Cтраница 3
Рекристаллизоваиный германий с содержанием индяя образует р-область на каждой стороне германия п-типа. Из двух индиевых дисков, вплавленных в германий, эмиттер делается меньшим для того, чтобы обеспечить высокую степень накопления на коллекторе носителей, вышедших из эмиттера. В n - p - п плоскостных кристаллических триодах центральной частью является монокристалл германия р-ти-па, как например, германий, легированный индием; две n - области образуются вплавлением доаорных примесей, например, сурьмы, на противоположные стороны заготовки из германия р-типа. [31]
По технологии изготовления транзисторы могут быть разделены на сплавные и диффузионные. В сплавных транзисторах примесь вплавляют в кристалл полупроводника. Для изготовления такого транзистора, например p - n - p - типа, пластинку германия или кремния я-типа тщательно шлифуют до необходимой толщины, затем на ее поверхности укрепляют небольшую таблетку элемента III группы и помещают в печь, где она нагревается до температуры, лежащей ниже точки плавления полупроводника, но выше точки плавления примеси. В результате этого происходит вплавление примеси в кристалл и формирование р-гс-перехода. [32]
В настоящее время в качестве импульсных используются точечные и плоскостные диоды. Точечные диоды в импульсной технике являются наиболее распространенными. Технология их изготовления аналогична технологии изготовления выпрямительных точечных диодов. Плоскостные импульсные диоды изготовляются либо методом вплавления примесей, либо диффузией донорных или акцепторных примесей в полупроводниковый кристалл. Принципиально технология изготовления импульсных плоскостных диодов не отличается от технологии обычных выпрямительных диодов. Разница заключается только в выборе исходного материала и в площади p - n - перехода. Импульсные диоды должны иметь как можно меньшую площадь перехода для получения наименьшей емкости. Исходный полупроводниковый материал для импульсных диодов выбирается с малым временем жизни носителей. [33]
Для обеспечения работы транзистора на таких частотах требуется, как это следует из § 4.9, уменьшить время пролета носителей заряда через базу и область объемного заряда коллектора, уменьшить барьерные емкости и объемные сопротивления базы и коллектора. Выполнить все это на основе технологии вплавления невозможно. Так, уменьшение толщины базы сплавного транзистора не только сложно технологически, но и обусловливает снижение напряжения смыкания переходов. Технология вплавления примесей не позволяет также изготовлять электронно-дырочные переходы малой площади, что требуется для уменьшения емкости. [34]