Время - нагрев
Cтраница 4
Время нагрева и выдержки при операциях закалки и отпуска быстрорежущих сталей-заменителей увеличивается на 50 % по сравнению с временем нагрева и выдержки быстрорежущей стали. [46]
 |
Кривые нагрева для стальной пластины толщиной. [47] |
Время нагрева и производительность печи, полученные с помощью уравнения ( 9) сразу на весь температурный диапазон нагрева, правильны, если коэффициент теплопередачи остается постоянным при нагреве садки. [48]
Время нагрева в печи: / - - ИСсап - - 167 ч; поверхность изделий в печи: А Юдисков X 0 58 л2 ( с обеих сторон) 5 8 л2; масса садки: Юдисков х 11 3 кг 113 кг; удельная теплоемкость стали при этих температурах Ср 0 565; ТВ, Тк и ТГ равны соответственно 40, 570 и 600 С. [49]
Время нагрева определяют по методу, описанному на стр. Средняя разность температур между печью и садкой равна V3 ( 1400 - 40) 28 481 С. Необходимое количество тепла ( рис. 27) равно 945 - 25 920 кдж / кг ( 220 ккал / кг) стали. Масса материала на 1 м2 поверхности, к которой подается тепло, составляет 0 0056 X X 1000 X 7 85 44 кг. [50]
Время нагрева 80 - 90 мин, нагрев равномерный по сечению и длине заготовки. [51]
Время нагрева и продувания воздуха при более высокой температуре колеблется от 15 мин. Газы, отходящие из реактора, содержат низкомолекулярные кислоты, которые улавливаются водой. Окисленный парафин, содержащий около 35 % жирных кислот, промывался водой для удаления оставшихся низкомолекулярных кислот и солей, введенных в качестве катализатора. После разделения смеси на два слоя верхний слой, состоящий из непрореагировавшего парафина и продуктов окисления некислотного характера, отделялся и возвращался в цикл. [52]
Время нагрева и собственно сварки стыка почти не зависит от диаметра труб и изменяется прямо пропорционально толщине стен - Kii трубы. [53]
Время нагрева зависит от типа исследуемого раствора и составляет 20 - 30 минут. В случае использования термостатированной реторты, подогрев ведется до конца процесса разгонки. [54]
Время нагрева должно быть достаточным для снятия микросхемы без трещин, сколов и нарушений конструкции корпуса. [55]
Страницы: 1 2 3 4