Время - рекомбинация
Cтраница 2
Время жизни ионизированных молекул, определяемое временем рекомбинации ионов, составляет секунды или доли секунд. [16]
В [116] используется несколько другой метод определения времени рекомбинации. При этом записывается уравнение для - с ( s) - среднего времени, за которое частица из состояния с энергией е достигает основного состояния. Его удается решить как для больших, так и для малых температур. В пределе высоких температур он несколько отличается от результата [112], что, по-видимому, объясняется тем, что в [112] излучение рассматривалось как чисто классическое, тогда как в [116] учитывался квантовый характер. [17]
 |
Схема ( ч и временная диаграмма ( б формирования импульсного сигнала BI интегральных счетных триггерах. [18] |
В интегральных триггерах динамический инверсный вход осуществляется на основе использования времени рекомбинации избыточных зарядов в электронно-дырочном переходе ( диоде VD, рис. 11.10, а), т.е. времени восстановления свойства не проводить обратный ток после прохождения прямого тока. При е О ( 1 на входе схемы) ток i1 начинает проходить через диод VD. Прямой ток диода i il накапливает избыточный заряд в его базе. В момент времени f0 снижения ЭДС до нуля ток it вновь переключается в источник сигнала, а ток i и напряжение и на выходе схемы становятся отрицательными. Отрицательный ( обратный для диода VD) ток обусловливается процессом рекомбинации избыточных зарядов в электронно-дырочном переходе. Таким образом формируется отрицательный импульс напряжения - ии, появляющийся при снижении входного напряжения. Под воздействием этого импульса и происходит изменение состояния RS-триггера. [19]
Таким образом, в случае, когда рекомбинация совершается в результате многократных переходов, время рекомбинации является решением уравнения (4.55), а это время простым соотношением (4.57) связано с коэффициентом рекомбинации. [20]
По - начальная концентрация электронов, 1 / см3; TpeKl / ivc - постоянная времени рекомбинации, сек. Поскольку частота соударений Vc - р / Т, постоянная времени рекомбинации уменьшается с ростом давления при заданной температуре и растет с температурой при заданном давлении. Температура плазмы в рассматриваемый отрезок времени относительно невелика, а давление в камере дугогасителя обычно велико. Поэтому частота соударений vc должна быть большой. [21]
Существенным недостатком метода меченых молекул является короткое время жизни ионизированных молекул, которое полностью определяется временем рекомбинации ионов. [22]
Удвоенное значение уг совпадает с вероятностью рекомбинации 1 / тг, В силу относительно большого значения времени рекомбинации вклад (8.60) в полное значение у незначителен. [23]
Если же ловушки присутствуют, то ток затухнет в течение времени, необходимого для опустошения ловушек, которое намного превосходит время рекомбинации. [24]
На практике возможны осложнения, например из-за того, что существует не один, а несколько механизмов рекомбинации, каждый из которых имеет свое время рекомбинации. [25]
Как мы увидим, первый член равенства ( 2) мал по сравнению со вторым, исключая случай очень больших значений I и малого ( порядка времени рекомбинации tr) промежутка времени после выключения света. [26]
Филиновский и Чиэмаджев [9], основываясь на том, что взаимодействие электрона с полярными молекулами воды препятствует его возвращению к исходному иону, пришли к заключению, что время рекомбинации с ионом-порядка 1СГ7 сек. [27]
Существенным для понимания процессов в усилителях является то обстоятельство, что в хороших монокристаллах, например, чистого германия эти неравновесные, неосновные носители заряда не рекомбинируют практически мгновенно, а имеют время рекомбинации до 1000 мксек. Это время значительно больше, чем среднее время пролета зарядов между электродами под действием поля; заряды успевают пройти этот путь даже просто за счет диффузии. Действие этих неосновных носителей заряда ( в данном случае дырок) на проводимость контакта коллектора ( р - n - границы у коллектора) определяет эффект усиления. Действительно, за счет диффузии, а также под действием поля ( в нитевидном усилителе поле определяет перемещение неосновных носителей тока) впрыснутые дырки будут перемещаться к коллектору. Достигнув района коллектора, они затягиваются на коллектор, на который в нашем случае подано отрицательное смещение. Прохождение дырок через р - n - слой у коллектора само по себе создает эффект повышения проводимости этого слоя. Этот эффект еще усиливается за счет дополнительного электронного тока из коллектора, возникающего для компенсации объемного заряда дырок в р - n - слое. Таким образом, впрыскивание дырок из эмиттора резко понизит сопротивление р - n - слоя у коллектора. При этом напряжение батареи в цепи коллектора перераспределится и большая часть его придется на нагрузочное сопротивление R, что приводит к возможности усиления сигнала эмиттора и по напряжению и по мощности. [28]
 |
Энергия активации фторирования UF4 фтором.| Константа скорости фторирования как функция температуры. 1 - UF4 получен из водных растворов. 2 - UF4 получен фторированием. [29] |
Однако удельная поверхность UF4 - ядер конденсации из уран-фторной плазмы - при радиусе частиц, равном 5 - 10 - 10 м, составляет 7 9 - 102 м2 / г. Следовательно, время гетерофазной рекомбинации таких частиц составляет по крайней мере десятые доли секунды. [30]
Страницы: 1 2 3 4