Время - диффузия
Cтраница 4
Рассчитанное для этих условий время диффузии составило всего 0 46 сек. [46]
 |
Концентрация диффундирующего водорода в окрестности вершины трещины. а при. 1. б в момент т10. 1-сталь 4340, 2 - сталь 4147. [47] |
Для оценки реальности масштаба времени диффузии на рис. 41.4, а дана шкала f при хт 1 22 / Р / ( Еат) для К 135 Н / мм3 / г, D Ю-10 мг / с, Е 2 105 Н / ммг, о, 1581 Н / ммг. Уже в течение нескольких секунд в зоне предразрушения достигается концентрация, существенно превышающая поверхностную. [48]
 |
Временные зависимости напряжения на тиристоре и тока через тиристор, характеризующие процесс его включения. [49] |
Время задержки t3 определяется временем диффузии инжектированных из n - эмиттера электронов через р-базу до р-п-перехода коллектора. Ток через коллекторный переход и, следовательно, через тиристор будет возрастать только тогда, когда инжектированные из - эмиттера электроны дойдут до коллекторного перехода. [50]
Время задержки 4 определяется временем диффузии инжектированных из n - эмиттера электронов через р-базу до p - n - перехода коллектора. Ток через коллекторный переход и, следовательно, через тиристор будет возрастать только тогда, когда инжектированные из п-эмиттера электроны дойдут до коллекторного перехода. [51]
Как было показано выше, время диффузии Ъ практически изменяется в узком интервале. В отличие от этого времена реакции, рассчитанные для практических систем, могут различаться существенно. [52]
Эти данные показывают, что время диффузии воды через пленку незначительно по сравнению со сроком службы полимерных покрытий, поэтому решающая роль принадлежит не экранирующей функции пленки, а электрохимическому поведению металла под покрытием. [53]
В кинетической области, где время диффузии атома II к стенке не имеет существенного значения, предел определяется парциальным давлением смеси Н2 - - 02, независимо от того, насколько мы разбавляем эту смесь инертным газом. В диффузионной области разбавление инертным газом снижает нижний предел парциального давления горючей смеси, так как при добавлении инертного газа время диффузии к стенке увеличивается. [54]
Эта величина по порядку равна времени диффузии молекулы от центра сосуда к стенкам. [55]
Толщина базы определяется температурой и временем диффузии, поэтому необходим тщательный контроль процесса. На современном уровне технологии процент брака, связанный с очень тонкой базой, достаточно высок. В МДП-транзиеторах глубина диффузии не столь критична, и процент выхода годных схем увеличивается. [56]
В выражении (2.6) принято, что время диффузии t х / и. В пучках витых труб это ус-ловие в первом приближении выполняется. [57]
 |
Эквивалентная схема идеализм-рованного транзистора. [58] |
В-третьих, модуляция толщины базы меняет время диффузии дырок через базу; тем самым коллекторное напряжение влияет на частотные свойства транзистора. [59]
На самом деле только различие во времени диффузии может привести к таким результатам. [60]
Страницы: 1 2 3 4