Время - напыление
Cтраница 4
Нестабильность параметров порошков, а также зависимость производительности от длительности переработки порошка на установке приводят к тому, что при одинаковом времени напыления толщины пленок от случая к случаю бывают разными. Из рисунка видно, что толщина покрытия растет приблизительно пропорционально времени напыления. [46]
Испаритель находится в нижней части колпака. Непосредственно над ним имеется подвижной экран для защиты кремния от загрязнений во время напыления. Пластинка полупроводника и трафарет размещены в верхней части колпака. [47]
Недавно описан [3] метод проведения измерений теплот адсорбции. Рубашка, окружающая внутреннюю стеклянную трубку, служила для охлаждения водой во время напыления пленки металла на внутреннюю поверхность внутренней стеклянной трубки. [48]
Положительным качеством этой схемы является то, что при закрытой заслонке 2 можно одновременно и независимо осуществить как обезгаживание испаряемого материала в испарителе, так и обезгаживание и откачку камеры напыления до сверхвысокого вакуума. Отверстие 3 достаточно мало, обладает незначительной пропускной способностью, и поэтому во время напыления в основном не наблюдается повышения давления в камере напыления. Таким образом, эта установка позволяет производить предварительное обезгаживание распыляемого материала при сохранении сверхвысокого вакуума в процессе напыления. [49]
Пластинка вибрирующего конденсатора приделана к внутренней стенке трубки 3, а вторая, невибрирующая пластинка, жестко связана с верхней частью ячейки. Исследуемый металл наносится на вибрирующую пластинку с нити ( на рисунке не показана), причем во время напыления невибрирующую пластинку экранируют. [50]
В специально сконструированном электронном проекторе Мюллер [16] напылял вольфрам с накаленной проволоки на монокристаллическое острие и наблюдал его эмиссионное изображение на экране. Эти изображения отчетливо показывают, что участки, на которых адсорбируются атомы вольфрама, в значительной степени определяются температурой острия во время напыления вольфрама и типом грани, о которую ударяются конденсирующиеся атомы. Эти грани обычно характеризуются самой низкой электронной эмиссией, но после быстрого и неравномерного осаждения на них вольфрама эмиссия сильно увеличивается. Для этого имеются две причины. Во-первых, вследствие неправильной формы кристаллитов локальная напряженность поля сильно повышена. [51]
Известно, что эффективное количество Cs для уменьшения работы выхода электронов должно быть на уровне одного монослоя на поверхности материала. В нашем случае после 30 минут совместного напыления количество Cs на поверхности а - С пленки больше, чем один монослой. Поэтому при времени совместного напыления 1 час количество Cs на а - С пленке может составлять несколько монослоев. Однако уменьшение порогового напряжения вызывает наличие Cs не только на поверхности а - С пленки, но и в ее объеме. Но эта роль ( Cs в объеме) пока недостаточно ясна. [52]
На нижнем основании находится точечный испаритель § - кварцевая пробирка с небольшим отверстием посередине. Трубка 8 нагревается вольфрамовой спиралью. Определенная температура во время напыления поддерживается за счет постоянства тока накала вольфрамового нагревателя. [53]
Равномерное распределение ТСМ по рабочей поверхности круга и хорошее его сцепление с поверхностями зерен и связки обеспечивает распыление ТСМ, находящегося в расплавленном ( жидком) состоянии. Расплавленный ТСМ, контактируя с рабочей поверхностью вращающегося шлифовального круга, затвердевает, образуя на его поверхности тонкий прочный слой. Толщина этого слоя зависит от времени напыления и расхода ТСМ, который можно наносить на круг и в процессе шлифования. При этом желательно, чтобы форсунка для нанесения ТСМ располагалась на максимальном удалении от зоны шлифования для того, чтобы смазочный материал успел перейти в твердое агрегатное состояние до момента попадания его в эту зону. По сравнению с контактным способом нанесение ТСМ напылением позволяет исключить необходимость приготовления брусков ТСМ, процесс его нанесения на круг можно автоматизировать. [54]
В тигле 1, нагреваемом обмоткой 2, находится расплав напыляемого металла. Атомы испаряющегося металла летят в вакууме прямолинейно и через отверстия в маске 3 попадают на подложку 4, оседая на ней в виде пятен требуемой конфигурации. Толщина пятен в основном определяется временем напыления. Подложка должна быть тщательно очищена от загрязнений, неизбежных даже при тщательном хранении, и отполирована. Подогрев снимает внутренние напряжения и улучшает сцепление пленки с подложкой. [55]
Полученная свежеосажденная пленка состоит из множества гранул, в каждой из которых, как в кристаллите, наблюдается определенный порядок в расположении атомов, но общей кристаллической решетки нет. Благодаря миграции атомов вдоль плоскости подложки достигается упорядочение структуры, снижаются значительные внутренние механические напряжения. Миграция облегчается при прогреве пленки, поэтому во время напыления и некоторое время после напыления подложку подогревают, но до температуры ниже критической. При прогреве происходит частичное удаление случайно захваченных атомов газа. [56]
Следует заметить, что при использовании любого из указанных двух методов, пленка KLMI может быть либо непрозрачной, либо пропускающей. Необходимое условие для использования этих методов состоит в том, чтобы ступенька или канал, выполненные в пленке, доходили до поверхности подложки, чтобы подложка была строго плоской и очень гладкой, чтобы сама пленка имела очень гладкую поверхность, необходимую для появления полос, и чтобы пленка не нарушалась при нанесении на нее отражающего покрытия. Например, некоторые огрганические пленки разлагаются при нагреве во время напыления отражающего металла и не могут быть измерены этим методом. [57]
 |
Установка ESHW2 - А1500 для полунепрерывного вакуумного покрытия фирмы Ульвак ( Япония. [58] |
Что касается средств, применяемых для создания вакуума в установках напыления, то в случае их периодической работы важно получить предельное давление в системе возможно быстрее. Нужно также периодически работающую установку конструировать так, чтобы ее можно было быстро и удобно прогреть. В некоторых случаях целесообразно применение геттерного насоса, так как при нагреве испарителей во время напыления выделяется дополнительное количество газа, которое может вызвать нежелательное повышение давления. До начала напыления внутреннюю поверхность установки покрывают слоем титана, который в процессе напыления и служит геттерным насосом. По некоторым данным, для таких установок не всегда целесообразно применение геттерно-ионных насосов, а наилучшими средствами откачки считают диффузионные насосы с лабиринтными отражателями или молекулярные насосы. Возможно также применение конденсационных насосов. [59]
В-третьих, выход годных приборов резко сокращался из-за коротких замыканий при напылении алюминиевых контактов, ширина которых превосходила размеры эмит-терных окон в защитной окисной пленке. Для устранения указанных трудностей в конструкцию и технологию изготовления транзистора были введены следующие усовершенствования: глубина диффузии эмиттереой примеси была доведена до минимума ( 0 2 мк) и благодаря этому резко сократилось число возникающих при диффузии дефектов; при фотолитографической обработке между окисной пленкой и фоторезистом был введен дополнительный металлический слой, который полностью устранил интерференцию падающего и отраженного света; в качестве источника донорных примесей был использован нанесенный на поверхность кремния легированный фосфором слой окисла, благодаря чему при проведении диффузионных и фотолитографических процессов удалось обеспечить сохранение достаточно плотной окисной пленки и предотвратить замыкания во время напыления контактов. [60]
Страницы: 1 2 3 4