Время - задержка - распространение
Cтраница 1
 |
Преобразователь четырехразрядного кода. [1] |
Время задержки распространения от входов до выходов не превышает 290 не, время установления - менее 150 не. [2]
Время задержки распространения данных ог входов до выходов 32 не; время включения выходов от Z-состояния составляет к напряжению высокого выходного уровня - 20 не, низкого - 28 не. При переходе к Z-состоянию от напряжения высокого уровня требуется интервал 45 не, от низкого - 24 не. [3]
Быстродействие - время задержки распространения - определяется интервалом времени между сменой состояний входного и выходного сигналов. [4]
 |
Передаточная характеристика основного логического элемента микросхемы ЭСЛ. [5] |
Ом типовое значение времени задержки распространения для них составляет 7 не. Время задержки измеряется на уровне 50 % полного логического перепада напряжения при переключении схемы. [6]
 |
Принципиальная электрическая схема базового логического элемента микросхем серий 113 и 114 ( а и его разновидности ( б. [7] |
Основные электрические параметры микросхем: время задержки распространения сигнала-400 - 500 не, рассеиваемая мощность - менее 2 мВт, коэффициент нагрузки-4 - - 50, напряжение питания 4В 10 %; помехоустойчивость - 0 15 - г - 0 7 В. [8]
Как правило, при уменьшении времени задержки распространения ( увеличении быстродействия) возрастает потребляемая мощность и связанная с ней генерация тепла. Сверхбыстродействующие ТТЛ ИС с диодами Шоттки ( ТТЛШ ИС) потребляют около 19 мВт на логический элемент ( ключ), тогда как менее быстродействующие КМОП ИС потребляют всего лишь 0 01 мВт на ячейку. Многие разработчики считают, что в микромощных ТТЛШ И С идеально сочетаются быстродействие и малая потребляемая мощность. Типичный микромощный ТТЛШ-вентиль потребляет 2 мВт и характеризуется временем задержки распространения чуть меньше 10 не. Микромощные ТТЛ-схемы потребляют в 5 раз меньшую мощность по сравнению со стандартными ТТЛ-схемами, но практически не отличаются от них по быстродействию. [9]
Следовательно, паразитные емкости без заметного влияния на время задержки распространения могут достигать весьма больших значений. [10]
По данным примера 22 рассчитать полное время переключения Тпер и время задержки распространения / зр трехвходового ДТЛ элемента, в котором в качестве входных диодов и диодов смещения используются диоды Шоттки, а усилитель-ограничитель построен на транзисторе Шоттки. Время переключения диодов Шоттки не превышает 0, 1 не, емкость перехода Сп 2 пф, прямое сопротивление гпр 10 Ом; напряжение отпирания ( / т 0 25 В. [11]
Основным динамическим параметром компаратора, определяющим его быстродействие, является время задержки распространения скачкообразного входного сигнала. Иногда это время называют временем переключения компаратора. При увеличении напряжения AUm время задержки распространения уменьшается. На рис. 9.4 а показаны переходные характеристики компаратора при различных значениях уровня входного сигнала А. Из приведенного графика следует, что при изменении входного напряжения на порядок время задержки изменяется примерно в 2 5 раза. [12]
Записанные выражения относятся к импульсам помехи большой длительности, когда время действия помехи во много раз больше времени задержки распространения. [13]
Гсуп, не, - при объединении более двух БИС ПУ со схемой ускоренного переноса, где ГСуп - время задержки распространения от входов Pt, Gi СУП до выходов переноса СУП определяется конкретным его типом. [14]
 |
Примеры микросхем с разрешения по входу и выходу. [15] |
Страницы: 1 2 3 4