Время - диффузия
Cтраница 3
 |
Схема ключения диода.| Характер переходных процессов при отпирании, переключении и запирании диода. [31] |
Вообще время диффузии является столь же фундаментальным параметром диодов и транзисторов, как время жизни. [32]
 |
Этапы изготовления планарного транзистора. [33] |
Во время диффузии окно, через которое она осуществляется, затягивается тонкой пленкой SiO2, так что перед началом очередного процесса поверхность пластины покрыта сплошной пленкой оксида, в которой можно создавать окна новой конфигурации, необходимой для очередной диффузии. [34]
Во время диффузии через элементарный объем газ взаимодействует с жидкостью со скоростью, пропорциональной его количеству, находящемуся в этом слое. [35]
Зависимость времени диффузии от плотности остается одинаковой, все равно, будут ли два газа взаимно диффундировать с обеих сторон пористой перегородки или же будет односторонняя диффузия в вакуум. [36]
Уменьшение времени диффузии неосновных носителей уменьшает вероятность их рекомбинации в базе и приводит к росту коэффициента переноса Я. [37]
Если известно время диффузии, то имеется возможность определить D при температуре проведения процесса. [38]
Таким образом, время диффузии, постоянное для слоя толщиной 2г0, открытого с обоих концов для обмена фаз. Как отмечалось ранее, это соответствует члену диффузии в жидкой фазе ( уравнение Голейя), но расходится с уравнением ван Деем-тера. [39]
 |
График зависимости.| Зависимость коэффициента диффузии от температуры. [40] |
Определив tga и время диффузии t, находим коэффициент диффузии D. [41]
 |
Логарифмические анаморфозы кинетики распада ROj в цилиндре ( а и в тонких пластинках ( б. [42] |
С ростом температуры время диффузии и, следовательно, период индукции, естественно, уменьшается. В случае тонких пластин время диффузии уменьшается примерно в 100 раз, поэтому начального участка, подобного показанному на рис. НО, б, не наблюдается. [43]
Напомним, что время диффузии зависит от гидродинамических условий, так как оно является временем процесса нестационарной диффузии в пределах элементов поверхности жидкости; время же реакции зависит только от кинетики рассматриваемой реакции и не является фактически достижимым временем реакции, а только временем, необходимым для нее. [44]
Пенообразование сточных вод во время диффузии, благодаря горячему режиму рециркуляции, удается поддерживать в допустимых пределах. [45]
Страницы: 1 2 3 4