Время - жизнь - неравновесный носитель
Cтраница 1
Время жизни неравновесных носителей ограничено - постепенно их концентрация уменьшается как за счет рекомбинации, так и за счет ухода через р-п переход. Поэтому через некоторое время ( т на рис. 6.11, в) неравновесные неосновные носители исчезнут; обратный ток восстановится до нормального значения / Обр. [1]
 |
Структура транзистора, положенного в основу рас. [2] |
Время жизни неравновесных носителей не меняется с уровнем инжекции. [3]
Вычислим время жизни неравновесных носителей при прямой излучательной рекомбинации. [4]
Следовательно, время жизни неравновесных носителей можно определить интервалом времени, за которое избыточная концентрация уменьшается в е раз. [5]
Следовательно, время жизни неравновесных носителей можно определить интервалом времени, за которое избыточная концентрация уменьшается в е раз. [6]
Эффективное время жизни - время жизни неравновесных носителей, определенное с учетом их рекомбинации не только в объеме, но и на поверхности полупроводника. [7]
Эффективное время жизни - время жизни неравновесных носителей, определенное с учетом их рекомбинак ции не только в объеме, но и на поверхности полупроводника. [8]
Инерционные свойства диодов характеризуются временем жизни неравновесных носителей - с в базе диода. Поскольку аналитическое определение t затруднено, а для силовых полупроводниковых диодов нет справочных данных о времени жизни неосновных носителей в базе диода, представляет интерес определить т экспериментально. Полученные данные могут быть использованы при расчете выпрямителя. [9]
Это время тпф называют временем жизни неравновесных носителей; оно составляет для фотоэлектронов ( или фотодырок) величину порядка 1 ( Г3 - - 1 ( Г7 сек. При непрерывном облучении полупроводника появляются все новые фотоносители; в среднем такое же количество рекомбинирует, в результате устанавливается динамическое равновесие. [10]
Совпадение постоянных времени кривых релаксации с временами жизни неравновесных носителей тока позволяет в случае линейной рекомбинации определять т по исследованию релаксационных кривых неравновесной проводимости. [11]
Таким образом, обычно используемая в качестве времени жизни неравновесных носителей величина трел не является истинным ( микроскопическим) временем жизни носителей тока в зоне. [12]
Задача посвящена изучению одного из методов измерения времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниках. [13]
Из этого выражения следует, что с уменьшением времени жизни неравновесных носителей обратный ток через р-п переход увеличивается. [14]
При производстве сплавных диодов используют два метода снижения времени жизни неравновесных носителей тока: термозакалку и легирование кремния золотом. Термозакалка обеспечивает значительное уменьшение величины т, но при этом происходит неконтролируемое изменение удельного сопротивления материала. При введении в кремний атомов золота величина т уменьшается в несколько раз. [15]
Страницы: 1 2 3 4