Cтраница 3
Мигрируя от эмиттера к коллектору, дырки проходят довольно значительные расстояния в полупроводнике л-типа, и поэтому чрезвычайно важное значение для эффективной работы транзистора имеет их процесс рекомбинации с электронами. Поэтому вполне понятны те большие усилия, которые делаются исследователями, работающими в области физики твердого тела, для увеличения времени жизни дырок и разработки приемов управления этим параметром вещества. Монокристаллы германия, предназначающиеся для изготовления транзисторов, сравниваются и оцениваются по величине времени жизни носителей тока. Время жизни носителей тока в монокристаллах германия является исключительно важным параметром, знание которого необходимо при конструировании полупроводниковых приборов. Характерные значения времен жизни носителей тока в германии находятся в пределах от нескольких микросекунд до 2000 - 3000 мксек. [31]
Основываясь на более ранних данных о поглощении, Ландсберг и Мосс [44] получили для образцов с собственной проводимостью величину 0 6 мксек. Излучение, вызванное рекомбинацией носителей тока в InSb, наблюдали Мосс, Хоукинс и Смит [45]; их данные анализировали Ландсберг и Мосс [44] и пришли к выводу, что при комнатной температуре около 12 % всех актов рекомбинации вызваны прямой излучательной рекомбинацией. По-видимому, эта оценка несколько преувеличена, если учесть, что известные до сих пор для высококачественных образцов значения времени жизни носителей тока при комнатной температуре не превышают 10 сек. [32]
Мигрируя от эмиттера к коллектору, дырки проходят довольно значительные расстояния в полупроводнике л-типа, и поэтому чрезвычайно важное значение для эффективной работы транзистора имеет их процесс рекомбинации с электронами. Поэтому вполне понятны те большие усилия, которые делаются исследователями, работающими в области физики твердого тела, для увеличения времени жизни дырок и разработки приемов управления этим параметром вещества. Монокристаллы германия, предназначающиеся для изготовления транзисторов, сравниваются и оцениваются по величине времени жизни носителей тока. Время жизни носителей тока в монокристаллах германия является исключительно важным параметром, знание которого необходимо при конструировании полупроводниковых приборов. Характерные значения времен жизни носителей тока в германии находятся в пределах от нескольких микросекунд до 2000 - 3000 мксек. [33]
Времена жизни носителей тока в монокристаллах значительно меньше приведенного выше. Экспериментальные значения диффузионной длины порядка 100 мк, что соответствует времени жизни порядка 10 мксек. Обычно, однако, времена жизни во много раз меньше и достигают иногда значений всего 10 - 10 сек, что Мосс [134] показал с помощью фотоэлектромагнитного эффекта. [34]
Для создания высокоэффективных полупроводниковых триодов необходимо вещество, у которого электроны и дырки обладают возможно большими значениями подвижностей и времен жизни. Очень чистый монокристаллический германий как раз и отвечает этим требованиям. Время жизни носителей тока достигает 1000 мксек, что для полупроводников является рекордной величиной. [35]
При попадании ядерной частицы в кристалл в узкой локальной области наблюдается повышенная концентрация носителей тока; в этой области ток возрастает пропорционально их концентрации. Локализация повышенной концентрации носителей тока не может быть длительной, поэтому с течением времени концентрация выравнивается по всему кристаллу. Перенос носителей тока в направлении выравнивания их концентрации и называют сквозным током. Очевидно, если сквозной ток установился, то длительность его протекания будет определяться временем жизни освобожденных носителей тока. [36]
Мигрируя от эмиттера к коллектору, дырки проходят довольно значительные расстояния в полупроводнике л-типа, и поэтому чрезвычайно важное значение для эффективной работы транзистора имеет их процесс рекомбинации с электронами. Поэтому вполне понятны те большие усилия, которые делаются исследователями, работающими в области физики твердого тела, для увеличения времени жизни дырок и разработки приемов управления этим параметром вещества. Монокристаллы германия, предназначающиеся для изготовления транзисторов, сравниваются и оцениваются по величине времени жизни носителей тока. Время жизни носителей тока в монокристаллах германия является исключительно важным параметром, знание которого необходимо при конструировании полупроводниковых приборов. Характерные значения времен жизни носителей тока в германии находятся в пределах от нескольких микросекунд до 2000 - 3000 мксек. [37]
Время жизни ( обозначаемое греческой буквой г) не удается достаточно просто ввести в уравнения, описывающие работу полупроводникового триода. В то же время прямое влияние этого параметра на процесс усиления не подлежит сомнению. Это влияние достаточно существенно, чтобы исключить из рассмотрения в качестве исходных для изготовления полупроводниковых триодов все новые вещества с очень малым временем жизни носителей тока. К тому же время жизни носителей тока трудно поддается измерению; очень многие тщательно поставленные опыты по измерению t в действительности характеризовали лишь связанные с ним параметры. Например, время жизни носителей в объеме и на поверхности образца различно, поэтому иногда очень трудно определить, к чему относятся полученные величины - к объему, к поверхности или же здесь измеряется какое-то эффективное значение времени жизни носителей тока. [38]
Рядом исследователей была установлена связь контактной разности потенциалов с адсорбцией газов. Так, например, Брэттен и Бардин [8] показали, что контактная разность потенциалов на германии изменяется при адсорбции паров воды. Адсорбция может воздействовать на фотопроводимость. Так, по данным Буба [9], адсорбция паров воды оказывает значительное влияние на фотопроводимость сернистого кадмия. Это влияние не является, как указывает автор [10], непосредственным: изменения на поверхности влияют на время жизни носителей тока, а последние определяют фотопроводимость. [39]
Время жизни ( обозначаемое греческой буквой г) не удается достаточно просто ввести в уравнения, описывающие работу полупроводникового триода. В то же время прямое влияние этого параметра на процесс усиления не подлежит сомнению. Это влияние достаточно существенно, чтобы исключить из рассмотрения в качестве исходных для изготовления полупроводниковых триодов все новые вещества с очень малым временем жизни носителей тока. К тому же время жизни носителей тока трудно поддается измерению; очень многие тщательно поставленные опыты по измерению t в действительности характеризовали лишь связанные с ним параметры. Например, время жизни носителей в объеме и на поверхности образца различно, поэтому иногда очень трудно определить, к чему относятся полученные величины - к объему, к поверхности или же здесь измеряется какое-то эффективное значение времени жизни носителей тока. [40]
В этих условиях основные состояния взаимодействуют друг с другом в смысле обмена электронами и дырками, причем общее количество электронов и дырок в отдельности поддерживается постоянным. Кроме того, при больших интен-сивностях света концентрации свободных носителей тока равны друг другу. В результате больше не существует взаимодействия между основными состояниями. Каждое из них теперь ведет себя независимо, и поведение его опре деляется концентрацией свободных носителей. Чувствительность фотосопротивлепия уже нельзя повысить, добавляя основные состояния, как это было в случае слабого возбуждения. В данном случае при добавлении основных состояний время жизни носителей тока обоих знаков может только уменьшиться и фо-тосопротивленио десенсибилизируется. [41]