Cтраница 4
Наиболее употребительным материалом для магнитоомических датчиков является висмут. Кроме того, применяются полупроводниковые материалы - сурьмянистый индий и селенистая ртуть. [46]
Эти двойные соединения оказались весьма оригинальны - ИИ. В самой тяжелом из них, в сурьмянистом индии InSb, обнаружилась подвижность носителей тока, значительно превосходящая все известные значения для какого-либо из веществ. Арсеяяд галлия GaAs, сосед германия и его двойной аналог, обнаружил такое выгодное для практики сочетание свойств, что очень скоро стал для электроники материалом номер один. [47]
Из теоретических соображений, имеющихся в настоящее время, следует, что токовый шум не должен, по-видимому, играть определяющей роли в отношении чувствительности. Как указывается в следующем разделе, в случае сурьмянистого индия, например, токовый шум вообще не наблюдается. [48]
![]() |
Схема получения монокристаллов фосфида. [49] |
На стенках печи кристаллизуется из газовой фазы фосфид галлия. Из ряда таких полупроводников ( табл. 14.3) рассмотрим свойства сурьмянистого индия. [50]
![]() |
Таблиц 2. Библиографий 17. [51] |
Предсказано аналогичное расщепление уровней Аи, Ag и Си в сурьмянистом индии. [52]
Направления тока, вектора магнитной индукции и ЭДС Холла взаимно перпендикулярны. Для изготовления преобразователей Холла в настоящее время применяют полупроводники ( германий, сурьмянистый индий, мышьяковистый индий и др.), так как они дают значительно большую ЭДС Холла, чем металлы. [53]
На рис. 6 - 4, а приведены экспериментальные кривые изменения от температуры коэффициента Холла и сопротивления элементов из наиболее распространенных в практике материалов - сурьмянистого индия и германия. На рис. 6 - 4, б показаны зависимости сопротивления образца из сурьмянистого индия от магнитной индукции, снятые при различных температурах. [54]
![]() |
Зависимости сопротивления полупроводниковых элементов различной формы от напряженности магнитного поля.| Полупроводниковый элемент датчика изменения сопротивления. [55] |
Степень изменения сопротивления полупроводника в магнитном поле зависит от его формы. На рис. 6 - 7 приведены кривые зависимости сопротивления полупроводниковых образцов из сурьмянистого индия различной формы от напряженности магнитного поля. [56]
Мы полагаем, что аналогичное расщепление должно быть и во многих других случаях. В частности, основное состояние примесных атомов золота, серебра и меди в сурьмянистом индии, по нашим оценкам, должно быть расщеплено на величину того же порядка. [57]
Более подробно исследовано взаимодействие в системе AgInTe2 - InSb. Установлено, что структура халькопирита в которой кристаллизуется соединение AgInTe2, под воздействием растворения в сурьмянистом индии разупорядочивается, и в сплавах осуществляется статистическое распределение двух сортов атомов ( Ag и In) по местам, соответствующим положениям катионов, и двух сортов атомов ( Sb и Те) - по местам анионов в решетке сфалерита. [58]
Более подробно исследовано взаимодействие в системе AgInTe2 - InSb. Установлено, что структура халькопирита, в которой кристаллизуется соединение AglnTej, под воздействием растворения в сурьмянистом индии разупорядочивается, и в сплавах осуществляется статистическое распределение двух сортов атомов ( Ag и In) по местам, соответствующим положениям катионов, и двух сортов атомов ( Sb и Те) - по местам анионов в решетке сфалерита. [59]
![]() |
Устройство преобразователя ле, то между точками X-X воз. [60] |