Сурьмянистый индий

Cтраница 3

ФЭУ-28) и инфракрасную область ( 1 - 3 5мкм), где используется приемник из сурьмянистого индия. В этом случае под спектром подразумевается один из этих участков. [31]

Характеристика некоторых типов параметрических, диодов. [32]

В усилителях получены значения Гш40 - 60 К, а при использовании охлаждаемого циркулятора и диода из сурьмянистого индия ГШЮК. Дальнейшее уменьшение шумовой температуры ПУ может быть достигнуто путем охлаждения диодов до температуры жидкого гелия. [33]

Зависимость сопротивления и коэффициента Холла от температуры у германия выражена сильнее, чем у мышьяковистого индия, но значительно слабее, чем у сурьмянистого индия. [34]

В области гелиевых температур от 4 К и ниже действи тельно удалось наблюдать циклотронный резонанс свободных электронов и дырок в германии, кремнии и сурьмянистом индии. [35]

На рис. 6 - 4, а приведены экспериментальные кривые изменения от температуры коэффициента Холла и сопротивления элементов из наиболее распространенных в практике материалов - сурьмянистого индия и германия. На рис. 6 - 4, б показаны зависимости сопротивления образца из сурьмянистого индия от магнитной индукции, снятые при различных температурах. [36]

Электрические параметры туннельных диодов из арсенида галлия приведены в табл. 1.8, а из германия - в табл. 1.9. Хорошие частотные параметры имеют туннельные диоды на основе сурьмянистого индия, но из-за малой ширины запрещенной зоны они нуждаются в охлаждении. [37]

Полупроводники с решеткой алмаза, характеризующейся четырьмя направленными ковалентными связями; к этому типу принадлежат алмаз, кремний, германий, серое олово и соединения элементов, равноотстоящих от четвертой группы, вроде селенистой ртути, сурьмянистого индия. [38]

Устройство охлаждаемых приемников. [39]

На чувствительный слой методом напыления наносят из золота электроды, к которым припаивают выводы. Приемники из легированного германия, сурьмянистого индия, арсенида галлия, арсенида индия и др. изготовляют из кристаллов. [40]

Схемы для компенсации неэквипотенциальности выходных электродов. [41]

Эти соединения обладают большим значением подвижности электронов [ около К) 4 см 2 / ( В-с) даже при малых толщинах пленок. Для изготовлении преобразователей Холла применяют также сурьмянистый индий InSh соединение типа A BV, имеющее рекордно высокую подвижность электронов, и другие материалы. [42]

Схемы для компенсации неэквипотенциальности выходных электродов. [43]

Эти соединения обладают большим значением подвижности электронов [ около 104 см2 / ( В-с) ] даже при малых толщинах пленок. Для изготовления преобразователей Холла применяют также сурьмянистый индий InSb - соединение типа A BV, имеющее рекордно высокую подвижность электронов, и другие материалы. [44]

Схемы диодного датчика температуры.| Электролитические датчики. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5