Время - жизнь - неравновесный носитель
Cтраница 2
 |
Распределение неравновесных носителей в базе диода в различные моменты времени. [16] |
Для уменьшения диффузионной емкости диода согласно формуле (2.16) необходимо уменьшить время жизни неравновесных носителей. [17]
В первую очередь мы рассмотрим стационарный случай и вычислим, в частности, время жизни неравновесных носителей в стационарном состоянии ( см. § 5 гл. Это рассмотрение, проделанное Холлом, Шокли и Ридом [3], имеет большое значение для интерпретации неравновесных процессов в полупроводниках. [18]
Изучение кривых релаксации позволяет определить один из важнейших параметров, характеризующий фотопроводимость, - время жизни неравновесных носителей. Оно зависит от скорости рекомбинации неравновесных носителей. Сечение захвата определяется отношением числа захватов ( рекомбинаций) носителей на единице пути к числу атомов в единице объема вещества. [19]
Проблема рекомбинации носителей тока является одной из важнейших и современной физике полупроводников, ибо, как известно, время жизни неравновесных носителей определяет ряд основных характеристик полупроводниковых электронных приборов. Вместе с тем процессы рекомбинации изучены еще крайне недостаточно. Едва ли можно назвать здесь хотя бы один вопрос, который был бы ясен до конца. [20]
В тех случаях, когда внутрибазовый барьер отсутствует и контактный слой отличается от остальной базы лишь величиной коэффициента диффузии и временем жизни неравновесных носителей электричества, полученные характеристики уже сейчас могут быть полностью рассчитаны и сравнены с экспериментальными. В общем случае для расчета необходимо определить падение напряжения на внутрибазовом переходе и на базе. [21]
Изменение электрических свойств образцов кремния во время отжига при 1000 не может быть связано только с диффузией примесей с поверхности, так как изменение времени жизни неравновесных носителей t начинается с 350 - 500, когда заметной диффузии не происходит. [22]
В работах Быковой [30], Зарифьянца и Попика [31] было показано, что обратимая физическая адсорбция молекул 02 и N0 на PbS приводит к обратимым изменениям во временах жизни неравновесных носителей. Фигуровская обнаружила вполне измеримые обратимые изменения 0для рутила при адсорбции аргона. По-видимому, возникающие при физической адсорбции небольшие поляризованные диполи в атомах аргона из-за высокого значения диэлектрической проницаемости двуокиси титана ( сегнетоэлектрик) могут существенно изменить параметры близлежащих дефектов, превратив их в центры захвата. Даже в случае идеальной поверхности эти диполи могут вызвать появление в решетке локальных поляризованных областей, в которых будут нарушены периодические изменения потенциала. Из сказанного следует, что электропроводность также не является однозначным критерием химической адсорбции. Адсорбция аргона на ионном кристалле ( ТЮ2) является классическим примером физической адсорбции. [23]
В работах Быковой [30], Зарифьянца и Попика [31] было показано, что обратимая физическая адсорбция молекул 02 и N0 на PbS приводит к обратимым изменениям во временах жизни неравновесных носителей. Фигуровская обнаружила вполне измеримые обратимые изменения стдля рутила при адсорбции аргона. По-видимому, возникающие при физической адсорбции небольшие поляризованные диполи в атомах аргона из-за высокого значения диэлектрической проницаемости двуокиси титана ( сегнетоэлектрик) могут существенно изменить параметры близлежащих дефектов, превратив их в центры захвата. Даже в случае идеальной поверхности эти диполи могут вызвать появление в решетке локальных поляризованных областей, в которых будут нарушены периодические изменения потенциала. Из сказанного следует, что электропроводность также не является однозначным критерием химической адсорбции. Адсорбция аргона на ионном кристалле ( ТЮ2) является классическим примером физической адсорбции. [24]
Из теоретического рассмотрения вопроса о релаксации неравновесных носителей тока, освобожденных светом, в полупроводниках следует: 1) что неравновесные носители взаимодействуют в основном с решеткой, 2) что время релаксации при таком взаимодействии обычно составляет ничтожную долю времени жизни неравновесных носителей. [25]
Поскольку из-за сильного взаимодействия с решеткой неравновесные носители практически неотличимы от равновесных, очевидно, что и среднее время жизни этих носителей в зоне одинаково. Это истинное микроскопическое время жизни равновесных и неравновесных носителей мы обозначим тмикр. [26]
 |
Электронно-полупроводниковый триггер. [27] |
Подбирая профиль резистивного слоя, можно полностью компенсировать погрешности, вносимые нагрузкой. Быстродействие потенциометра определяется временем жизни неравновесных носителей, генерируемых в полупроводниковом слое. [28]
Для нормальной работы активных компонентов микросхемы необходимо иметь время жизни неравновесных носителей порядка 10 мксек и выше. [29]
Для сокращения переходных процессов в диоде, ухудшающих его импульсные свойства, нужно уменьшить диффузионную емкость, характеризующую величину накопленных зарядов. Согласно формуле ( 2 - 9) СДИф прямо пропорциональна времени жизни неравновесных носителей т рп. Для уменьшения времени жизни неравновесных носителей базу диода дополнительно легируют золотом или медью. Примесные атомы золота или меди в полупроводнике являются своеобразными ловушками, которые относительно легко захватывают электроны проводимости и дырки, способствуя тем самым их взаимной рекомбинации, что и приводит к сокращению времени жизни инжектированных в базу неравновесных носителей. [30]
Страницы: 1 2 3 4