Время - рассасывание - неосновной носитель
Cтраница 1
Время рассасывания неосновных носителей в сплавных транзисторах малой мощности примерно 1 мксек, а в мощных транзисторах достигает десятков микросекунд. Вследствие различия в скоростях диффузионного движения неосновных носителей процесс запирания транзистора еще более удлиняется, однако по сравнению со временем рассасывания этим удлинением практически можно пренебречь. [1]
Время рассасывания неосновных носителей в сплавных транзисторах малой мощности около 1 мкс, а в мощных транзисторах достигает десятков микросекунд. Вследствие различия в скоростях диффузионного движения неосновных носителей процесс запирания транзистора еще удлиняется, однако по сравнению со временем рассасывания этим удлинением практически можно пренебречь. [2]
 |
Схема ( а и потенциальные диаграммы ( б блокинг-генератора, работающего в автоколебательном режиме. образование выбросов в рабочем импульсе ( el. [3] |
Время рассасывания неосновных носителей определяет длительность плоской части рабочего импульса. Неосновных носителей по мере рассасывания в базе сталовится меньше, и транзистор выходит из насыщения, обретая усилительные свойства. Уменьшение тока базы вызывает уменьшение тока коллектора. Снижение тока коллектора вызывает появление на базе транзистора ЭДС положительной полярности, что приводит к еще большему снижению тока базы и тока коллектора. Снова развивается лавинный процесс, который называется обратным бло-кинг-процессом. За это время напряжение на конденсаторе С и магнитная энергия сердечника не успевают измениться. После закрывания транзистора отрицательное напряжение продолжает расти. Получается характерный для блокинг-процесса выброс напряжения, который объясняется рассеянием энергии, накопленной в сердечнике трансформатора за время формирования вершины рабочего импульса. После выброса могут наступить затухающие колебания, которые своими положительными полупериодами могут производить ложные срабатывания блокинг-генератора ( рис. 12.25, в), превращая его в обычный LC-генератор. [4]
Время рассасывания неосновных носителей заряда, накопленных структурой транзистора, tp - отдельный параметр, для определения которого приходится прибегать к импульсным методам измерения временных интервалов. [5]
Поэтому исключается время рассасывания неосновных носителей, а также снижено время включения транзисторов, поскольку рабочие точки находятся в активной области и на краю области отсечки. [6]
При глубоком насыщении увеличивается время рассасывания неосновных носителей; на границе насыщения режим становится нестабильным. [7]
 |
Логическая схема НЕ с форсирующей емкостью. [8] |
Оба эти метода предотвращают насыщение транзистора и задержку, связанную со временем рассасывания неосновных носителей. [9]
 |
Триггер с нелинейной обратной связью. [10] |
В схемах такого типа открытые транзисторы работают в ненасыщенном режиме, благодаря чему время рассасывания неосновных носителей практически отсутствует. [11]
Быстродействие И2Л - схемы определяется в основном перезарядом паразитных емкостей, шунтирующих выходные цепи л-р-л-транзисторов, и временем рассасывания неосновных носителей в базе насыщенного транзистора, которое для И2Л - схем составляет 10 - 50 не. Время переходных процессов при перечислении транзисторов И2Л - схемы уменьшается при увеличении рабочего тока инжектора. Однако при этом возрастает и потребляемая мощность схемы. [12]
 |
Схема НЕ - И / НЕ - ИЛИ с тремя входами. [13] |
Важность измерения параметров в режиме переключения ( таких, как задержка импульса, время нарастания фронта импульса, время рассасывания неосновных носителей и время спада) установлена при измерении характеристик транзисторов, а методы и оборудование для проведения этих измерений хорошо известны. [14]
Подвижность носителей заряда влияет на частотные свойства выпрямительных диодов, так как эти свойства большинства выпрямительных диодов определяются временем рассасывания неосновных носителей в базовой области диодной структуры. Это объясняется тем, что подвижность неосновных носителей заряда определяет время пролета неосновных носителей через базу, а подвижность основных носителей - объемное сопротивление базы и, следовательно, постоянную времени перезаряда барьерной емкости коллекторного перехода. Наибольшей подвижностью носителей заряда обладает антимо-нид индия. [15]
Страницы: 1 2 3