Инжек-ция

Cтраница 4

Для характеристики p - n - перехода часто используют величину, называемую эффективностью эмиттера, или коэффициентом инжек-ции. [46]

Изменяя энергию электронов, можно также расширить или наоборот сузить область ионизации, что бывает важно, если изучается инжек-ция носителей из электродов. [47]

В одном из исследований автора было показано, что вольт-амперная характеристика р - пп - диода на высоком уровне инжек-ции в общем случае должна состоять из четырех участков, последовательно сменяющих друг друга. [48]

Термин инжекционное питание означает, что электрическая энергия, необходимая для работы ЛЭ, вводится в кристалл за счет инжек-ции неравновесных дырок в эмиттерную область из инжектора черел инжекторный р-п переход. Этот переход смещают в прямом направлении. Дырки, инжектированные в эмиттерную область, движутся в ней к базовой области за счет диффузии. Их движение создает внутренний базовый ток переключательного транзистора, равный a / v - r / и - Таким образом, токозадающий транзистор VTT моделирует эффект инжекционного питания. [49]

Что касается процессов при прямых напряжениях, то их особенность в p - i переходе состоит в неизбежно высоком уровне инжек-ции. Действительно, при условии ( 2 - 16) избыточная концентрация Ар согласно ( 2 - На) значительно больше, чем рм. Поскольку в собственном полупроводнике пм ргл щ, условие низкого уровня инжекции ( 1 - 109) не выполняется: Ар; ппо. [50]

Смешение потоков, направленных под углом. / - струя воздуха. Л - струя газа. 1П - окружающая. [51]

Анализ процесса, происходящего в инжекторе, показывает, что отношение объемного расхода инжектируемого воздуха к объемному расходу инжектирующего газа, называемое коэффициентом инжек-ции, зависит лишь от соотношения между диаметрами сопла и смесителя, плотности газа по воздуху и гидравлического совершенства смесителя. [52]

Работа выхода электронов из полупроводника ф определяется концентрациями носителей заряда [ см. формулу ( 29) 1 и может быть изменена либо за счет освещения кристалла, либо инжек-цией через р - п ( п - р) переход. Отсюда следует, что концентрация адсорбированных в окисной пленке молекул кислорода зависит от электрических режимов ( например, от плотности протекающего через р - п переход тока), в которых работает полупроводниковый прибор. Время установления равновесия между поверхностью кристалла и окружающей атмосферой составляет при комнатной температуре от двух часов до двух суток. Поэтому после резкого изменения электрического режима, например, после включения полупроводникового прибора, происходит сравнительно медленное ( 2 - 48 час. Такое явление получило название тренировки и типично для некоторых кремниевых приборов. Из сказанного выше ясно, что изменение параметров прибора, происходящее при тренировке, носит временный характер и при возвращении к исходному режиму постепенно исчезает. [53]

При разработке нефтяных месторождений широко применялось законтурное и внутриконтурное заводнение, сопровождавшееся нагнетанием значительных объемов вод. В США в 50 - х годах получило развитие захоронение ( закачка, инжек-ция) нерадиоактивных промстоков различных отраслей промышленности в глубокие поглощающие горизонты. [54]

Это значит, что энергия синглетного экситона Es 3 15 эВ достаточна для инжекции как дырки, так и электрона в антрацен, так что, вероятно, в этом случае происходит одновременная инжек-ция обоих видов носителей. Leventhal, диссертация, Нью-Йоркский университет, 1962), что может быть связано с существованием ловушек для электронов на поверхности; эти ловушки могут быть образованы молекулами кислорода или продуктами окисления антрацена ( см. [178], а также разд. [55]

Прежде чем начать работу, проверяют правильность присоединения шлангов к резаку ( кислородный шланг присоединяют к штуцеру с правой резьбой, шланг с горючим газом - к штуцеру с левой резьбой), инжек-цию в каналах горючего газа, герметичность всех разъемных соединений. [56]

Уравнение ( 4 - 7) определяет область начальных фаз или коэффициент захвата электронов, а уравнение ( 4 - 8) с условием, что интеграл берется от ин до и ( z - длина резонатора), определяет конечную энергию электронов при заданных начальных фазах фн и энергии инжек-ции иа. В общем случае интеграл ( 4 - 8) сводится к эллиптическому интегралу, вычисления которого проще производить численными методами. [57]

Существенно, что при любом соотношении между W и Lp электрический ток через р пп - выпрямитель пропорционален exp ( qU / 2kT), что является следствием одинакового приращения напряжений на р - п - и п - / г - переходах и независимости падения напряжения в толще полупроводника от тока при высоком уровне инжек-ции. [58]

Страницы: 1 2 3 4