Cтраница 3
Любая из двух написанных выше формул может быть использована для вычисления из кривой собственного поглощения времени жизни электрона по отношению к переходу на акцептор в прямозонном полупроводнике. [31]
Поскольку 8л п - п0 р Р - Ро, то и т iff tj - время жизни электронов, дырок и пары носителей заряда равны. [32]
На опыте сохранение электрического заряда проверено с гораздо худшей точностью, чем сохранение барионного заряда: нижняя граница времени жизни электрона по отношению к распадам типа е - vy порядка 10м лет, в то время как нижняя граница времени жизни протона по отношению к распадам типа р - ел порядка 1082 лет. Естественно задать вопрос: какое ограничение на величину константы / во взаимодействии V 2 f ( evtp v p) налагает то обстоятельство, что тв 10м лет. Ответ на этот вопрос оказывается неожиданным. А именно, оказывается, что теория спонтанного нарушения локальной [ / ( 1) - симметрии, рассматриваемая в этом и предыдущем разделах, вообще не может служить реалистической моделью несохранения электрического заряда, не может быть навязана природе. [33]
Анализ, проведенный в § 14 для времени жизни неосновных носителей, пригоден также и в том случае, когда времена жизни электронов и дырок неодинаковы. Время жизни основных носителей в этом случае не равно времени жизни неосновных носителей и должно быть вычислено отдельно. [34]
Смысл выбора этих двух частных случаев заключается в том, чтобы, используя выражения (3.67) и (3.70), показать, что время жизни электронов ( основных носителей) может определяться как концентрацией центров рекомбинации, так и концентрацией свободных носителей. В этих двух случаях предполагается малая концентрация световых носителей. При больших концентрациях световых носителей оказывается, что концентрация генерированных светом дырок, захваченных центрами рекомбинации, приблизительно равна концентрации генерированных светом свободных электронов и значительно больше темновой концентрации дырок на уровнях рекомбинации. [35]
К, - коэффициент поглощения света, и 0 [ т, где 6 - постоянная времени Максвелла, т - рекомбинационное время жизни электрона ( дырки), так и за счет электрического поля пространственного заряда на границах раздела или р - n - перехода в окисле. [36]
Для того, чтобы учесть эффекты, обусловленные столкновениями электронов с молекулами воздуха в резонаторе, необходимо усреднять (28.26) с функцией распределения по времени жизни электрона. [37]
Для того чтобы учесть эффекты, обусловленные столкновениями электронов с молекулами воздуха в резонаторе, необходимо усреднять ( 6) с функцией распределения по времени жизни электрона. [38]
Совершенно аналогично концентрация инжектированных электронов в р-области будет тоже уменьшаться по экспоненциальному закону, но будет определяться длиной диффузии электронов L3 Л эгэ5 гДе - Дэ - коэффициент диффузии электронов, а тэ - время жизни электронов в р-области. [39]
Однако если предположить, что дырки на ловушках быстро приходят в равновесие с дырками в валентной зоне ( что, по-видимому, и имеет место для верхнего уровня меди), то определяющую роль играет время жизни электронов. [40]
В этом выражении, как уже отмечалось, п есть концентрация электронов в зоне проводимости; р - концентрация дырок в валентной зоне; я, - концентрация электронов и дырок в собственном материале; тРо - время жизни дырок в сильно легированном материале л-типа; тЛо - время жизни электронов в сильно легированном материале р-типа; pi - концентрация дырок в валентной зоне, если уровень Ферми совпадает с энергетическим уровнем центров рекомбинации; п - концентрация электронов в зоне проводимости, если уровень Ферми совпадает с энергетическим уровнем центров рекомбинации. [41]
Времена жизни электронов и дырок равны. Концентрация акцепторов в р-области в 5 раз больше концентрации доноров в n - области. [42]
А [ - бактериофеофитин, А2 - первичный хинон QA, A3 - вторичный хинон QB. Время жизни электрона на бактериофеофитине 280 пс, в то время как на первичном хиноне электрон живет время порядка микросекунд. [43]
При замещении парамагнитного иона железа диамагнитным ионом цинка, в экспериментах по ЭПР пурпурных бактерий наблюдается сигнал от пары: дырка на доноре и электрон на первичном хиноне QA. Время жизни электрона на бактериофеофитине мало ( 280 пс), что крайне затрудняет наблюдение первичной пары P Aj в ЭПР экспериментах. [44]
В образце германия / г-типа, содержащего Nti - 10 см 3 центров рекомбинации с энергией уровня EtEv 0 16 эВ, характеризуемых коэффициентом захвата дырок р 10 - 8 см3 с 1, концентрация свободных электронов при 150 К равна п 4 10 см-3. Определить времена жизни электронов и дырок при той же температуре и при слабом возбуждении в образце, содержащем А 2 1012 см-3 центров тон же природы. [45]