Время - напыление
Cтраница 3
Кроме того, метод металлизации позволяет получать покрытия нужной толщины на изделиях сложной конфигурации ( хотя покрытие можно более легко и экономично получить на простых формах), а также на ограниченных участках изделия путем экранирования остальной поверхности во время напыления. [31]
 |
Изменение относительного сопротивления пленок, полученных методами распыления и напыления в зависимости от изменения поверхностного сопротивления. [32] |
Сиддалл и Пробин [23] определили технические требования при получении нихромовых пленок методом напыления: 1) температура подложек в процессе напыления должна поддерживаться в диапазоне 2 - 300 С, чтобы ликвидировать внутренние напряжения; 2) окисление пленки во время напыления должно регулироваться изменением остаточного давления газа и скорости напыления; и 3) полученная пленка должна быть отожжена. Отжиг можно проводить в обычной атмосфере при температуре 250 - 350 С, но готовая пленка должна быть изолирована, чтобы улучшить ее стабильность при больших изменениях атмосферных условий. [33]
Стойкость режущего инструмента, покрытого способом КИБ, в значительной мере зависит от режимов процесса: плотности тока, напряжения, температуры подложки ( инструмента), давления в камере, расстояния от катода до подложки ( инструмента), времени напыления. Для получения качественных покрытий необходимо строгое фиксирование основных технологических параметров и автоматическое поддержание их на заданном уровне в течение технологического цикла. [34]
Несмотря на то, что формально соблюдают условия, необходимые для получения высокой степени корреляции СВОЙСРВ свидетеля и резисторов микросхемы ( скорость поступления паров в окрестность свидетеля и резисторов микросхемы более или менее одинакова; температура на свидетеле и подложке также более или менее одинакова; давление и состав остаточных газов один и тот же, время напыления и стабилизации тоже одинаковы), имеются отличия в толщине и свойствах резистивной пленки свидетеля и резисторов, причем тем больше, чем меньше толщина пленки. [35]
Металлические пленки наносили на полированные поверхности сапфира, кварца и графита испарением металла с помощью электронно-лучевого нагрева в вакууме 1 10 - 5 мм рт. ст. Источником испарения служила капля расплава, возникающая на конце вертикально расположенного стержня напыляемого металла диаметра 2 - 3 мм, на который фркусировался электронный луч, скорость напыления была 1 - 10 А / сек, Температура подложки во время напыления составляла 100 - 200 С. [36]
Хейуорд [19] разработал интересный путь получения улучшенных спектров для СО, адсорбированной на напыленных пленках без подложки. Во время напыления он использовал вместо инертного газа окись углерода, потому что она хемосорбируется еще до спекания и адсорбированный слой СО уменьшает спекание. [37]
 |
Зависимость времени травления от времени отжига пленки. [38] |
Уменьшение времени травления с увеличением скорости конденсации пленки может быть объяснено меньшим влиянием различного рода примесей, захваченных из состава остаточных газов в рабочей камере установки в процессе напыления. С ростом времени напыления возрастает количество газов, сорбированных материалом пленки, что ведет к неравномерности ее структуры и увеличению времени травления. [39]
Режим испарения контролируют по омметру и вольтметру, а скорость нанесения пленки - ионным датчиком. Толщина пленки зависит от времени напыления, свойств испаряемого металла и давления в рабочей камере. [40]
Вплавление может иметь место и во время напыления, если нагреть кремний до необходимой температуры. [41]
Напыление при больших скоростях приводит к возникновению мелкозернистой структуры с большими напряжениями, способствующей интенсивному окислению, что объясняет относительно большое возрастание сопротивления материала контактных площадок, напыленных при больших скоростях. Кроме того, частичное окисление пленок происходит уже во время напыления при малых скоростях. [42]
Результаты напыления - вплавления можно рассматривать в геометрическом и электрическом аспекте; рассмотрим первый из них. Как было упомянуто выше, кремний можно нагревать во время напыления, применяя специальный полосковьий трафарет. Получаемые результаты в этом случае сильно зависят от температуры полупроводникового материала. Это в особенности справедливо в отношении системы алюминий-кремний. Для этой системы представляют интерес три температурных диапазона. В высокотемпературном диапазоне алюминий после нанесения его на поверхность кремниевой пластинки находится в расплавленном состоянии и может перемещаться по поверхности; он подвержен также силам поверхностного натяжения. [43]
Островки обычно изолированы друг от друга как в геометрическом, так и в электрическом отношении. Размер островков зависит от величины загрузки и температуры кремния во время напыления. Повышение температуры кремния приводит к увеличению числа и уменьшению размера островков. [44]
 |
Зависимость производительности процесса от уровня засыпки порошка в ванне. [45] |
Страницы: 1 2 3 4