализуется для других термостимулированных методов измерения параметров глубоких уровней, величина выходного сигнала не зависит от скорости нагрева или охлаждения образца. Максимум амплитуды сигнала наблюдается всегда при одной и той же температуре, и его величина определяется только частотой, на которой проводят измерения. [42]

Может быть реализована ситуация, когда в рекомбинирующей паре электрон-дырка оба носителя связаны с различными рекомбинационными центрами. Интерпретация перехода 3 может быть, например, такой: электрон из зоны проводимости захватывается на уровень Etl и дырка из валентной зоны на уровень Е ( г. Затем происходит рекомбинация посредством перехода электрона с уровня Etl на уровень Ets или, что эквивалентно, посредством перехода дырки с уровня Et2 на уровень Etl. Экситон, как указывалось в разделе 2, может рассматриваться как связанная пара электрон-дырка. [43]

Процессы рекомбинации в приповерхностных областях, где происходит резкое нарушение кристаллической структуры и повышение концентрации рекомбинационных центров, характеризуются скоростью s поверхностной рекомбинации. [44]

Аналогично в легированном кристалле р-типа время жизни будет определяться концентрацией центров рекомбинации и вероятностью захвата электрона рекомбинационным центром. Следовательно, величины lA / V / Yp и / Ntyn имеют смысл времен жизни неосновных носителей заряда в легированных полупроводниках. [45]

Страницы: 1 2 3 4