Время - жизнь - неосновной носитель - ток
Cтраница 1
Время жизни неосновных носителей тока в InSb столь мало, что обычные методы непосредственного измерения этого параметра оказываются непригодными и поэтому приходится пользоваться косвенными средствами, как, например, методом компенсации фотомагнитного эффекта фотопроводимостью ( см. гл. [1]
Время жизни неосновных носителей тока тг, определяемое излуча-тельной рекомбинацией в InSb, вычислялось разными авторами, принимавшими за основу различные величины коэффициента поглощения в области сильного поглощения. Этим способом были получены значения тг, лежащие в пределах от 0 7 до 0 3 мксек. Наиболее вероятно значение, полученное Гудвином и МакЛином [22] на основании исследования поглощения с помощью фотоэлектромагнитного эффекта. Для образцов с почти собственной проводимостью тг0 36 мксек; у образцов с концентрацией основных носителей тока 1017 см 3 величина тг падала до 0 1 мксек. [2]
Но уменьшение времени жизни неосновных носителей тока в полупроводниковом материале существенно увеличивает величину обратного тока через диод. Таким образом, для изготовления диодов, способных работать в импульсных схемах, приходится подбирать оптим-альные варианты сочетания р и т в исходном материале. [3]
Имеется несколько методов прямого измерения времени жизни неосновных носителей тока в полупроводнике. Два из них являются наиболее распространенными. Первый, импульсный, метод [16] основан на пропускании через образец малых импульсов тока, причем для предупреждения нагревания образца частота следования импульсов берется небольшой. При этом на экране осциллографа наблюдают кривые зависимости сопротивления образца от времени. [4]
Описанные в этой статье измерения времени жизни неосновных носителей тока в кремнии вблизи р - / г-псрехода показывают, что время жизни зависит от концентрации неосновных носителей и от температуры. [5]
Для выяснения этого вопроса было исследовано время жизни неосновных носителей тока на чистой поверхности германия и на германии, хемосорбировавшем кислород. [6]
В другом часто применяемом методе измерения времени жизни неосновных носителей тока [17] для их введения в образец используется световой пучок. Падая на образец, фотоны создают избыточные носители тока за счет вырывания электронов из валентной зоны или с примесных уровней. [7]
Из формулы ( 3) следует, что время жизни неосновных носителей тока обратно пропорционально произведению вероятности захвата электрона на концентрацию незанятых уровней. В исследуемой области температур величина рй мала по сравнению с TV, и вероятность /, для данных образцов постоянна. [8]
Получены образцы германия с примесью меди, в которых время жизни неосновных носителей тока обратно пропорционально вероятности захвата электронов верхним акцепторным уровнем меди. Показано, что время жизни экспоненциально уменьшается с увеличением температуры. [9]
Непосредственная оценка этого отношения по известной ширине п-области и измеренному значению времени жизни неосновных носителей тока в базе дает близкие результаты. [10]
Представляло также интерес выяснить, как влияют различные формы хемосорбированного кислорода на время жизни неосновных носителей тока в германии. [11]
Хайнсом и Шокли [4]; этот эксперимент позволяет непосредственно определять подвижность и время жизни неосновных носителей тока в германии. Ниже будет показано, что импульс дырок можно регистрировать в любой точке образца, а время пролета и амплитуду его можно измерить как функцию расстояния от места инжекции. Следует отметить также, что все полученные выше результаты для дырок в полупроводниках и-типа в равной степени применимы для электронов в полупроводниках / - типа. В этом случае при помощи соотношения LnTnDe мы определим диффузионную длину Ln. Теперь следует приступить к исследованию нестационарных процессов, обусловливающих изменение Ар во времени. [12]
Непосредственная оценка этого отношения по известной ширине - области и измеренному значению времени жизни неосновных носителей тока в базе дает близкие результаты. [13]
В [111] впервые на беэдислокационных кристаллах Ge исследовано влияние дефектов закалки на электропроводность, время жизни неосновных носителей тока и эффект аномального прохождения рентгеновских лучей. Анализ опытных данных, проведенный в [111], показал, что ос-новные изменения электрических свойств и степень структурного совершенства кристаллов Ge, подвергавшихся высокотемпературной обработке в достаточно чистых условиях ( с применением геттерирующих покрытий), обусловлены дефектами структуры типа вакансий. Для более детальных заключений необходимо было бы располагать сведениями о том, являются ли эти вакансии одиночными, дивакансиями или же представляют собой какие-то объединения ( комплексы) с примесными атомами. [14]
 |
Зависимость т oilgp0t. I - германий л-типа, р 48 ом - см, 2 - германий л-типа, р 20 ом-см. [15] |
Страницы: 1 2 3 4