Время - свободный пробег
Cтраница 3
В таких полях носитель заряда получает за время свободного пробега достаточную энергию для ионизации примеси и атомов основного вещества. [31]
Как было установлено в разделе 1, время свободного пробега между двумя соударениями тс, соответствующее по порядку величины по формуле (1.30) времени релаксации т, будет зависеть от процесса рассеяния носителей заряда. Следовательно, при этом будет изменяться подвижность и скорость электронов, что повлияет на все явления, обусловленные переносом носителей заряда. Исследование процессов рассеяния носителей заряда в реальных твердых телах имеет не только теоретическое, но и практическое значение. [32]
В таких полях носитель заряда получает за время свободного пробега достаточную энергию для ионизации примеси и атомов основного вещества. В результате столкновения генерируются дополнительные носители, которые в свою очередь ускоряются и генерируют новые свободные носители заряда. Этот процесс создания дополнительных носителей и называется ударной ионизацией. Поэтому с ростом поля устанавливается некоторое новое равновесное значение концентрации, определяемое равенством генерируемых и рекомбинирующих носителей, однако общая концентрация носителей заряда будет повышенной и, следовательно, электропроводность увеличится. При еще большем увеличении напряженности поля генерация не компенсируется рекомбинацией, концентрация увеличивается лавинообразно и наступает пробой. [33]
Как было установлено в главе 1, время свободного пробега между двумя соударениями тс, соответствующее по порядку величины времени релаксации т, будет зависеть от процесса рассеяния носителей заряда. Следовательно, при этом будет изменяться подвижность и скорость электронов, что повлияет на все явления, обусловленные переносом носителей заряда. Исследование процессов рассеяния носителей заряда в реальных твердых телах имеет не только теоретическое, но и практическое значение. [34]
 |
Структура чсского домена.| Образование осцилляции тока в эффекте Ганна. [35] |
В таких полях носитель заряда получает за время свободного пробега достаточную энергию для ионизации примеси и атомов основного вещества. [36]
Расстояние 1, которое молекула пролетает за время свободного пробега от одного столкновения до следующего, называется длиной свободного пробега. Эти расстояния могут быть самыми разными. Поэтому в кинетической теории вводится понятие средней длины свободного пробега молекул А. Величина Я является характеристикой всей совокупности молекул газа при заданных значениях давления и температуры. [37]
Использование фермиевских функций распределения означает, что времена свободного пробега носителей предполагаются малыми по сравнению с временем их рекомбинации. При этом условии отклонения от равновесия быстро релаксируют, и если применяемый метЪд инжекции ( например, электронная бомбардировка) создает носители с большой энергией, то равновесное распределение носителей устанавливается до их рекомбинации. [38]
Поэтому направленная скорость заряда v в течение времени свободного пробега не остается постоянной, а линейно возрастает со временем. Однако в конце свободного пробега электрон сталкивается с ионами решетки, отдает им накопленную в поле энергию, и его дополнительная направленная скорость падает до нуля. [39]
Для этого необходимо знать вероятности определенных значений времен свободного пробега, которые рассматриваются как случайные величины. [40]
При изотропном рассеянии время релаксации практически соответствует времени свободного пробега, поскольку скорость направленного движения теряется полностью за одно столкновение. Скорость направленного движения зависит только от поля. [41]
Поэтому направленная скорость заряда v в течение времени свободного пробега не остается постоянной, а линейно возрастает со временем. Однако в конце свободного пробега электрон сталкивается с ионами решетки, отдает им накопленную в поле энергию, и его дополнительная направленная скорость падает до нуля. [42]
За это время, равное по порядку времени свободного пробега, одночастичная функция Ft меняется существенно. Используя (77.4) иА - ilnrl, получаем из (79.23) уже знакомый нам результат. [43]
В общем случае, если известна зависимость времени свободного пробега от энергии и температуры тг ( ЕГ), подвижность носителей заряда л может быть определена из уравнения для плотности тока. [44]
Поэтому направленная скорость заряда v в течение времени свободного пробега не остается постоянной, а линейно возрастает со I временем. Однако в конце свободного пробега электрон сталкивается с ионами решетки, отдает им накопленную в поле энергию, и его дополнительная направленная скорость падает до нуля. [45]
Страницы: 1 2 3 4