Восстановление - тетрахлорид
Cтраница 3
Шефталя с сотрудниками [83], которые первые подробно описали процесс зпитаксиального роста кремния при восстановлении тетрахлорида кремния водородом. [31]
Как на ртутном катоде [19], так и на катоде из стеклоуглерода [20] последовательные волны восстановления тетрахлорида углерода практически совпадают с волнами соответствующих менее хлорированных четанов, при этом в водном растворе на ртути полярографически неактивен уже дихлорметан, в ацето-нитрнле на стеклоуглероде процесс останавливается на стадии образования мстилхлорида, а в диметнлформ амиде на стекло-углероде дехлорируется и он. Однако иногда несколько атомов галогенов восстанавливается одновременно. [32]
Для получения пленок может быть использован также метод разложения GeI2, но более удобно пользоваться восстановлением тетрахлорида германия или кремния водородом, так как йод достаточно летуч и дает менее воспроизводимые результаты. [33]
Таким образом, роль углерода ( из газовой фазы или из подложки) сводится лишь к связыванию титана в карбид после восстановления тетрахлорида водородом. [34]
Шефталь и др. в 1955 г, запатентовали [48], а затем подробно описали [49] метод выращивания эпитаксиальных пленок германия путем восстановления тетрахлорида германия водородом. Именно этот метод нашел в дальнейшем наиболее широкое распространение в технике. [35]
Эффективность масс-спектрометрического контроля загрязнений поверхности может быть продемонстрирована на примере обработанных различными способами подложек и эпнтаксиаль-ных кремниевых пленок, выращенных на этих подложках методом восстановления тетрахлорида кремния в атмосфере водорода. [36]
Технология производства гафниевой губки по методу Кроля подобна таковой для циркония [30] и состоит из следующих технологических операций: получения тетрахлорида хлорированием двуокиси гафния в присутствии углеродсодержащих веществ; очистки его от примесей; восстановления тетрахлорида расплавленным магнием и очистки гафниевой губки. [37]
 |
Схема установки для восстановления кремния из тетрахлорида водородом. [38] |
Для полноты использования тетрахлорида и увеличения выхода кремния реакцию проводят при 50 - 60-кратном избытке водорода против стехиометрии. При восстановлении тетрахлорида водородом получается компактный кремний более высокой степени чистоты, чем при цинктермическом способе. [39]
Слой титана на проволоке постепенно увеличивается. Аналогично ( восстановлением тетрахлоридов) получают цирконий и гафний при переработке обогащенных циркониевых руд. Очищают эти металлы также иодидным методом. [40]
С некоторыми расплавленными металлами-восстановителями реакция вообще осуществляется легко, но часто тормозится вслеч-ствие образования па поверхности металла корочки хлоридов и кремния. Например, при восстановлении тетрахлорида кремния натрием при 200 - 300Э С реакция идет только на поверхности натрия. Нагревание же натрия до 700 - 7оО С в атмосфере тетрахлорида приводит к бурному течению реакции с выделением большого количества тепла, вследствие чего образующийся хлорид натрия расплавляется. [41]
С некоторыми расплавленными металлами-восстановителями реакция вообще осуществляется легко, но часто тормозится вследствие образования на поверхности металла корочки хлоридов и кремния. Например, при восстановлении тетрахлорида кремния натрием при 300 - 400 реакция идет только на поверхности натрия. Нагревание же натрия до 700 - 750 в атмосфере тетрахлгри-рида приводит к бурному течению реакции с выделением большого количества тепла. При этом непрореагировавший натрий переходит в пар, а образующийся хлорид натрия расплаг-ляется. Последнее обстоятельство сильно мешает практическому осуществлению реакции, так как расплавленный хлорид разрушает материал аппаратуры ( кварц, фарфор и др.) - С расплавленным цинком реакция идет хорошо, образующийся кремний растворяется в еще непрореагировавшем цинке и при охлаждении последнего выкристаллизовывается. Однако получающийся при этом кремний загрязнен цинком и содержит спектрально открываемые примеси других металлов, внесенные с восстановителем. [42]
При производстве полупроводниковых приборов применяют метод эпитаксии кремния. Эта эпитаксия производится путем восстановления тетрахлорида кремния или методом эпитаксии в. [43]
Хлоридным методом получают автоэпитаксиальные слои кремния с параметрами, полностью удовлетворяющими требованиям микроэлектроники при производстве БИС. В основе метода лежит процесс восстановления тетрахлорида кремния SiQ4 водородом. Парогазовая смесь образуется при пропускании водорода через испаритель с тетрахлоридом кремния, термостатированный при температуре, обеспечивающей необходимое парциальное давление пара SiQ4 в смеси. [44]
В ней по существу были предопределены направления дальнейших исследований в области монокристальных полупроводниковых пленок. Осаждение пленок было осуществлено методом восстановления тетрахлоридов кремния или германия водородом. Этот метод получил в последующем широкое развитие и подробно описан далее. [45]
Страницы: 1 2 3 4