Вплавление - примесь - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если бы у вас было все, где бы вы это держали? Законы Мерфи (еще...)

Вплавление - примесь

Cтраница 1


Вплавление примесей ведет к образованию двух одинаковых областей ( дырочной или электронной) проводимости: эмиттера и коллектора. На базу, эмиттер и коллектор наносятся металлизированные слои - электроды 3 для подсоединения выводов.  [1]

2 Зависимость удельного электрического сопротивления и его температурного коэффициента сложного окисного полупроводника от процентного содержания компонентов при 293 К. [2]

Вплавление примесей является одним из наиболее распространенных технологических процессов получения электронно-дырочных переходов. Этот метод заключается в сплавлении электронного полупроводника с веществом, служащим для него акцепторной примесью, или дырочного - с донорной примесью.  [3]

4 Конструкция сплавного транзистора.| Конструкция поверхностно-барьерного транзистора.| Конструкция диффузионно-сплавного транзистора. [4]

При помощи технологии вплавления примесей делают главным образом низкочастотные транзисторы, в том числе мощные.  [5]

6 Зависимость темпе. [6]

Такие переходы изготовляют обычно вплавлением примесей.  [7]

Такие переходы получают часто вплавлением примесей.  [8]

Для кремния электронной проводимости при вплавлении донор-ной примеси соотношение 2 39рп подтверждено опытами. При графическом изображении зависимости напряжения Vz от сопротивления Рп наблюдается большой разброс точек, что свидетельствует о влиянии на Vz и некоторых других факторов, помимо удельного сопротивления кремния. Тем не менее при тщательном изготовлении образцов диодов из одной заготовки кремния величина Vz хорошо воспроизводима.  [9]

10 Зависимость сопротивления диода от напряжения и тока.| Частотные характеристики детекторов. [10]

Барьерная емкость плоскостных диодовг изготовляемых методом вплавления примесей, уменьшается с повышением обратного.  [11]

12 Конструкции импульсных диодов. [12]

Плоскостные импульсные диоды изготовляют либо методом вплавления примесей, либо диффузией донорных или акцепторных примесей в полупроводниковый кристалл. Практически технология изготовления импульсных плоскостных диодов почти не отличается от технологии обычных выпрямительных диодов. Разница заключается только в выборе исходного материала и в-площади p - n - перехода. Импульсные диоды должны иметь как можно меньшую площадь перехода для получения наименьшей емкости. Исходный полупроводниковый материал для импульсных диодов выбирается с малым временем жизни носителей.  [13]

Узкий p - n - переход получают методом вплавления примесей. Время и температуру вплавления выбирают возможно меньшими, чтобы исключить процессы диффузии. Кроме того, примесь должна быть с малым коэффициентомч диффузии. Диффузионное проникновение примесей на глубину до 10А при общей ширине перехода 100 - 150А считается приемлемым. Важную роль играет и время охлаждения. Если оно выбрано слишком большим, то это может повлечь за собой дополнительное расширение перехода из-за диффузии примесей. При быстром охлаждении переход получается более узким, а рекристаллизованная область - более легированной.  [14]

15 Последовательные стадии изготовления. [15]



Страницы:      1    2    3