Время - диффузия
Cтраница 1
Время диффузии различно для различных кристаллографических граней, что обычно приводит к артефактам в слитках и влияет на распределение примесей. Многие другие факторы, включая характер распределения температурных градиентов в жидкости и твердом теле, концентрацию примесей, кристаллографическую ориентацию, поверхностные дефекты, форму межфазной границы роста, по-разному влияют на рост кристалла. Однако, если большая часть жидкости переохлаждена, влияние указанных факторов становится доминирующим. Например, дендритный рост определяется семейством двойниковых плоскостей, которые облегчают селекцию свободных центров зародышеобразования в переохлажденном расплаве, где скорость роста чрезвычайно высока. Таким же образом при выращивании нитевидных кристаллов из паровой фазы одиночная винтовая дислокация определяет ось быстрого образования зародышей. [1]
 |
Схема переключения диода.| Характер переходных процессов при отпирании, переключении и запирании диода. [2] |
Время диффузии является столь же фундаментальным параметром полупроводниковых приборов в случае тонкой базы, как время жизни для толстой базы. [3]
Время диффузии tD и пропорциональная ему постоянная времени та зависят от тока в той мере, в какой коэффициент диффузии зависит от уровня инжекции. Коллекторное напряжение влияет на параметры tD и та благодаря модуляции толщины базы. Граничная частота / а соответственно возрастает. [4]
 |
Зависимость статических параметров транзистора от температуры. [5] |
Время диффузии tD и постоянная времени та зависят от температуры через коэффициент диффузии D Е поэтому согласно ( 1 - 75а) должны несколько увеличиваться при нагреве транзистора. Поскольку эта зависимость имеет вид У Т, она обычно не играет практической роли. [6]
Время диффузии т [ см. (10.12) ] равно 1ЗЫО - L2 сек, если размер L выражен в сантиметрах. Число Гартмана М [ см. (10.29) 1 равно 2 64 - 10 - 2 аВ0, если поле В0 выражено в гауссах, a a - в сантиметрах. [7]
 |
Зависимость Т ] Р. от степени превращения. [8] |
Времена диффузии обычно велики и значительно превышают продолжительность реакции. Отсюда следует, что пространственное перемещение активных центров в кристалле будет главным образом определяться скоростью реакции роста цепи ( и передачи цепи), а не диффузией активных центров. [9]
Время диффузии зависит от требуемой глубины диффузии. Например, для получения глубины диффузии галлия 80 ч - 85 мкм необходимое время процесса составляет. [10]
Время диффузии ( в транзисторах) - среднее значение времени, в течение которого инъектирован-ные эмиттером в базу диффузионного транзистора неосновные носители успевают преодолеть путь от эмиттерного р - п-перехода до коллекторного р - п-перехода. [11]
Время диффузии ( в транзисторах) - среднее значение времени, в течение которого инъектирован-ные эмиттером в базу диффузионного транзистора неосновные носители успевают преодолеть путь от эмиттерного р-п перехода до коллекторного р-п перехода. [12]
Время диффузии tD и пропорциональная ему постоянная времени та зависят от тока в той мере, в какой коэффициент диффузии зависит от уровня инжекции. Коллекторное напряжение влияет па параметры tD и та благодаря модуляции толщины базы. Граничная частота / а соответственно возрастает. [13]
 |
Зависимость статических параметров транзистора от температуры. [14] |
Время диффузии tD и постоянная времени т, зависят от температуры через коэффициент диффузии D и поэтому согласно ( 1 - 75а) должны несколько увеличиваться при нагреве транзистора. Поскольку эта зависимость имеет вид 1 / 7, она обычно не играет практической роли. [15]
Страницы: 1 2 3 4