Cтраница 1
Время жизни носителей тока в полупроводниках - электронов и дырок ограничено. Такая рекомбинация электрона и дырки приводит к исчезновению обоих носителей тока. Среднее время жизни свободных носителей тока зависит от многих причин. При данных условиях постоянная концентрация носителей есть результат динамического равновесия: число образующихся пар носителей равно числу рекомбинирующих пар. [1]
Времена жизни носителей тока в InSb измерял также Вертгейм [43], бомбардируя тонкие образцы очень короткими импульсами электронов, генерируемых ускорителем Ван де Граафа. [2]
Время жизни носителей тока в полупроводниках-электронов и дырок ограничено. Такая рекомбинация электрона и дырки приводит к исчезновению обоих носителей тока. Среднее время жизни свободных носителей тока зависит от многих причин. При данных условиях постоянная концентрация носителей есть результат динамического равновесия: число образующихся пар носителей равно числу рекомбинирующих пар. [3]
Время жизни носителей тока в полупроводниках - электронов и дырок ограничено. Такая рекомбинация электрона и дырки приводит к исчезновению обоих носителей тока. Среднее время жизни свободных носителей тока зависит от многих причин. При данных условиях постоянная концентрация носителей есть результат динамического равновесия: число образующихся пар носителей равно числу рекомбинирующих пар. [4]
Определение времени жизни носителей тока в исследованных материалах по абсолютной величине тока фотопроводимости преждевременно вследствие мелкокристалличности образцов, отсутствия для них травителей и сильной зависимости сигнала от обработки поверхности образца; определение диффузионной длины носителей тока по совместным измерениям фотоэдс и коэффициента поглощения [26] требует измерений с лучшим, чем имеющееся, спектральным разрешением ввиду сильного изменения коэффициента поглощения вблизи края собственной полосы. [5]
Слишком высокие значения времени жизни носителей тока в полупроводниках также маловероятны. На основании известных данных можно думать, что добиться увеличения времени жизни носителей тока в германии и кремнии по сравнению с уже достигнутыми значениями будет нелегко. [6]
Произведение подвижности и времени жизни носителей тока представляет собой показатель качества фоточувствительности. [7]
Влиянию присадки золота на время жизни носителей тока в образцах германия посвящено сравнительно небольшое число работ. Обычно производилась оценка времени жизни по спаду обратной характеристики вплавного контакта, созданного на поверхности образца. При содержании золота около 1014 см-3 обычно наблюдались времена жизни порядка 1 мксек. Никакой количественной оценки эффективного сечения захвата не сделано. [8]
В полупроводниках с большой подвижностью и временем жизни носителей тока, а следовательно, и длиной диффузионного смещения носителей, это позволяет увеличивать концентрацию носителей в достаточно большом объеме полупроводника около инъектирующего контакта. [9]
Ар показана вытекающая из уравнения (8.224) зависимость времени жизни носителей тока от их концентрации. [10]
На многих образцах, легированных никелем, были проведены измерения времени жизни носителей тока при комнатной температуре. [11]
В соединении ZnSiAs2 наблюдалась высокочастотная электролюминесценция [68], по которой оценено время жизни носителей тока менее 10 - 7 с) и фотолюминесценции. [12]
Из рассмотренных случаев ( число которых легко умножить) следует, что истинное микроскопическое время жизни носителей тока в зонах не совпадает с величиной трел, причем может быть как больше, так и меньше, чем эта величина. Смысл трел можно понять из уравнения (50.1), с помощью которого эта величина вводится в рассмотрение. [13]
![]() |
Структурная схема прибора СВП-ЗМ. [14] |
Электронная схема обработки сигнала с выхода СВЧ резонатора обеспечивает цифровую индикацию величины удельного сопротивления и времени жизни носителей тока. Для записи распределения удельного сопротивления вдоль диаметра пластины предусмотрен вывод сигналов с электронного блока и с датчика координаты на двухкоординатный самописец. [15]