Время - жизнь - носитель - ток
Cтраница 2
При 300 К единственным признаком присутствия атомов железа в кристаллической решетке германия является указанное выше снижение времени жизни носителей тока. [16]
Таким образом, обычно используемая в качестве времени жизни неравновесных носителей величина трел не является истинным ( микроскопическим) временем жизни носителей тока в зоне. [17]
Кроме того, по границам отдельных зерен интенсивнее протекают процессы рекомбинации, из-за чего резко падает диффузионная длина и связанное с ней время жизни носителей тока. Наконец, границы зерен полупроводника, например германия, могут давать своеобразные микроскопические р-п-переходы. [18]
Из сопоставления полученных выражений с (37.12) видно, что прилипание приводит к уменьшению времени жизни ( и стационарной концентрации) прилипающих и к увеличению времени жизни неприлипающих носителей тока. [19]
Следствием этого является большое различие во времени жизни носителей тока в этих слоях, а именно, время жизни дырок или их диффузионная длина значительно меньше соответствующих параметров электронов в р-слое. [20]
Итак, монокристалл становится более фоточув - Ствительным при введении уровней рекомбинации. Это введение уровней рекомбинации приводит к увеличению времени жизни носителей тока одного знака и к уменьшению времени жизни носителей другого знака. Увеличение времени жизни при увеличении концентрации уровней рекомбинации противоречит, казалось бы, естественному предположению о том, что чем больше концентрация уровней рекомбинации, тем меньше время жизни. [21]
В ряде экспериментальных работ показано, что максимальные значения времени жизни носителей тока для кремния значительно ниже соответствующих величин для германия. Если последующие исследования не внесут существенных изменений, то следует ожидать, что кремниевые триоды будут характеризоваться меньшими значениями коэффициентов усиления по току и мощности. [22]
Слишком высокие значения времени жизни носителей тока в полупроводниках также маловероятны. На основании известных данных можно думать, что добиться увеличения времени жизни носителей тока в германии и кремнии по сравнению с уже достигнутыми значениями будет нелегко. [23]
Кристаллы синтезированного SiC имеют кубическую ( Р) или гексагональную ( я) структуру. Очень упорядоченная Р - форма обладает лучшими свойствами, большей подвижностью и временем жизни носителей тока. [24]
 |
Спиральная ( а и кривая ( б дислокации. [25] |
Дислокации могут служить центрами рекомбинации и генерации свободных электронов, поэтому они влияют на время жизни носителей тока. [26]
Примеси Аи, Си, Ре, Мп, V и нек-рые др. существенно снижают время жизни носителей тока в монокристаллах К. [27]
Из приведенных выше данных следует, что быстрая и медленная стадии хемосорбции существенно по-разному влияют на поверхностные свойства как германия, так и кремния. В то время как быстрая хемосорбция мало влияет на работу выхода и практически не влияет па время жизни носителей тока в германии, медленная хемосорбция гораздо сильнее влияет на работу выхода и приводит к резкому изменению времени жизни. [28]
 |
Распределение локальных примесных уровней в запретных зонах кремния и германия. [29] |
Это можно объяснить тем, что монокристаллы бывают в большинстве случаев чище. Поэтому для тех применений полупроводников, для которых важную роль играют подвижность и время жизни носителей тока, оказывается необходимым использовать полупроводники в виде монокристаллов. [30]
Страницы: 1 2 3