Вплавление - примесь
Cтраница 1
Вплавление примесей ведет к образованию двух одинаковых областей ( дырочной или электронной) проводимости: эмиттера и коллектора. На базу, эмиттер и коллектор наносятся металлизированные слои - электроды 3 для подсоединения выводов. [1]
 |
Зависимость удельного электрического сопротивления и его температурного коэффициента сложного окисного полупроводника от процентного содержания компонентов при 293 К. [2] |
Вплавление примесей является одним из наиболее распространенных технологических процессов получения электронно-дырочных переходов. Этот метод заключается в сплавлении электронного полупроводника с веществом, служащим для него акцепторной примесью, или дырочного - с донорной примесью. [3]
 |
Конструкция сплавного транзистора.| Конструкция поверхностно-барьерного транзистора.| Конструкция диффузионно-сплавного транзистора. [4] |
При помощи технологии вплавления примесей делают главным образом низкочастотные транзисторы, в том числе мощные. [5]
 |
Зависимость темпе. [6] |
Такие переходы изготовляют обычно вплавлением примесей. [7]
Такие переходы получают часто вплавлением примесей. [8]
Для кремния электронной проводимости при вплавлении донор-ной примеси соотношение 2 39рп подтверждено опытами. При графическом изображении зависимости напряжения Vz от сопротивления Рп наблюдается большой разброс точек, что свидетельствует о влиянии на Vz и некоторых других факторов, помимо удельного сопротивления кремния. Тем не менее при тщательном изготовлении образцов диодов из одной заготовки кремния величина Vz хорошо воспроизводима. [9]
 |
Зависимость сопротивления диода от напряжения и тока.| Частотные характеристики детекторов. [10] |
Барьерная емкость плоскостных диодовг изготовляемых методом вплавления примесей, уменьшается с повышением обратного. [11]
 |
Конструкции импульсных диодов. [12] |
Плоскостные импульсные диоды изготовляют либо методом вплавления примесей, либо диффузией донорных или акцепторных примесей в полупроводниковый кристалл. Практически технология изготовления импульсных плоскостных диодов почти не отличается от технологии обычных выпрямительных диодов. Разница заключается только в выборе исходного материала и в-площади p - n - перехода. Импульсные диоды должны иметь как можно меньшую площадь перехода для получения наименьшей емкости. Исходный полупроводниковый материал для импульсных диодов выбирается с малым временем жизни носителей. [13]
Узкий p - n - переход получают методом вплавления примесей. Время и температуру вплавления выбирают возможно меньшими, чтобы исключить процессы диффузии. Кроме того, примесь должна быть с малым коэффициентомч диффузии. Диффузионное проникновение примесей на глубину до 10А при общей ширине перехода 100 - 150А считается приемлемым. Важную роль играет и время охлаждения. Если оно выбрано слишком большим, то это может повлечь за собой дополнительное расширение перехода из-за диффузии примесей. При быстром охлаждении переход получается более узким, а рекристаллизованная область - более легированной. [14]
 |
Последовательные стадии изготовления. [15] |
Страницы: 1 2 3