Инжек-ция

Cтраница 2

Распределение неравновесных дырок и электронов при высоких уровнях инжекции в базовых слоях р-п-р-п структуры. [16]

При токах, соответствующих высоким уровням инжек-ции в базе п, падение напряжения на этой базе может оказаться существенным и его следует учитывать. Падения же напряжения на базе pz и на эмиттерных слоях по-прежнему остаются пренебрежимо малыми. [17]

При сжигании природных газов весовой коэффициент инжек-ции в кинетических горелках не менее 12, поэтому даже при работе на подогретом воздухе температура смеси близка к температуре воздуха, тем более что в пределах горелки всегда имеет место некоторое дополнительное нагревание из-за излучения топки. [18]

Для уменьшения запирающего тока снижают коэффициент инжек-ции р-эмиттера и коэффициент переноса инжектируемых этим эмиттером дырок через n - базу. В выпускаемых отечественной промышленностью, тиристорах 2У206А ток запирания не превышает 20 мА при импульсе анодного тока до 20 А. Тиристор имеет рассеиваемую мощность 1 4 Вт, наибольшее анодное прямое напряжение 50 В. [19]

Схема инжекции. [20]

В первом разделе этой главы приведены законы инжек-ции; на практике они осложняются тем, что инжекция и горение происходят одновременно и что плотность струи отличается от плотности окружающей среды. По этим причинам целесообразно привести нижеследующий пример, который хотя и не дает правильного решения, однако характеризуется достаточной достоверностью, необходимой для того, чтобы инженеры-печники имели представление об условиях хорошей инжекции. [21]

Учитывая рассмотренные выше факторы, влияющие на инжек-цию воздуха, нетрудно установить, что выдерживать при инжек-ционных горелках определенное задаваемое а на протяжении всего диапазона работы горелки ( от минимума до максимума) невозможно. Задаваемое а может быть выдержано только в какой-то одной точке. [22]

Нетривиальным является вопрос о том, как происходит инжек-ция заряженных частиц в ловушки. [23]

Нетривиальным является вопрос о том, как происходит инжек-ция заряженных частиц в ловушки. [24]

Принцип действия полупроводникового лазера на основе р - л-пе-рехода и отсутствие смещения ( а и при смещении в прямом направлении ( 6. [25]

По существу, при смещении в прямом направлении происходит инжек-ция в активный слой электронов из зоны проводимости материала л-типа и дырок из валентной зоны материала р-типа. Как только электрон достигает материала р-типа, он становится неосновным носителем и диффундирует до тех пор, пока не ре-комбинирует с дыркой в валентной зоне. Поэтому толщина активной области d приблизительно равна среднему расстоянию, проходимому электроном до рекомбинации с дыркой. Согласно теории диффузии, толщина d дается выражением d - / Dr, где D - коэффициент диффузии, а т - среднее время существования неосновного носителя до рекомбинации. [26]

При УэО гр в базе имеет место низкий уровень инжек-ции. На этом основании можно сделать ВЫВОД, что низкий уровень инжекции имеет место до токов в несколько миллиампер, что составляет малую часть рабочего диапазона токов. [27]

Таким образом, в базе имеет место режим малого уровня инжек-ции, и по величине тока насыщения можно оценить равновесную концентрацию электронов в слаболегированной области. Она оказалась равной 1012 Нем3, что примерно на два порядка ниже равновесной концентрации электронов в исходном материале. [28]

Контакт полупроводников с одним типом электропроводности.| Накопление неосновных носителей заряда ( дырок вблизи контакта двух полупроводников о электропроводностью я-типа при наличии внешнего электрического поля. [29]

Другой особенностью контакта двух полупроводников с одной электропроводностью является отсутствие инжек-ции неосновных носителей заряда в слаболегированную высокоомную область. Действительно, если внешнее напряжение приложено плюсом к высо-коомной м-области п - п-перехода, что аналогично прямому включению p - n - перехода, то при этом из п - облас-ти в n - область вводятся электроны, которые являются основными носителями. При противоположной полярности дырочный ток из п - области в п-об-ласть аналогичен обратному току через p - n - переход. Однако из-за ничтожно малой концентрации неосновных носителей заряда в сильнолегированной п - области [ см. (1.19) 1 инжекция дырок в высокоомную п-область также оказывается ничтожно малой. [30]

Страницы: 1 2 3 4