Время - свободный пробег
Cтраница 1
Времена свободного пробега вследствие случайного характера столкновения могут принимать различные значения. [1]
Время свободного пробега 1 / v при давлении порядка 0 1 атм и при tsjO C составляет - 2 - 10 - 7 сек. Полагая ю 10й сек 1 и D - 69 ккал / моль, находим k ( e) / v 1, если е - D ж 14 ккал / моль. [2]
Времена свободного пробега и, следовательно, подвижность носителей, а также зависимость ее от темп-ры определяются рассеянием электронов при их движении в кристалле. Если рассеяние происходит на аку-стич. [3]
Время свободного пробега - среднее значение интервала времени между двумя соударениями свободного электрона, движущегося в твердом теле под влиянием электрического поля. [4]
 |
Линии тона в гофрированной проводнике. I - токовая поверхность, внутри. [5] |
Если время свободного пробега электронов те - О, то усредненная скорость электронной компоненты оказывается соизмеримой со скоростями тяжелых компонент, и поэтому, учитывая малую массу электронов, во мн. [6]
Различны также времена свободного пробега, а могут различаться знаки носителей заряда в обеих зонах. [7]
С ростом времени свободного пробега роль столкновений уменьшается и магнитогидродинамическое приближение становится неприменимым. Если столкновениями можно пренебречь полностью, мы имеем другую систему уравнений, которая выводится для сильных магнитных молей в пренебрежении тепловым потоком. Эта система уравнений была получена Чу, Гольдбергером и Лоу [1] и известна под названием уравнений ЧГЛ или системы двойных адиабатических уравнений с анизотропным давлением. [8]
 |
Свободный объем при движении молекулы от соударения до соударения. [9] |
Так как во время свободного пробега молекула не испытывает столкновений, то отсюда следует, что в цилиндрическом объеме с радиусом, равным диаметру молекулы ст, и длиной Я 00Х не содержится центров других молекул. [10]
Таким образом, время свободного пробега т является временем релаксации для установления статистического равновесия. [11]
Так как за время свободного пробега носитель заряда проходит при наличии магнитного поля меньший путь вдоль электрического поля Е, то это эквивалентно уменьшению дрейфовой скорости или подвижности, а следовательно, и удельной проводимости полупроводника. [12]
При понижении темп-ры времена свободного пробега т квазичастиц в Не II возрастают. [13]
 |
Зависимость поправочной функции к ЭДС Холла от отношения длины и ширины преобразователя Холла. [14] |
Так как за время свободного пробега носитель заряда проходит при наличии магнитного поля меньший путь вдоль электрического поля Е, то это эквивалентно уменьшению дрейфовой скорости или подвижности, а следовательно, и удельной проводимости полупроводника. [15]
Страницы: 1 2 3 4