Время - рекомбинация
Cтраница 3
Время переключения диодных ключей г гер, определяющее их быстродействие, зависит от паразитных емкостей p - n - перехода и емкостей монтажа, а также от времени выключения диода гвыкл, определяемого временем рекомбинации носителей заряда. [31]
Время рекомбинации Тр можно получить, приравняв эту составляющую коллекторного тока нулю. [32]
Стационарные условия при облучении выражаются формулой dn / dt 0, откуда получается, что п Лт. В полупроводниках время рекомбинации, как правило, мало; в большинстве случаев оно составляет от 10 - 2 до 10 - 6 сек. Значительное увеличение его может быть результатом наличия некоторых дефектов ( примесей, дефектов решетки), имевшихся в твердом теле или возникших при облучении, которые действуют подобно ловушкам в отношении свободных носителей тока. Расчеты, описанные ниже, могут проводиться при условии отсутствия явлений, связанных с наличием ловушек. [33]
В действительности охлаждение происходит лишь до температуры рекомбинации, порядка 104 К; при давлении - 2 6 - 10 - 13 бар) этому соответствует плотность атомов водорода около 0 2 см-3. Важно, что время рекомбинации сильно зависит от начальной температуры. В каждый данный момент получается резкая граница. [34]
Неравновесные носители ( электроны и дырки), созданные внешним полем или другими источниками, живут конечное время. Среднее время жизни называют временем рекомбинации тг. Избыточная энергия может передаваться решетке, электронно-дырочному газу или некогерентному ЭМП. В зависимости от способа передачи энергии различают соответственно безызлуча-тельную рекомбинацию через примесные уровни, ударную рекомбинацию ( типа Оже) и излучательную. Для теории, развиваемой в книге, конкретный механизм рекомбинации не играет роли, поэтому будем рассматривать для определенности излучательную рекомбинацию, которую можно учесть наиболее последовательно и которая вносит заметный вклад в полупроводниках типа AlnBv в интересующих нас интервалах концентраций электронов и температур. [35]
На практике для изготавливаемых в настоящее время плоскостных триодов влияние первых двух факторов по сравнению с последним диффузионным может быть сделано пренебрежимо малым. Так, например, для уменьшения времени рекомбинации зарядов в насыщенном триоде последний ставят в режим неглубокого граничного насыщения или вовсе избегают режима насыщения с помощью включения ограничивающих диодов. [36]
При воздействии радиации на полевой транзистор с р - - переходом ухудшение его эксплуатационных свойств происходит в основном из-за смещения атомов и образования в решетке полупроводника относительно постоянных вакансий или атомов между узлами и из-за смещения электронов, приводящего к ионизации. Ионизация носит нестационарный характер и ограничена временем рекомбинации носителей. Смещенные атомы действуют как центры рассеяния, уменьшая подвижность носителей. Уменьшение подвижности основных носителей заряда приводит к увеличению сопротивления канала, уменьшению тока стока и крутизны. [37]
Таким образом, диссоциативная рекомбинация электрона и молекулярного иона гелия происходит только в том случае, если молекулярный ион находится в колебательно возбужденном состоянии. В этом случае измеряемое в послесвечении плазмы время рекомбинации плазмы будет зависеть от способа создания заряженных частиц и от кинетики процессов перехода между колебательными уровнями молекулярного иона. [38]
 |
Зависимость температуры перегрева перехода / 3 от длительности одиночного разогревающего импульса. [39] |
А представлена на рис. 3.12. Эта зависимость была положена в основу измерения температуры перегрева. Задержка измерения 4адизм в этом случае определяется временем рекомбинации заряда / j - базы, накопленного при пропускании разогревающего импульса тока. [40]
Для изоляторов явления рекомбинации свободных носителей тока не отличаются в принципе от рассмотренных выше. Однако ловушки здесь могут играть важную роль; поэтому время рекомбинации часто становится весьма длительным. Таким образом, для данного типа твердых тел является очень существенным влияние радиации на число носителей тока, которое очень мало перед облучением. [41]
По - начальная концентрация электронов, 1 / см3; TpeKl / ivc - постоянная времени рекомбинации, сек. Поскольку частота соударений Vc - р / Т, постоянная времени рекомбинации уменьшается с ростом давления при заданной температуре и растет с температурой при заданном давлении. Температура плазмы в рассматриваемый отрезок времени относительно невелика, а давление в камере дугогасителя обычно велико. Поэтому частота соударений vc должна быть большой. [42]
 |
Зависимость времени выключения от анодного тока.| Зависимость времени выключения от обратного напряжения. [43] |
С увеличением обратного напряжения время выклю - 100 чения уменьшается, так как растет величина обратного тока и повышается интенсивность выноса носителей из базовых областей. При выключении тиристора без приложения обратного напряжения время выключения равно времени рекомбинации неравновесных носителей в базах р-п-структуры. [44]
Влияние температуры на физические параметры транзистора связано с изменением высоты потенциального барьера [ см. формулу (3.5) ], подвижности носителей заряда и их концентрации. Наиболее заметное влияние оказывает температура на величину коэффициента усиления тока j3, что связано с временем рекомбинации подвижных носителей заряда в базе. Для большинства транзисторов относительная скорость изменения этого коэффициента dp / ( MT составляет ( 0 005 - 0 01) К - в диапазоне ( 20 - 40) С, но при дальнейшем повышении температуры скорость роста замедляется, а для отдельных типов становится даже отрицательной, обычно при ( 50 - 60) С. [45]
Страницы: 1 2 3 4