Cтраница 4
Из этих данных видно, что по мере повышения температуры прогрева время жизни растет. Это увеличение значительно при температуре 400 С, причем значение времени жизни после прогрева зависит от времени прогрева. Прогрев в вакууме в течение 3 час увеличивает время жизни до значения, соответствующего чистой поверхности. Было исследовано также влияние кислорода, адсорбированного при высоких температурах, на время жизни неосновных носителей тока. [46]
Необходимо соблюдать много предосторожностей, чтобы быть уверенным в получении чистой поверхности. Хотя во избежание повреждения поверхности нужно поддерживать низкие напряжение и силу тока, вместе с тем эти величины должны быть достаточными, чтобы воспрепятствовать возможному повторному загрязнению в ходе бомбардировки. Например, некоторые из электронов, образующихся в разряде, при ударе об анод высвобождают атомы газа, способные вновь загрязнить очищаемую поверхность. Следует быть осторожным при использовании электронного пучка для поддержания разряда. Если область разряда окружена электрически изолированной металлической оболочкой, то благодаря ионизации электронным пучком последняя может стать отрицательно заряженной, что вызовет распыление атомов с этой оболочки на очищенную поверхность. Во избежание этого следует поддерживать ускоряющее напряжение электронной пушки ниже порога распыления рассматриваемого вещества или же заменить изолированную оболочку на проводящий экран с потенциалом, равным анодному. При соответствующих условиях метод ионной бомбардировки позволяет получать чистые поверхности, если не считать внедрения в поверхность атомов аргона. Эти внедрения и повреждения поверхности в результате бомбардировки ликвидируют посредством надлежащего прогрева. Например, время жизни неосновного носителя тока в полупроводящем кристалле [2] значительно чувствительнее к дефектам решетки, чем работа выхода, и поэтому его измерение требует более тщательного прогрева. [47]
Времена жизни носителей тока в монокристаллах значительно меньше приведенного выше. Экспериментальные значения диффузионной длины порядка 100 мк, что соответствует времени жизни порядка 10 мксек. Обычно, однако, времена жизни во много раз меньше и достигают иногда значений всего 10 - 10 сек, что Мосс [134] показал с помощью фотоэлектромагнитного эффекта. Последующие опыты Скэнлона [133] показали отсутствие корреляции между временем жизни и удельным сопротивлением; следовательно, время жизни существенным образом не зависит от концентрации носителей тока. Была обнаружена зависимость времени жизни от плотности дислокаций, причем время жизни оказалось обратно пропорциональным плотности дислокаций, определенной методом подсчета ямок травления на специально приготовленных поверхностях. Никаких достоверных данных о времени жизни неосновных носителей тока в PbSe и РЬТе не имеется. [48]