Время - задержка - распространение
Cтраница 2
Цоколевка микросхемы К155ЛП8 показана на рис. 1.14, в, а управляющие сигналы для одного канала сведены в табл. 1.5. Время задержки распространения в этом инверторе 18 не, наибольшее время перехода в состояние Z 25 не, время выхода из состояния 2 - 12 не. [16]
По данным, приведенным в работе [ 151, триггер типа ОТц Ь931, подобный представленному на рис. 72, имеет время задержки распространения ( задержка фронта выходного сигнала по отношению к фронту входного) 50 нсек. Рассеиваемая мощность составляет 20 мет. Недостатком подобных счетных устройств является необходимость получения двойных серий счетных импульсов, а также снижение скорости работы счетчика, свойственное некоторым синхронным системам. Построение асинхронных пересчетных устройств на потенциальных триггерах возможно, но при обеспечении высокой надежности связано с трудностями. [17]
По данным примера 21 рассчитать интегральную схему логического элемента с резистивно-емкостной связью так, чтобы с учетом влияния динамического смещения оказались оптимальными параметры цепи КцСо, при которых время задержки распространения становится минимальным. [18]
 |
Зависимости выходного напряжения от температуры ( а и времени задержки распространения от емкостной нагрузки ( б для. [19] |
Зависимости выходного напряжения от температуры для микросхем К561ТМ2 ( рис. 2.30 о) показывают, что величины и ых иивых практически не меняют своего значения с увеличением температуры, а на характеристиках t3Hpf ( CH) микросхем К561ТМ2 ( рис. 2.30 6) видна сильная зависимость от емкостной нагрузки времени задержки распространения при выключении, которая при увеличении Сн с 30 до 180 пФ возрастает более чем в два раза. Микросхемы, имеющие три состояния на выходе ( К561ЛНЗ, К561ТР2), могут быть объединены по выходу в МОНТАЖНОЕ ИЛИ. [20]
 |
Зависимости выходного напряжения от температуры ( а и времени задержки распространения от емкостной нагрузки ( б для. [21] |
Зависимости выходного напряжения от температуры для микросхем К561ТМ2 ( рис. 2.30 а) показывают, что величины и ых ии ых практически не меняют своего значения с увеличением температуры, а на характеристиках t3apf ( CH) микросхем К561ТМ2 ( рис. 2.30 6) видна сильная зависимость от емкостной нагрузки времени задержки распространения при выключении, которая при увеличении Св с 30 до 180 пФ возрастает более чем в два раза. Микросхемы, имеющие три состояния на выходе ( К561ЛНЗ, К561ТР2), могут быть объединены по выходу в МОНТАЖНОЕ ИЛИ. [22]
Время начала передачи мобильным терминалом определяется первым компонентом многолучевого сигнала, который используется для демодуляции. Мобильное устройство не учитывает время задержки распространения и не вносит соответствующих поправок в параметры передаваемого сигнала. Вместо этого базовая станция постоянно выполняет поиск обратных каналов связи. Мобильное устройство прослушивает поисковый канал, ожидая отклика базовой станции. Если отклик не получен ( во время использования канала доступа может возникнуть конфликтная ситуация), мобильное устройство повторяет попытку после паузы псевдослучайной длительности. [23]
Таким эбразом, любая однонаправленная линия магистрали физически представляет собой цепочку элементов: ИСТ-линия ОШ - ПРМ, а двунаправленная линия - ИСТ / ПРМ - линия ОШ - ПРМ / ИСТ. Для любого из этих типов время задержки распространения фрон-га ( спада) сигнала по ней будем отсчитывать от момента появления его на входе источника и до момента появления на выходе приемника. [24]
Рассмотрим работу ЛЭ И-НЕ в динамическом режиме. При включении элемента И-НЕ ( рис. 2.10) долей времени задержки распространения за счет транзистора VT1 можно пренебречь, считая, что ключ размыкается мгновенно. [25]
Рассмотрим работу ЛЭ И-НЕ в динамическом режиме. Как уже отмечалось, быстродействие схемы характеризуется несколькими параметрами и, в частности, временем задержки распространения при включении t и выключении tgjj - При включении элемента И-НЕ ( рис. 2.10) долей времени задержки распространения за счет транзистора VT1 можно пренебречь, считая, что ключ размыкается мгновенно. [26]
Схемы ЛЭ этой серии ( см. рис. 2.7) отличаются от схем стандартной серии отсутствием демпфирующих диодов и корректирующей цепи, а также значительно увеличенными номиналами резисторов, чем определяются малые уровни токов и мощности потребления при одновременном уменьшении быстродействия микросхем. Микросхемы серии 530 позволяют при температуре 25 10 С, сопротивлении нагрузки RH280OM и емкости нагрузки С 15пФ получить типовое значение времени задержки распространения 5 не на ЛЭ при средней мощности потребления 19 мВт ( ср. [27]
Схемы ЛЭ этой серии ( см. рис. 2.7) отличаются от схем стандартной серии отсутствием демпфирующих диодов и корректи-рующей цепи, а также значительно увеличенными номиналами резисторов, чем определяются малые уровни токов и мощности потребления при одновременном уменьшении быстродействия микросхем. Микросхемы серии 530 позволяют при температуре 25 10 С, сопротивлении нагрузки Ея280Ом и емкости нагрузки С 15пФ получить типовое значение времени задержки распространения 5 не на ЛЭ при средней мощности потребления 19 мВт ( ср. [28]
Выход триггерных схем рекомендуется нагружать не более чем на шесть входов микросхем-нагрузок. К выходу схем, объединенных в МОНТАЖНОЕ ИЛИ, рекомендуется подключать входы не более 16 ключей-нагрузок, при этом следует учитывать снижение уровня выходного напряжения и увеличение времени задержки распространения. [29]
Выход триггерных схем рекомендуется нагружать ле более чем на шесть входов микросхем-нагрузок. К выходу схем, объединенных в МОНТАЖНОЕ ИЛИ, рекомендуется подключать входы не более 16 ключей-нагрузок, при этом следует учитывать снижение уровня выходного напряжения и увеличение времени задержки распространения. [30]
Страницы: 1 2 3 4