Инжек-ция
Cтраница 1
Инжек-ция в электрохимическую систему заряда Ад достигается соединением электрода с эталонным конденсатором, предварительно заряженным до определенной разности потенциалов. В результате этого потенциал электрода резко смещается относительно Ер на величину t 0 - Aq / Cr где С - емкость двойного слоя. Затем по мере протекания электрохимической реакции потенциал постепенно возвращается к своему равновесному значению. [1]
Инжек-ция моноэнергичных частиц произведена на фронте волны. [2]
 |
Схемы горелок. [3] |
Инжек-цией называется подсос ацетилена в камеру смешения струей кислорода. Горелки этого типа имеют семь сменных наконечников, служащих для регулирования мощности пламени. [4]
При высоком уровне инжек-ции доля инжектированных в базу дырок в общей концентрации подвижных носителей зарядов оказывается весьма значительной и объемное сопротивление базы может заметно уменьшиться. Это явление называют модуляцией сопротивления базы. [5]
 |
Зависимость расходимости качественного пучка излучения ИГ от увеличения его резонатора. / - РИЗл ( зг - 0. 2. [6] |
Режим работы с инжек-цией более эффективен, чем режим без нее. Мощность излучения в качественном пучке возрастает в 1 8 раза, а соотношение сигнал-шум - в 2 6 раза. [7]
 |
Структура и условное графическое обозначение.| Процессы в плоскостном транзисторе р-п-р-типа. [8] |
Этот процесс называется инжек-цией дырок. [9]
Для режима насыщения характерна двусторонняя инжек-ция неосновных носителей через эмиттерный и коллекторный переходы, включенные в прямом направлении. При этом каждый переход не только инжектирует неосновные носители в базу, но и собирает подходящие к его границе носители, инжектированные в базу соседним переходом. В режиме насыщения при том же токе эмиттера ток базы больше, чем в активном режиме [ см. (4.6) ], так как он имеет дополнительные слагаемые, связанные с инжекцией дырок из базы в коллектор и рекомбинацией электронов, инжектированных из коллектора в базу. [10]
Эффективность эмиттера оценивается коэффициентом инжек-ции уи. [11]
В несимметрично легированном р-л-переходе происходит инжек-ция преимущественно в сторону слабо легированной области, например р-л - переход ( знак означает сильное легирование) является хорошим инжектором электронов вр-область. [12]
Рассмотрим основные величины, определяющие инжек-цию неосновных носителей и их дальнейшее движение. [13]
В полях высокой напряженности происходит также инжек-ция носителей зарядов ( электронов, дырок), к-рые образуют поверхностные заряды со знаком, противоположным знаку поляризационного заряда. Эффективная поверхностная плотность зарядов составляет а фф а / - Р, где а / - инжектированный заряд. [14]
Интенсивная рекомбинация в прелое и отсутствие инжек-ции делают повышение концентрации носителей в области омического контакта редким явлением. [15]
Страницы: 1 2 3 4