Время - жизнь - неосновной носитель - ток
Cтраница 2
Из полученных нами результатов следует, что быстрая и медленная стадия хемосорбции по-разному влияют на время жизни неосновных носителей тока на поверхности германия. Из данных, приведенных на рис. 11, измеренных через 5 мин после начала опыта при данном давлении, видно, что при давлениях кислорода, не превышающих 1 мм рт. ст., хемосорбция кислорода не влияет на время жизни. В этих условиях имеет место в основном быстрая стадия хемосорбции. При более высоких давлениях, когда имеет место медленная адсорбция, время жизни падает, причем это уменьшение зависит от времени пребывания германия в кислороде. [16]
Время выключения увеличивается с ростом тока нагрузки и с повышением температуры центрального перехода вследствие возрастания времени жизни неосновных носителей тока в средней n - области и уменьшается с увеличением обратного напряжения. [17]
Вторым обязательным параметром, характеризующим степень чистоты кремния и его пригодность для создания силовых выпрямителей, является время жизни неосновных носителей тока. Оно должно равняться 400 - 1000 мксек. [18]
Важнейшей характеристикой, определяющей качество германия и кремния в технике полупроводниковых приборов, является величина т, называемая временем жизни неосновных носителей тока. В большинстве случаев т желательно иметь максимальным. [19]
Так, например, в производстве полупроводниковых триодов высокая чистота материалов необходима потому, что содержание примесей больше допустимого уменьшает время жизни неосновных носителей тока. Под временем жизни носителей понимают промежуток времени, в течение которого концентрация носителей падает в е раз. В р-полупроводнике неосновными носителями являются электроны, а в - полупроводнике - дырки. Для появления триодного эффекта необходимо, чтобы время жизни неосновных носителей было не очень малым, иначе они не дойдут от эмиттера к коллектору через базу триода. Это и определяет полупроводниковую чистоту материала для радиотехники. [20]
Так, если примеси III и V групп, снижая удельное сопротивление, в общем незначительно снижают другую важную электрическую характеристику - время жизни неосновных носителей тока, то другие примеси, как, например, медь или никель, катастрофически ухудшают эту характеристику при введении их в германий в количествах, лежащих еще за пределами их влияния на его удельное сопротивление. [21]
В работах [493, 494] показано, что в пластически деформированном n - Ge удельное сопротивление р увеличивается по сравнению с исходным кристаллом, а время жизни неосновных носителей тока т уменьшается. [22]
Авторы указывают, что они получили этим методом поликристаллический кремний, так как в их распоряжении не оказалось монокристаллических затравок кремния; удельное сопротивление полученных кристаллов составляло около 4 ом см, а время жизни неосновных носителей тока - около 2 мксек. [23]
Будучи простым по идее и несложным в выполнении, этот метод связан с некоторыми не совсем строгими предположениями; к тому же добавочные усложнения вносятся поверхностной обработкой образца. Обычно время жизни неосновных носителей тока в германии меняется в пределах от нескольких микросекунд до 1000 мксек. [24]
Наличие дислокаций заметно сказывается на электрич. Особенно сильное влияние они оказывают на время жизни неосновных носителей тока. [25]
Вычисленная таким образом максимальная величина а для германия равна примерно 3, однако в нитевидных транзисторах иногда наблюдаются несколько большие значения а. Предыдущий расчет показывает, как можно получить коэффициент усиления по току больше единицы при условии, что коэффициент инжекции у близок к единице и что время жизни неосновных носителей тока настолько велико, что р примерно равно единице. [26]
 |
Характеристики тиристора в процессе выключения. а - эпюры тока и напряжения тиристора. в - эпюры обрат ного тока при различной крутизне его нарастания. [27] |
В течение почти всего интервала времени 0 t t3 остаточное напряжение на тиристоре сохраняет знак, соответствующий прямому напряжению, а сопротивление p - n - перехода П1 меньше сопротивления цепи нагрузки Ra. Поэтому обратный ток в цепи при tz t ts равен f / 06p / a и имеет при равенстве обратных токов переходов П и Я3 характер линейно нарастающего пика, зависящий от dU / dt и времени жизни неосновных носителей тока. При осциллографировании такого реального процесса на экране наблюдается линейно нарастающий пик до момента времени / 5 ( рис. 6, а) с последующим 10 шеек спадом по экспоненте. При этом обратный ток уменьшится до величины статического обратного тока. Время между моментом прохождения тока через нуль и появлением обратного статического тока ( t2 - t % на рис. 6, а) называется временем восстановления обратного сопротивления Восст-Большая скорость изменения обратного тока в момент перемены знака напряжения на тиристоре при наличии в схеме индуктивности может привести к возникновению перенапряжений и выходу тиристора из строя. [28]
Прежде чем проделывать это, необходимо сделать одно обобщение. В различных вопросах физики полупроводников часто важно иметь дело такими стационарными распределениями, которые хотя и но соответствуют строгому термодинамическому равновесию, но достаточно близки к нему, чтобы их можно было рассматривать как квазиравновесные. Время жизни неосновных носителей тока в высокоомном германии настолько велико, что электроны и дырки можно рассматривать как различные ( в термодинамическом смысле) компоненты. [29]
Время жизни неосновных носителей тока в InSb столь мало, что обычные методы непосредственного измерения этого параметра оказываются непригодными и поэтому приходится пользоваться косвенными средствами, как, например, методом компенсации фотомагнитного эффекта фотопроводимостью ( см. гл. При понижении температуры время жизни неосновных носителей тока как у образцов с проводимостью тг-типа, так и у образцов с проводимостью р-типа быстро возрастает в области комнатных температур. В случае вещества тг-типа этот рост замедляется вблизи 220 К и при более низких температурах время жизни неосновных носителей тока ( дырок) остается приблизительно постоянным и равным нескольким единицам на 10 - 7 сек. В случае InSb р-типа время жизни электронов достигало максимума при 220 К, а затем быстро падало вплоть до минимального значения порядка 10 - 9 сек при 130 К. [30]
Страницы: 1 2 3 4