Сурьмянистый индий - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Если существует искусственный интеллект, значит, должна существовать и искусственная тупость. Законы Мерфи (еще...)

Сурьмянистый индий

Cтраница 4


Наиболее употребительным материалом для магнитоомических датчиков является висмут. Кроме того, применяются полупроводниковые материалы - сурьмянистый индий и селенистая ртуть.  [46]

Эти двойные соединения оказались весьма оригинальны - ИИ. В самой тяжелом из них, в сурьмянистом индии InSb, обнаружилась подвижность носителей тока, значительно превосходящая все известные значения для какого-либо из веществ. Арсеяяд галлия GaAs, сосед германия и его двойной аналог, обнаружил такое выгодное для практики сочетание свойств, что очень скоро стал для электроники материалом номер один.  [47]

Из теоретических соображений, имеющихся в настоящее время, следует, что токовый шум не должен, по-видимому, играть определяющей роли в отношении чувствительности. Как указывается в следующем разделе, в случае сурьмянистого индия, например, токовый шум вообще не наблюдается.  [48]

49 Схема получения монокристаллов фосфида. [49]

На стенках печи кристаллизуется из газовой фазы фосфид галлия. Из ряда таких полупроводников ( табл. 14.3) рассмотрим свойства сурьмянистого индия.  [50]

51 Таблиц 2. Библиографий 17. [51]

Предсказано аналогичное расщепление уровней Аи, Ag и Си в сурьмянистом индии.  [52]

Направления тока, вектора магнитной индукции и ЭДС Холла взаимно перпендикулярны. Для изготовления преобразователей Холла в настоящее время применяют полупроводники ( германий, сурьмянистый индий, мышьяковистый индий и др.), так как они дают значительно большую ЭДС Холла, чем металлы.  [53]

На рис. 6 - 4, а приведены экспериментальные кривые изменения от температуры коэффициента Холла и сопротивления элементов из наиболее распространенных в практике материалов - сурьмянистого индия и германия. На рис. 6 - 4, б показаны зависимости сопротивления образца из сурьмянистого индия от магнитной индукции, снятые при различных температурах.  [54]

55 Зависимости сопротивления полупроводниковых элементов различной формы от напряженности магнитного поля.| Полупроводниковый элемент датчика изменения сопротивления. [55]

Степень изменения сопротивления полупроводника в магнитном поле зависит от его формы. На рис. 6 - 7 приведены кривые зависимости сопротивления полупроводниковых образцов из сурьмянистого индия различной формы от напряженности магнитного поля.  [56]

Мы полагаем, что аналогичное расщепление должно быть и во многих других случаях. В частности, основное состояние примесных атомов золота, серебра и меди в сурьмянистом индии, по нашим оценкам, должно быть расщеплено на величину того же порядка.  [57]

Более подробно исследовано взаимодействие в системе AgInTe2 - InSb. Установлено, что структура халькопирита в которой кристаллизуется соединение AgInTe2, под воздействием растворения в сурьмянистом индии разупорядочивается, и в сплавах осуществляется статистическое распределение двух сортов атомов ( Ag и In) по местам, соответствующим положениям катионов, и двух сортов атомов ( Sb и Те) - по местам анионов в решетке сфалерита.  [58]

Более подробно исследовано взаимодействие в системе AgInTe2 - InSb. Установлено, что структура халькопирита, в которой кристаллизуется соединение AglnTej, под воздействием растворения в сурьмянистом индии разупорядочивается, и в сплавах осуществляется статистическое распределение двух сортов атомов ( Ag и In) по местам, соответствующим положениям катионов, и двух сортов атомов ( Sb и Те) - по местам анионов в решетке сфалерита.  [59]

60 Устройство преобразователя ле, то между точками X-X воз. [60]



Страницы:      1    2    3    4    5