Время - жизнь - неравновесный носитель
Cтраница 4
Приложение отрицательного потенциала к затвору вызывает появление канала р-типа между истоком и стоком. Практически весь поток падающего излучения поглощается в области р-канала. Потенциальный барьер канал - подложка разделяет носители. Время жизни неравновесных носителей увеличивается ( и тем больше, чем больше з I) Инерционность релаксации возрастает. Граничная частота в данном случае может изменяться на 3 - 4 порядка. [46]
Быстрое охлаждение образцов после термообработки сказывается на электрофизических свойствах кремния значительно сильнее, чем медленное. Даже охлаждение образцов с печью по сравнению с их закалкой дает ощутимый эффект ( см. pic. При очень медленном охлаждении ( 0 5 - 1 мин. Время жизни неравновесных носителей при этом сильно и необратимо меняется. [47]
 |
Структурные схемы плоскостного ( а и точечного ( б диодов. [48] |
Высокочастотные диоды предназначены для использования в качестве ключевых элементов в импульсных схемах. Для диода состояние включено соответствует прямому смещению р-и-перехода, состояние выключено - обратному. Чем меньше их диффузионная емкость, тем быстрее протекают переходные процессы в диоде, тем меньше время переключения т, тем больше быстродействие. Для уменьшения диффузионной емкости диода необходимо уменьшить время жизни неравновесных носителей, что достигается увеличением удельной проводимости базы диода. [49]
 |
Структурные схемы плоскостного ( а и точечного ( б диодов. [50] |
Высокочастотные диоды предназначены для использования в качестве ключевых элементов в импульсных схемах. Для диода состояние включено соответствует прямому смещению / ьл-перехода, состояние выключено - обратному. Чем меньше их диффузионная емкость, тем быстрее протекают переходные процессы в диоде, тем меньше время переключения т, тем больше быстродействие. Для уменьшения диффузионной емкости диода необходимо уменьшить время жизни неравновесных носителей, что достигается увеличением удельной проводимости базы диода. [51]
 |
Прямые переходы. экстремумы.| Прямые и непрямые переходы для зонной структуры Ge. [52] |
Концентрация равновесных электронов и дырок определяется темп-рой образца. При облучении светом, с ftw fg, генерируются электроны и дырки, к-рые являются неравновесными. Они обусловливают явление фотопроводимости - изменения электропроводности под действием света. Если прекратить освещение, концентрация носителей возвращается к равновесному значению за время порядка времени жизни неравновесных носителей. Малая инерционность этого явления позволила создать чувствит. [53]
Существенной особенностью полупроводниковых диодов является рекомбинация неравновесных носителей на невыпрямляющем контакте. Физическую природу процессов можно установить при рассмотрении реальной структуры невыпрямляющего контакта, который обычно образуется при вплавлении металла в полупроводник с образованием рекристаллизованного слоя или путем нанесения металла на предварительно высоколегированный или нарушенный поверхностный слой полупроводника. Таким образом, база диода является неоднородной, и вблизи контакта имеет место изменение электрофизических параметров полупроводника от величин, соответствующих объему, до величин, характеризующих полупроводник на границе с металлом. В первом приближении можно считать, что существует область с исходными коэффициентом диффузии Dp, длиной диффузии Lp и временем жизни тр неравновесных носителей и некоторый слой толщиной WK также с постоянными, но существенно меньшими значениями DK, LK, тк тех же параметров. [54]
 |
Основные параметры некоторых импульсных диодов. [55] |
Сущность этого эффекта состоит в следующем. Во время протекания прямого тока через р - и-переход осуществляется инжекция носителей. В ре-зультдае-шнкекцн в непосредственной бйнзоет к переходу создается концентрация неосновных неравновесных носителей, которая во много раз превышает концентрацию равновесных неосновных носителей. Величина обратного тока определяется концентрацией неосновных носителей в области р - п-перехода - чем больше концентрация неосновных носителей, тем больше обратный ток. Время жизни неравновесных носителей ограничено - постепенно их концентрация уменьшается как за счет рекомбинации, так и за счет ухода через р - n - переход. Поэтому через некоторое время ( тв на рис. 11 - 24, б) неравновесные неосновные носители исчезнут, обратный ток восстановится до нормального значения / обр. [56]
Пусть в полупроводнике под влиянием какого-либо внешнего воздействия существуют неравновесные носители заряда. При снятии этого внешнего воздействия концентрация неравновесных носителей возвращается к равновесному состоянию. Коэффициент, характеризующий изменение концентрации неравновесных носителей во времени, пропорционален величине этой концентрации, а величина обратная данному коэффициенту пропорциональности, называется временем жизни неравновесных носителей. [57]
Страницы: 1 2 3 4