Время - рассасывание - неосновной носитель
Cтраница 2
 |
Характерные зависимости времени выключения от скорости нарастания обратного тока ( кривые 1, 2, 3, 4 для различных тиристоров одного типа. [16] |
При уменьшении скорости спада прямого тока до di06f / dt - 3 - r - 10 а / мксек tB увеличивается, так как увеличивается время рассасывания неосновных носителей а крайних переходах. При еще большем уменьшении ( di05p / dt3 а / мксек) величина tB может вновь уменьшится, так как в этом случае большую роль будет играть рекомбинация носителей в базах за время спада анодного тока. Чтобы исключить при измерениях времени выключения влияние di06p / dt, необходимо установить а / мксек. [17]
 |
Схема запуска выходного транзистора. [18] |
Положительный ( запирающий) перепад поступает к базе выходного транзистора через малое ( порядка 1 ом) эквивалентное сопротивление насыщенного транзистора П605, что существенно уменьшает время рассасывания неосновных носителей из области базы выходного транзистора и длительность переключения его из режима насыщения в режим отсечки. [19]
Особенно важным критерием при выборе транзисторов для ИФН является высокая скорость переключения, которая важна не только для: уменьшения мощности рассеяния при переходных процессах, но и для повышения коэффициента стабилизации вольт-секундного интеграла. Время рассасывания неосновных носителей tp должно быть существенно меньше времени перемагничивания дросселя Др, в противном случае вольт-секундный интеграл выходного импульса ИФН будет определяться не только параметрами сердечника, но и параметрами транзистора. При одинаковых геометрических размерах сердечника дросселя Др и сердечников ЛЭ число витков Wm дросселя находится из соотношения W № - ( 0 58 - 0 62) Wp, где Wp - число витков рабочей обмотки ЛЭ. [20]
 |
Схема транзисторного силового блока. [21] |
ТО-резисторы поступает к базам выходных транзисторов. Это уменьшает время рассасывания неосновных носителей из области баз выходных транзисторов и позволяет уменьшить размеры блока. [22]
При проектировании силовых блоков большое значение имеет выбор схемы запуска выходных транзисторов. Для резкого сокращения времени рассасывания неосновных носителей из области базы мощных транзисторов при их работе в режиме коммутатора необходимо выбирать степень насыщения транзистора при его открывании не выше 1 4 или подавать на базу транзистора в момент его запирания запирающее напряжение от источника с малым внутренним сопротивлением. [23]
Время выхода транзистора из насыщения соответствует времени рассасывания неосновных носителей заряда и зависит от степени насыщения, параметров транзистора и величины входного перепада тока. [24]
При снятии базового сигнала транзистор еще некоторое время открыт. Это время называется временем задержки ли временем рассасывания неосновных носителей в базе, ( Накопленных в режиме насыщения. Для уменьшения времени рассасывания нужно приложить к базе запирающее смещение. [25]
Быстродействие кремниевых планарных транзисторов в режиме переключения определяется временем рассасывания неосновных носителей, накопленных в базе и коллекторе при открытых эмиттерном и коллекторном переходах. Для увеличения быстродействия транзисторов кремний легируется золотом, однако при этом снижается время жизни неосновных носителей т, уменьшается коэффициент усиления р и увеличивается обратный ток / кобр - Наиболее эффективным конструктивным способом повышения быстродействия транзисторов является использование диодов Шоттки, шунтирующих коллекторный переход. Транзистор такого типа называется транзистором Шоттки. [26]
Асинхронными называются элементы задержки, формирующие требуемый интервал смещения выходного импульса относительно входного с помощью внутренних асинхронных времязадающих цепей. В ряде асинхронных элементов задержки на логических элементах используют такие внутренние параметры, как время рассасывания неосновных носителей, монтажные емкости и сопротивления переходов. С помощью таких устройств формируются короткие временные интервалы. [28]
В остальное время обратная связь отсутствует, так как пологой части кривой намагничивания соответствует очень малая магнитная проницаемость. Благодаря этому расход тока в схеме очень мал, а быстродействие схемы практически ограничивается временем рассасывания неосновных носителей заряда в триоде. [29]
В остальное время обратная связь отсутствует, так как пологой части кривой намагничивания: соответствует очень малая магнитная проницаемость. Благодаря этому расход тока в схеме очень мал, а быстродействие схемы практически ограничивается лишь временем рассасывания неосновных носителей заряда в базе. [30]
Страницы: 1 2 3