Cтраница 3
Стабильность частоты мультивибратора на транзисторах в значительной степени зависит от тока / к0) который изменяется при изменениях температуры. Температура влияет также на коэффициент усиления по току, при изменениях которого изменяется степень насыщения транзисторов, а следовательно, и время рассасывания неосновных носителей. На частоту транзисторного мультивибратора влияют также отклонения питающего напряжения. Поэтому для увеличения стабильности применяют схемы синхронизации от генераторов синусоидальных колебаний. [31]
В стадии подготовки, начинающейся в момент поступления на вход триггера положительного скачка напряжения, несколько повышается потенциал эмиттеров, базовый ток входного транзистора меняет свое направление и транзистор 7 4 начинает закрываться. Однако в случае глубокого насыщения спад коллекторного тока входного транзистора начинается с некоторым запаздыванием, когда из области базы будут удалены избыточные неосновные носители заряда. Время выхода транзистора из насыщения соответствует времени рассасывания неосновных носителей заряда и зависит от степени насыщения, параметров транзистора и величины входного перепада тока. [32]
Однако его коллекторный ток начинает уменьшаться через некоторое время, необходимое для выхода транзистора из насыщения за счет рассасывания неосновных носителей в области базы. Через время рассасывания рабочая точка транзистора Т2 переходит в активную область характеристик. Стадия подготовки, длительность которой примерно соответствует времени рассасывания неосновных носителей в области баз транзисторов, оканчивается в тот момент, когда рабочие токи транзисторов Т и Т2 будут находиться в активной области характеристик, а коэффициент усиления петли обратной связи, повышаясь, превысит единицу. [33]
Так же как и в БТ, в нормальных закрытых ПТУП, работающих при прямых смещениях на р-л-переходе затвор - исток, происходит накопление избыточного заряда неосновных носителей в затворной, истоковой и канальной областях. Поэтому быстродействие схем с непосредственными связями на ПТУП также зависит от времени рассасывания неосновных носителей, которое и определяет в основном время формирования положительного фронта выходного импульса при переключении инвертора при закрывающемся ПЭ. Кроме того, параметром, характеризующим длительность переходных процессов в схемах с непосредственными связями на ПТУП, является зарядка паразитной выходной емкости инвертора при формировании отрицательного фронта выходного импульса. Разрядка выходной емкости происходит через сопротивление канала открытого ПТУП и зависит в первом приближении от постоянной времени, равной RKCBb [ K. Следует отметить, что составляющая времени задержки переключения, обусловленная накоплением избыточного заряда неосновных носителей, больше других составляющих при значениях рабочих токов, соответствующих высокому уровню инжекции p - n - перехода затвор - исток ПТУП. Однако с уменьшением уровня токов влияние эффектов накопления на время задержки переключения уменьшается. ПТУП, их влияние незначительно по сравнению с влиянием времени зарядки-разрядки паразитных емкостей. [34]
Для управления используем рассмотренную выше микросхему СА1524, а в качестве силовых элементов применим транзисторы MOSFET. Однако динамические потери на полевых транзисторах значительно меньше, более того, отсутствие времени рассасывания неосновных носителей позволяет получить выигрыш в значении максимального коэффициента заполнения. Поэтому старая истина за все хорошее надо платить и здесь напоминает о себе. [35]
Особенностью работы пп гетероперехода является практически полное отсутствие инжекции неосновных носителей при прямом смещении. Инжекция неосновных носителей определяется лишь дырками второго полупроводника, но их концентрация ничтожно мала по сравнению с основными носителями. Это дает возможность создавать на пп гетеропереходах переключающие диоды, у которых время переключения практически не лимитируется временем рассасывания неосновных носителей заряда. [36]
Предположим, что конденсатор Ci разряжен и начинает заряжаться. Время рассасывания неосновных носителей обозначим как t и отсчет времени будем вести с этого момента. [37]
Процессы накопления и рассасывания характеризуются соответствующими постоянными времени. Первая из них - постоянная времени накопления т - характеризует рекомбинацию носителей, которые находятся в состоянии динамического равновесия. Вторая величина - - постоянная времени отсечки тока диода - характеризует влияние дисперсии времени пролета неосновных носителей через область базы на продолжительность переходных процессов. При помощи постоянной тн рассчитывают длительность времени рассасывания неосновных носителей, в течение которого обратный ток практически остается постоянным после выключения диода. Длительность среза обратного тока при запирании диода определяется постоянной времени отсечки тот. В справочниках вместо постоянных времени т итот указывается время восстановления обратного тока / восст, т - е - время, прошедшее от момента подачи запирающего импульса до момента, когда обратный ток уменьшается до заданного уровня. Время восстановления / восст складывается из времени рассасывания неосновных носителей и длительности среза обратного тока. [38]
Однако его коллекторный ток начинает уменьшаться через некоторое время, необходимое для выхода транзистора из насыщения за счет рассасывания избыточных неосновных носителей в области базы. Через время рассасывания рабочая точка транзистора Т2 переходит в активную область характеристик. С уменьшением коллекторного тока транзистора TZ начинает резко уменьшаться прямой базовый ток транзистора 7 и через время, необходимое для рассасывания неосновных носителей в области базы, последний также выходит из насыщения, а коллекторный ток транзистора TI также начинает уменьшаться. Стадия подготовки, длительность которой примерно соответствует времени рассасывания неосновных носителей в области баз транзисторов, оканчивается в тот момент, когда рабочие точки транзисторов Т и TZ будут находиться в активной области характеристик, а коэффициент усиления петли обратной связи, повышаясь, превысит единицу. [39]
Рассмотрим формирователи импульсов, применяемые в цифровых устройствах для восстановления сигналов, искаженных при прохождении различных цепей. Однако сигналы, проходя по различным цепям внутри устройства, искажаются. В качестве формирователя можно использовать транзисторный усилитель, который при полном открытии всегда формирует выходной импульс постоянной амплитуды. Длительность этого импульса может быть меньше длительности входного сигнала, если формирователь имеет дифференцирующую цепь, и больше длительности того же сигнала, когда транзистор входит в глубокое насыщение за счет времени рассасывания неосновных носителей. [40]
Для увеличения частотного диапазона необходимо применение транзисторов с высоким коэффициентом усиления. Замена транзисторов Т1, Т2 и ТЗ, Т6 на составные также позволяет расширить границы частотного диапазона. Кроме того, частотный диапазон зависит от напряжения питания. С-цепочек, причем целесообразно выбирать емкость CCi C2 большой, а сопротивление RRiR2 - малым. Это следует из того, что при увеличении емкости по сравнению с емкостью самого транзистора снижается влияние последней на частотный диапазон. Уменьшение сопротивления R позволяет снизить время рассасывания неосновных носителей в транзисторе. [41]
Процессы накопления и рассасывания характеризуются соответствующими постоянными времени. Первая из них - постоянная времени накопления т - характеризует рекомбинацию носителей, которые находятся в состоянии динамического равновесия. Вторая величина - - постоянная времени отсечки тока диода - характеризует влияние дисперсии времени пролета неосновных носителей через область базы на продолжительность переходных процессов. При помощи постоянной тн рассчитывают длительность времени рассасывания неосновных носителей, в течение которого обратный ток практически остается постоянным после выключения диода. Длительность среза обратного тока при запирании диода определяется постоянной времени отсечки тот. В справочниках вместо постоянных времени т итот указывается время восстановления обратного тока / восст, т - е - время, прошедшее от момента подачи запирающего импульса до момента, когда обратный ток уменьшается до заданного уровня. Время восстановления / восст складывается из времени рассасывания неосновных носителей и длительности среза обратного тока. [42]