Время - свободный пробег
Cтраница 2
Обозначим через т время свободного пробега выделенной частицы газа. За это время в среднем отдельная частица испытывает одно столкновение. V определяется временем, за которое в системе произойдет столкновение одной ( любой) частицы. [16]
Если учесть дисперсию времен свободного пробега, вычисления дадут вдвое большее значение прироста энергии за период, но для нас сейчас важен лишь тот факт, что этот средний прирост энергии не зависит от скорости электрона. [17]
Угол отклонения приблизительно пропорционален времени свободного пробега. В результате эффективная длина свободного пробега в направлении электрического поля уменьшается. Очевидно, что носители, которые слабее рассеиваются и имеют поэтому большее время свободного пробега, успеют за это время больше отклониться, чем сильно рассеивающиеся носители. [18]
Это время в среднем равно удвоенному времени свободного пробега и при нормальных условиях имеет порядок 10 - 10 с. Продолжительность же самого элементарного акта определяется временем прохождения системой вершины энергетического барьера Д / л 10 - 12 - 10 - 13 с. Если рассматривать движение совокупности молекул А и В ( или D и Е) как единой системы, то по законам классической механики общее количество движения в изолированной системе ( импульс) должно оставаться постоянным. [19]
Это время в среднем равно удвоенному времени свободного пробега и при нормальных условиях имеет порядок 10 - 10 с. Продолжительность же самого элементарного акта определяется временем прохождения системой вершины энергетического барьера AfeslO 12 - 10 - 13 с. Если рассматривать движение совокупности молекул А и В ( или D и Е) как единой системы, то по законам классической механики общее количество движения в изолированной системе ( импульс) должно оставаться постоянным. [20]
В действительности, конечно, времена свободного пробега у различных электронов не одинаковы. [21]
Учтем тот факт, что время свободного пробега может статистически меняться от одного столкновения к другому; при этом сделаем простейшее и наиболее естественное допущение: предположим, что вероятность того, что электрон столкнется в течение промежутка времени dt, пропорциональна -, где 1 / т - пока неизвестный параметр. [22]
Какова связь времени релаксации и времени свободного пробега, даваемая теорией Друде-Лоренца. [23]
Расстояние, которое молекула пролетает за время свободного пробега от одного столкновения до следующего, называется длигой свободного пробега. [24]
Поэтому захваченные силой Лоренца электроны все время свободного пробега движутся внутри скин-слоя и интенсивно взаимодействуют с радиоволной. Нетрудно показать, что при сильной нелинейности (9.70) скин-эффект полностью обусловлен захваченными электронами. [25]
Следует еще раз подчеркнуть, что время свободного пробега тс будет равно времени релаксации т, если скорость направленного движения рассеивающейся частицы теряется за одно соударение. [26]
 |
Идеализированная вольт-амперная характеристика стабилитрона. [27] |
В относительно чистых слабо легированных полупроводниках время свободного пробега носителя заряда падает с увеличением температуры. Поэтому для того, чтобы носитель за меньшее время пролета набрал энергию, достаточную для ударной ионизации, поле в p - n - переходе должно быть большим. [28]
Как было установлено в главе 1, время свободного пробега между двумя соударениями тс, соответствующее по порядку величины времени релаксации т, будет зависеть от процесса рассеяния носителей заряда. Следовательно, при этом будет изменяться подвижность и скорость электронов, что повлияет на все явления, обусловленные переносом носителей заряда. Исследование процессов рассеяния носителей заряда в реальных твердых телах имеет не только теоретическое, но и практическое значение. [29]
 |
Структура чсского домена.| Образование осцилляции тока в эффекте Ганна. [30] |
Страницы: 1 2 3 4