Сурьмянистый индий

Cтраница 2

Измерение электрофизических параметров полученных электролизом и отожженых пленок сурьмянистого индия показало, что полученные пленки характеризуются проводимостью п-типа. [16]

Материалы полупроводниковых лазеров. [17]

В качестве активного вещества используют также фосфид галлия, сурьмянистый индий, сурьмянистый галлий, арсенид-фосфид-галлия и др. Один из первых образцов полупроводниковых лазеров был представлен на Лейпцигской ярмарке в. Он имеет марку Луч-3. [18]

За последние годы появились сведения о получении монокристаллических слоев сурьмянистого индия методом кристаллизации из расплава. Как в первом, так и во втором случае поликристаллическая пленка предварительно окисляется для создания окис-ного слоя 1н20з, который предохраняет пленку от сворачивания в капли в момент плавления. [19]

В работе [399] был более детально исследован интервал концентраций вблизи сурьмянистого индия. [20]

Наиболее сильно изменяется сопротивление при деформациях у германия, кремния, сурьмянистого индия, арсенида галлия, фосфида индия. [21]

Только после прогрева осадков при 450 в атмосфере водорода происходит увеличение количества сурьмянистого индия и снижение количества отдельных компонентов. [22]

Открытие было сделано в процессе исследования воздействия миллиметрового и субмиллиметрового излучения на электропроводность сурьмянистого индия / г-типа при гелиевых температурах. Оно дало возможность существенно продвинуть исследования вперед и установить условия, при которых эффект разогрева проявляется наилучшим образом. [23]

Схема установки для выращивания монокристаллов методом Чохральского. [24]

К материалам, идущим на изготовление полупроводниковых приборов ( германию, кремнию, сурьмянистому индию и др.), предъявляется ряд специфических требований. Во-первых, содержание примесей в них должно быть очень небольшим и строго контролируемым и, во-вторых, они должны обладать монокристаллической структурой. Второе требование обусловлено тем, что границы между отдельными зернами в поликристаллических полупроводниках оказывают сильное влияние на движение носителей заряда, вызывают неконтролируемые изменения в потоках электрических зарядов и резко ухудшают работу приборов. Однако и монокристалл может иметь множество внутренних нарушений, если не создать надлежащих условий при его выращивании. Эти условия определяются выбором метода и режимов выращивания. [25]

В работе [74] приводятся данные о влиянии освещения на микротвердость германия, кремния и сурьмянистого индия. В табл. 12 и 13 приведены некоторые свойства германия. [26]

Другие полупроводники практически не могут быть применены для диодов, за исключением мышьяковистого галлия и сурьмянистого индия, которые применяют для туннельных диодов и варикапов. [27]

Иногда применяется для изготовления датчиков Холла сурьмянистый индий, мышьяковистый индий, а также сплав сурьмянистого индия и сурьмянистого галлия. Однако датчики, изготовленные из этих материалов, имеют сильную зависимость сопротивления и коэффициента Холла от температуры и величины магнитного поля. Это ограничивает их применение. [28]

Наряду с металлами для тензопреобразователей применяются и полупроводниковые материалы, такие как кремний, германий, сурьмянистый индий и другие тензочувствительность которых на один-два порядка выше, чем у металлов. [29]

Блок-схема установки для регистрации изменения пропускания в заданной точке спектра. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5