Время - жизнь - электрон
Cтраница 2
 |
Эпюры тока и напряжения при выключении тиристора с приложением обратного напряжения.| Распределение избыточных дырок в базе HI тиристора в процессе выключения с приложением обратного напряжения. [16] |
Это связано с тем что накопленный заряд и время жизни электронов в базе pz существенно меньше, чем накопленный заряд и время жизни дырок в базе пг. Однако напряжение пробоя перехода / з не превышает примерно 10 В. Поэтому восстановление обратного сопротивления перехода / з практически не приводит к ограничению обратного тока через тиристор. Обратный ток через тиристор продолжает возрастать до тех пор, пока концентрация дырок в базе П ] на границе с переходом / i в момент времени tz не упадет до нуля. В этот момент времени обратный ток через тиристор достигает максимального значения. После этого переход / i смещается в обратном направлении и его сопротивление быстро возрастает. [17]
В этом случае для повышения быстродействия нужно уменьшать время жизни электронов в базе. Таким образом, при таких Na может наблюдаться некоторый максимум быстродействия. [18]
Ясно также, что в общем случае значения времени жизни электронов и дырок различны. [19]
В определенных условиях в полупроводниках может иметь место равенство времен жизни электронов и дырок. При этом время жизни равно времени релаксации концентрации носителей, генерированных светом. Общие условия равенства времен жизни электронов и дырок рассматриваются в § 15; достаточное условие этого равенства сводится к тому, что концентрации электронов и дырок, генерированных светом, должны быть большими по сравнению с концентрацией уровней рекомбинации. В этом случае очевидно, что, согласно условию нейтральности, разность между концентрациями электронов и дырок, равная изменению заполнения уровней рекомбинации, должна быть малой по сравнению с концентрациями носителей обоих знаков. Поскольку концентрации электронов и дырок равны, должны быть равны и их времена жизни. Мы рассмотрим сначала этот частный случай равенства времен жизни, так как он легко анализируется при помощи введения демаркационных уровней и имеет важное значение для биполярных транзисторов. [20]
Величины тэ и тд из последних равенств называются сокращенно временем жизни электронов и временем жизни дырок. [21]
В области слабого возбуждения введение дополнительных дискретных уровней может снижать времена жизни электронов и дырок или может снижать время жизни носителей одного знака и повышать время жизни носителей другого знака. Последняя возможность обусловливает процесс активации фотосопротивления, при котором последнее становится более чувствительным. [22]
Ниже будет рассмотрена форма релаксационной кривой монополярной фотопроводимости при линейной рекомбинации ( время жизни электронов т const) в случае многократного нелинейного прилипания. [23]
Тр - время жизни дырок в - области, а тп - время жизни электронов проводимости в р-области. [24]
Для узкобазовых транзисторов с w / Ln значение т о значительно меньше времени жизни электронов тп в базе. [25]
Таким образом, при очень большой концентрации ловушек и любом уровне возбуждения1) времена жизни электронов и дырок независимы, неодинаковы и, как следует из вида выражений (23.60) и (23.62), определяются только темпом захвата соответствующих носителей ловушками. [26]
Сравнивая (3.57) и ( 3 - 46), мы видим, что время жизни электронов увеличилось с 10 - 7 до Ю-2 сек и фо-точувстаительноеть возросла во столько же раз. Очувствление происходит за счет перераспределения электронов и дырок между двумя классами уровней рекомбинации. [27]
Дальнейшее доказательство существования захвата электронов в дырочном кремнии1) было получено при непосредственном измерении времени жизни инжектируемых электронов. Опыт производится следующим образом ( фиг. [28]
Как видно из ( 1 - 41) и ( 1 - 42), равновесные времена жизни электронов и дырок в общем случае резко различны. Это объясняется тем, что скорости рекомбинации обоих типов носителей одинаковы ( так как они рекомбинируют парами), а концентрации п0 и р0 могут различаться на много порядков. [29]
Как видно из ( 1 - 41) и ( 1 - 42), равновесные времена жизни электронов и дырок в общем случае резко различны. Это объясняется тем, что скорости рекомбинации обоих типов носителей одинаковы ( так как они рекомбинируют парами), а концентрации п0 и РО могут различаться на много порядков. [30]
Страницы: 1 2 3 4