Вплавление - примесь
Cтраница 2
Основной недостаток технологии сплавных переходов заключается в значительном разбросе глубины вплавления примеси, что, в частности, не позволяет получать точно контролируемые узкие базовые области, необходимые для ВЧ транзисторов. [16]
Комбинация метода струйного травления для создания тонкой базовой области с вплавлением примесей для получения fi-n переходов используется при изготовлении микросплавных транзисторов, частотный предел которых достигает 100 - 300 Мгц. [17]
 |
Структуры фотодиодов.| Конструкция фотодиода ФД-1 в металлическом корпусе. [18] |
Для изготовления р-п-пе-реходов при производстве фотодиодов используют ме - CSem тод вплавления примесей - и диффузию. [19]
Меза-транзисторы могут быть получены также путем двойной диффузии ( доноров и акцепторов) вместо вплавления примесей. [20]
 |
Конструкция фотодиода ФД-2 в пластмассовом корпусе.| Спектральные характеристики германиевых 1 и кремниевых 2 фотодиодов. [21] |
Для изготовления p - n - переходов при производстве фотодиодов в настоящее время чаще всего используется метод вплавления примесей, но может применяться и диффузия. [22]
 |
Устройство транзистора ( а и обозначение транзисторов на принципиальных схемах ( б. [23] |
Наибольшее распространение имеют транзисторы первой группы, содержащие, как правило, два последовательно включенных пр-перехода. Вплавление примесей ведет к образованию внутри пластины двух областей с дырочной проводимостью: эмиттера и коллектора. Саму пластину называют базой. Электронно-дырочный переход между эмиттером и базой называют эмиттерным переходом, а между базой и коллектором - коллекторным переходом. [24]
 |
Расположение электрических зарядов в полупроводнике. [25] |
Контакт между двумя пластинками с р - и n - переходом получается не механическим путем, а путем вплавления или диффузии необходимой примеси в исходную пластинку. Переходы, получаемые путем вплавления примеси, называются сплавными. Переходы, получаемые при помощи диффузии какой-либо примеси, называются диффузионными. В зависимости от технологии изготовления диодам и триодам ( называемым транзисторами) присваиваются названия сплавных или диффузионных. [26]
По характеру распределения концентрации примеси различают резкие и плавные р-л-переходы. Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины p - n - перехода, называют резким р-п-переходом. Резкий р-я-переход получается обычно при методе вплавления примеси. Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима или больше толщины p - n - перехода, называют плавным р-п-переходом. Плавный переход получают обычно при изготовлении методом диффузии примеси. [27]
В настоящее время в качестве импульсных диодов используют точечные и плоскостные диоды. Технология изготовления импульсных точечных диодов аналогична технологии изготовления выпрямительных точечных высокочастотных диодов. Плоскостные импульсные диоды изготовляют либо методом вплавления примесей, либо диффузией донорных или акцепторных примесей в полупроводниковый кристалл. Практически технология изготовления импульсных плоскостных диодов - почти не отличается от технологии обычных выпрямительных диодов. Разница заключается только в выборе исходного материала и в площади р-л-перехода. Импульсные диоды должны иметь как можно меньшую площадь перехода для получения наименьшей емкости. Исходным для импульсных диодов выбирают полупроводниковый материал с малым временем жизни носителей заряда. [28]
По характеру распределения концентрации примеси различают резкие и плавные p - n - переходы. Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины р-я-перехода, называют резким р-п-переходом. Резкий р - - переход получается обычно при методе вплавления примеси. Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима или больше толщины р-га-перехода, называют плавным р-п-переходом. Плавный переход получают обычно при изготовлении методом диффузии примеси. [29]
По характеру распределения концентрации примеси различают резкие и плавные p - n - переходы. Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины p - n - перехода, называют резким р-п-переходом. Резкий p - n - переход получается обычно при методе вплавления примеси. Переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима или больше толщины p - n - перехода, называют плавным р-п-переходом. Плавный переход получают обычно при изготовлении методом диффузии примеси. [30]
Страницы: 1 2 3