Время - жизнь - электрон
Cтраница 1
Время жизни электрона в сольватированном состоянии может быть достаточно долгим от 10 3 с до нескольких секунд. Например в воде время жизни гидратированного электрона составляет 10 - 3 с, а в гексаметилфос-фортриамиде оно растягивается до нескольких секунд. При наличии в растворе акцепторов электронов может происходить захват электронов этими акцепторами или реакция химического взаимодействия с молекулами растворителя с образованием нового химического соединения, иногда с очень необычными свойствами. [1]
Время жизни электрона определяется как время его нахождения в зоне проводимости без учета времени, проводимого на ловушках. Иными словами, учитывается лишь время, в течение которого электрон может принимать участие в проводимости. Для дырок имеет место аналогичное определение. В случае когда ловушки участвуют в фотоэлектрических явлениях, очень важно различать время жизни ды) рки и время жизни электрона, поскольку они, вообще говоря, не равны. Полное время, которое протекает менаду возбуждением и рекомбинацией, должно быть в среднем одно и то же для носителей обоих типов, но если значительная часть носителей одного вида в течение значительных периодов находится на ловушках, их время жизни сократится. [2]
 |
Изменение избыточной. [3] |
Практически время жизни электронов и дырок составляет десятки и сотни микросекунд. [4]
Вычислим сначала время жизни электрона г ( Е) как обратную величину полной вероятности рассеяния. Поскольку различные механизмы рассеяния по-разному зависят от энергии электрона и температуры, они приводят к различным зависимостям подвижности от температуры. [5]
Ментально зависимость времени жизни электрона от Магнитного поля при нескольких значениях давления остаточного газа. График построен в логарифмическом масштабе. Как видно из графика, при В 167 sc на кривой наблюдается отчетливый излом. [6]
Если tn - время жизни электронов в р-слое значительно меньше Тр - времени жизни дырок в исходном германии электронной проводимости, то плотность обратного тока через переход может значительно увеличиваться при любом повышении пр, а сопротивление коллекторного перехода будет понижаться. [7]
Нетрудно видеть, что если времена жизни электронов и дырок сильно различаются, то тни совпадает с большим из них. [8]
Поскольку, согласно предположению, времена жизни электронов и дырок равны, мы выберем для анализа более простое из них, а именно время жизни неосновных носителей. Неосновными носителями называются носители, концентрация которых меньше. Для проведения анализа мы сначала определим положение демаркационных уровней для электронов и дырок. Следует ожидать, что оба демаркационных уровня сольются в один уровень, так как в соответствии с нашим предположением о том. [9]
Так как в реальных структурах время жизни электронов в узкой р-базе значительно меньше времени жизни дырок в широкой n - базе, задача сводится к анализу процесса восстановления насыщенного р-п - р транзистора с широкой n - базой. [10]
Сосредоточение ионизации у стенки уменьшает среднее диффузионное время жизни электронов. [11]
Расчеты были проведены в предположении, что времена жизни электронов и дырок в приборе равнялись соответственно 2 и 5 мксек а что толщина р - и л-слоев, а также степень их легирования были такими же, как это указано на фиг. [12]
Легко видеть, что в этих условиях времена жизни электронов и дырок будут независимы ( см. § 23 гл. Действительно, захват электронов будет осуществляться пустыми, а дырок - занятыми примесными уровнями, причем концентрации тех и других определятся равновесными условиями ( положением уровня Ферми), и маловероятно, что эти условия окажутся как раз такими, чтобы времена жизни электронов и дырок были одного порядка. [13]
В итоге это приводит к кажущемуся увеличению времени жизни электронов, благодаря чему отношение I jeP может стать гораздо больше единицы. [14]
Такое предположение правильно для полупроводников, в которых времена жизни электронов и дырок одинаковы. В этом случае уменьшение концентрации уровней рекомбинации является единственным способом увеличения времени жизни пары свободных носителей. [15]
Страницы: 1 2 3 4