Время - пребывание - атом
Cтраница 2
 |
Зависимость интенсивности. [16] |
Райх баум считает, что типичным для носителя ( Ga2O3, AgCl, NaCl и др.) - будет значительное увеличение времени пребывания атомов в разряде и, возможно, коэффициента использования паров у ( ом. [17]
Таким образом, данные по изучению влияния носителей и матриц показали, что действие их многогранно и проявляется не только в изменении параметров плазмы дуги, времени пребывания атомов в плазме, в перераспределении возбужденных атомов в зоне разряда, но и связано с протеканием физико-химических процессов и с наличием тушащих столкновений атомов. [18]
В процессе исследования оптимальных условий регистрации аналитических сигналов при использовании графитовой трубчатой печи установлено, что если продолжительность испарения меньше среднего времени пребывания атомов в печи, а время пребывания атомов в печи и постоянная - времени регистрирующего прибора равны, то для достижения минимальных пределов Оинаружения и повышения точности измеряемых сигналов лучше использовать пиковый способ регистрации. [19]
 |
Изменение во вре - Си, Са И А1 В ОКИСЛах Sm2O3, мени интенсивности спект - Dy2O3, Nd2O3 И Yb2O3, которые. [20] |
Си увеличивается в 1 5 раза. Время пребывания атомов А1 в зоне разряда в присутствии окислов самария и диспрозия уменьшается в 1 3 раза, а в присутствии окисла иттербия время пребывания атомов А1 в зоне разряда уменьшается приблизительно в 2 раза. [21]
Когда мы говорим, что спектр излучения атома и спектр Y-лучей являются линейчатыми, состоят из отдельных монохроматических линий, следует иметь в виду, что строго монохроматического излучения не бывает. Причина этого заключается в конечности времени пребывания атома или ядра в возбужденном состоянии. Только в основном состоянии, в котором энергия минимальна, атом или ядро могут находиться как угодно долго. [22]
Влияние третьих элементов на интенсивность линии определяемого элемента может сказываться на всех стадиях аналитического процесса: на стадиях плавления - испарения, атомизации, возбуждения и ионизации. В зависимости от химического состава пробы может изменяться время пребывания атомов анализируемого элемента в зоне возбуждения. Например, образцы различного химического состава ( содержат разные третьи элементы) могут иметь различные температуры плавления и кипения. Поэтому упругость паров определяемого элемента и соответственно его концентрация в парах различны для двух разных проб при одинаковом содержании его в этих пробах. [23]
 |
Схема камеры для анализа в контролируемой атмосфере. [24] |
Изменением состава атмосферы, в которой горит дуга, можно влиять на ход и результаты анализа и при использовании метода вдувания. Одной из причин малого влияния среды является то, что по методу вдувания время пребывания атомов в зоне разряда определяется главным образом не диффузией, а скоростью газового потока. Существенное значение имеет также кратковременность пребывания частичек пробы в горячей зоне. [25]
Иногда анализ проводят в среде гелия [349, 350], Мощность дуги в гелии в 2 раза выше, чем в аргоне. Однако диффузия примесей в гелии ( значительно более легком газе, чем аргон) сильнее, следовательно, время пребывания атомов в столбе разряда короче и связанная с ним интенсивность линии элементов ниже. [26]
Си увеличивается в 1 5 раза. Время пребывания атомов А1 в зоне разряда в присутствии окислов самария и диспрозия уменьшается в 1 3 раза, а в присутствии окисла иттербия время пребывания атомов А1 в зоне разряда уменьшается приблизительно в 2 раза. [27]
При определении следов элементов в твердых пробах в качестве источника излучения чаще всего используется простая дуга постоянного тока ( разд. При анализе диэлектрических материалов большое значение для улучшения предела обнаружения имеет правильный выбор различных добавок, буферов и носителей [8], с помощью которых можно добиться оптимальных значений температуры плазмы, скорости испарения и времени пребывания атомов определяемых элементов в плазме дуги ( гл. [28]
В горячем ПК поступление пробы в разряд носит в основном термический характер; в холодном катоде положительные ионы рабочего газа, образовавшиеся в результате столкновений с электронами, направляются полем внутрь ПК и распыляют его поверхность, обеспечивая поступление в разряд атомов материала катода или внесенной в него пробы. Диффузия атомов вещества из ПК осуществляется только в направлении отверстия. В результате время пребывания атомов в разряде ПК оказывается значительно больше ( - 1 сек [68]), чем в дуговых и искровых источниках. Благодаря этому возникает возможность многократного возбуждения атомов и ионов, а вследствие пониженного давления увеличивается и вероятность их высвечивания. [29]
 |
Значения разности почернений AS Sj, j - 5Ф при анализе масла и сухого остатка. [30] |
Страницы: 1 2 3