Рекомбинационный центр

Cтраница 4

Технология получения полупроводниковых материалов, разработанная в настоящее время, не позволяет избежать преобладающей рекомбинации на рекомбинационных центрах при А. Таким образом, в материалах, технология получения которых недостаточно совершенная или в которые специально добавлены примеси с глубокими уровнями, рекомбинация через примесные центры будет преобладать над межзонной рекомбинацией даже в случае, когда A. [46]

Как и ранее, рассмотрим зонную схему фотопроводника ( рис. 92), имеющего в запрещенной зоне рекомбинационные центры S, обеспечивающие значительно большее время жизни электронов тл в с-зоне по сравнению с временем жизни дырок тр в г - зоне, так что фотопроводимость можно считать чисто электронной. [47]

Бомбардировка образцов р - и n - типа электронами с энергией 11 мэВ приводит к увеличению числа рекомбинационных центров, не изменяя их природы. [48]

Сопоставляя эти факты, логично сделать вывод о том, что электрическое поле диполя, подошедшего к рекомбинационному центру, настолько резко меняет его сечения захвата носителей тока, что центр становится медленным поверхностным состоянием. [49]

Зависимость люминесценции J некоторых халькогенидных стеклообразных полупроводников от температуры. [50]

В модели, предложенной Коломийцем и сотрудниками [675, 676], электроны из зоны проводимости или дырки из валентной зоны захватываются рекомбинационными центрами вблизи середины запрещенной зоны, и в результате возникает люминесценция. [51]

Обратимость характеристик поверхности в цикле прогрев - выдержка в парах воды наводит на мысль о том, что за нейтрализацию рекомбинационных центров ответственна вода, физически адсорбированная на поверхности германия. Поскольку вода является полярной жидкостью, то в случае физической адсорбции молекула воды, подходя достаточно близко к рекомби-национному центру, может своим электрическим полем изменить параметры этого центра так, что он перестанет осуществлять рекомбинацию. Однако нельзя исключить и возможность химических взаимодействий, так как вода, с одной стороны, растворяет пленку окиси, с другой, может связываться на поверхности, образуя гидроокись германия. [52]

Тр и тп - время жизни дырок и электронов в области объемного заряда перехода, зависящее от природы и концентрации рекомбинационных центров. [53]

Как было отмечено А. В. Ржановым [9], экспериментальные кривые зависимости s3 от ij) не могут быть объяснены, если предположить наличие рекомбинационных центров одного типа. [54]

Обычно для регулирования жизни дырок в n - базе ( тр) применяется высокотемпературное введение атомов золота, которые создают в кремнии рекомбинационные центры. Поскольку с концентрацией атомов золота и связана величина тр, то естественно, что она переменна по объему п-базы. [55]

Сложная связь времени жизни т неосновных носителей заряда и температуры обусловлена тем, что на г оказывают влияние взаимное положение энергетических уровней рекомбинационных центров и квазиуровней Ферми, а также температурная зависимость сечений захвата этих центров. [56]

Концентрация рекомбинационных центров Nt полагается настолько малой, что можно не учитывать изменения концентрации свободных носителей в разрешенных зонах при любом заполнении рекомбинационных центров захваченными носителями. [57]

Страницы: 1 2 3 4